TZ500N16KOFHPSA1

## **N** Datenblatt / Data sheet ol ~~ee~~ pe **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ500N** 

## **TZ500N** 

**Kenndaten Elektrische Eigenschaften / Electrical properties** HöchstzulässiElektrische Eigenschaften ge Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM[1200 ] 1400 V 1600 1800 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200 1400 V 1600 1800 V non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1500 V 1700 1900 V non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 1050 A maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 500 A average on-state current TC = 66°C 669 A Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C, tP = 10 ms ITSM 17.000 A surge current Tvj = Tvj max,  tP = 10 ms 14.500 A Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 1.445.000 A²s I²t-value Tvj = Tvj max,  tP = 10 ms 1.051.000 A²s Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)cr 200 A/µs critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung Tvj = Tvj max ,  iT = 1700 A vT max. 1,53 V ~~a~~ on-state voltage Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,9 V ~~a~~ threshold voltage Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,27 mΩ slope resistance ~~a~~ Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max. 250 mA gate trigger current ~~a~~ Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max. 2,2 V ~~a~~ gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 6 V IGD max. 10 mA ~~a~~ gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V ~~a~~ gate non-trigger voltage Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω IH max. 300 mA ~~a~~ holding current Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 1500 mA ~~a~~ latching current iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 100 mA forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM ~~a~~ Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 4 µs ~~a~~ gate controlled delay time Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs prepared by: C.Drilling date of publication: 11.03.2004 approved by: M. Leifeld revision: 3 ~~aes ee~~ BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 1/12 ~~ee~~ 

## **N** Datenblatt / Data sheet ol ~~ee~~ pe **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ500N** 

|**N**<br>ol|ol~~ee~~|Datenblatt / Data sheet<br>pe|Datenblatt / Data sheet<br>pe|Datenblatt / Data sheet<br>pe|pe|pe|
|---|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>ol ~~ee ~~||**TZ500N**<br> pe|||pe||
|~~Thermische Eigenschaften~~<br>~~Mechanische Eigenschaften~~<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5<br>thletter O<br>tq<br>typ.<br>250<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1 min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>0,065<br>0,062<br>°C/W<br>°C/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>RthCH<br>max.<br>0,02 °C/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>125 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+125 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130 °C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanicalproperties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 3<br>page 3<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>5<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>12<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>900<br>g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>15<br>mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50<br>m/s²<br>file-No.<br>E 83336<br>Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in<br>Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.<br>This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging<br>technical notes.<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~a~~<br>~~Wo~~|||||||
|BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling<br>~~es~~|||A 11/04<br>~~es~~|Seite/page<br>~~es~~||2/12<br>~~es~~|



Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. 

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 

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**==> picture [396 x 765] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>ol we fF<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>/screwingmax. 18.0 depth /_screwingmax. 20.0 depth<br>Maßbild  plug A 2,8 x 0,8. / /<br>Maßbild<br>Maßbild<br>ioe<br>x an 5<br>i f Z 2|=<br>055<br>7H<br>M10<br>\<br>l j a 1 ne a<br>st | OF || O F»<br>8D<br>a<br>L101 _<br>2 1<br>4 5<br>TZ<br>BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling  A 11/04<br>**----- End of picture text -----**<br>


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## **N** Datenblatt / Data sheet ~~ee~~ **Netz-Thyristor-Modul** ~~a~~ **Phase Control Thyristor Module TZ500N** ~~a~~ a 

R,T – Werte Di **R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC** ~~oo~~ Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 ~~a~~ Rthn [°C/W] 0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221 ~~a~~ τn [s] 0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12 ~~a~~ nmax – t Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC = Σ R thn 1 - e τ n n=1 Luftselbstkühlung / Natural cooling 3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (90W) **Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA** Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,796 0,005 0,041 τn [s] 1420 912 12 Verstärkte Kühlung / Forced cooling 3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N) **Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA** Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,239 0,0435 0,0075 τn [s] 497 31,8 6,4 nmax – t Analytische Funktion / Analytical function: ZthCA = Σ Rthn 1 - e ~~τ~~ n n=1 

BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 4/12 ~~ee~~ ee ee 

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**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>ee = e<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>e e es<br>0,080   Θ =<br>  30°<br>Diagra mme<br>  60°<br>Trans. Wärmewiderstand bei Sinus    90°<br>120°<br>0,060 0 ° 0 180 ° 180°<br>a<br>0,040<br>Ear<br>0,020<br>0,000<br>Bait ESI ENNi<br>0,01 0,1 1 t [s] 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck<br>  Θ =<br>0,080   30°<br>  60°<br>  90°<br>120°<br>180°<br>0,060 0 ° 0 180 °  DC<br>0,040<br>0,020<br>ei<br>0,000<br>ae Salih<br>0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Rechteckförmiger Strom / Rectangular current<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>**----- End of picture text -----**<br>


BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 5/12 ~~ee~~ ee ee 

**==> picture [532 x 658] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>ol ee pe<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>a ee ee<br>1000<br>Diagramme  180°<br>Durchgangsverluste bei Sinus  120°<br>800<br>0° 0 180° 90°<br>60°<br>600<br>; pe Θ  = 30°<br>tt ne22e08<br>400<br>gear<br>200<br>‘il yat litt |ttt<br>0<br>sri litt itt t lt<br>0 100 200 300 400 ITAV [A] 500 600 700<br>Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)<br>Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current     Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ<br>1400 Durchgangsverluste bei Rechteck<br>DC<br>1200<br>a 0° i 0 ee 180° °<br>180<br>1000<br>120°<br>90 °<br>800<br>60°<br>i 600 Θ  = 30 ° oan<br>aZeeZe<br>400<br>200<br>ny 7a<br>a<br>0<br>0 200 400 600 ITAV [A] 800 1000<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)** 

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current     Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 

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A 11/04 

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**==> picture [531 x 656] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>ee ee<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>ee ee<br>140<br>Gehäusetem eratur bei Sinus<br>p<br>120<br>0° 0 180°<br>100<br>Set ES<br>8060 eeee<br>| ee<br>40<br>Θ = 30° 60° 90° 120° 180°<br>| [| {ft tf ft et<br>20 fT et i<br>0 100 200 300 400 500 600 700<br>ITAVM [A]<br>Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)<br>Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current    Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>140 Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>120<br>0° 0 180°<br>100<br>~~ Lt<br>Se||<br>80<br>6040 ee ee ee ee ee<br>Θ = 30° 60° 90° 120° 180° DC<br>20 ee ee ee ee<br>0 200 400 600 800 1000<br>ITAVM [A]<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)** 

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current    Strombelastung je Zweig / Current load per arm Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ 

a a 

BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling 

7/12 

A 11/04 

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**==> picture [532 x 672] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>| me |e<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>ee ee<br>0,015 0,010 RthCA [°C/W] B2 ID<br>+<br>3000 0,020 Maximaler Stro m  bei B2 und B6<br>1 ONS ~ |] (COC R-Last<br>0,025<br>R-load<br>0,030 - L-Last<br>NNG =i PEE A L-load<br>2000<br>0,040<br>0,050<br>0,060 Qo<br>0,080<br>1000 0,100<br>0,120<br>0,150 SS _ Sanne? 4 GnGnEe<br>0,200<br>0,300<br>SSSA<br>0<br>0 20 40 60 80 100 120 0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>T A [°C] I D [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA<br>0,010 R  thCA  [°C/W] B6 ID<br>+<br>4000 0,015<br>; —_ 3~ gr]FEES<br>0,020 -<br>3000<br>0,025<br>0,030 SS ee CEE<br>2000 0,040<br>0,050<br>S\NGe EERE ZGai<br>0,060<br>0,080<br>1000 0,100<br>SS qf<br>0,150<br>0,200<br>0,300<br>SSS<br>0<br>0 20 40 60 80 100 120 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600<br>T A [°C] ID [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit<br>**----- End of picture text -----**<br>


Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA 

BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 8/12 ~~es~~ 

## **N** Datenblatt / Data sheet ~~ee~~ ee) **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ500N** 

**==> picture [501 x 548] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
1800<br>0,03 0,02 R  thCA  [°C/W] W1C<br>1600 ~<br>S onar Maximaler Strom IRMS b ei W1C und W3C  ae ee 2<br>1400 0,04<br>P TONSAIEE oo |]<br>0,05<br>1200 SAN ae ee<br>0,06<br>1000 0,08 SX ~ SaaS See 2a<br>800 0,10<br>SS) FER<br>0,12<br>600 0,15 SSS<br>FF)Fa<br>0,20<br>400 SSC)<br>0,30<br>200 0,40 SS<br>0,60<br>SSS eo<br>0<br>0 20 40 60 80 100 120 0 250 500 750 1000 1250 1500<br>TA [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA<br>4500<br>0,015 0,010 R thCA [°C/W] ~ W3C ~ ~<br>oo 4000 IRMS eee<br>PC ae 2<br>3500 0,020<br>3000 0,025 SISESN dew} ~ ~ ~ FEEee<br>2500 0,030 SSN ee<br>0,040<br>2000<br>0,050 SS FE eof<br>1500 0,060<br>0,080 SSS80 Fo) FEES<br>1000 0,100<br>0,120 SS EES ZEEE<br>500 0,200 SSVI<br>0 SSS SO<br>0 20 40 60 80 100 120 0 200 400 600 800 1000 1200<br>T A [°C] I RMS [A]<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS** 

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA 

BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 9/12 ~~a~~ 

**==> picture [532 x 740] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>oi we |<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>a eeepet<br>100<br>Steuercharakteristik<br>10 c<br>b<br>Sati mani a a<br>1<br>enprt<br>0,1<br>10 100 iG [mA] 1000 10000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V<br>Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM  = f (tg) :<br>a - 20 W/10ms    b - 40 W/1ms    c - 60 W/0,5ms<br>Zündverzu<br>g<br>1000<br>100<br>SSS<br>10<br>a<br>SS<br>1 b<br>==<br>0,1<br>100 iGM [mA] 1000 10000<br>Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)<br>Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs<br>a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic<br>b - typischer Verlauf / Typical characteristic<br>**----- End of picture text -----**<br>


BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 10/12 ~~a~~ 

**==> picture [530 x 740] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
N  Datenblatt / Data sheet<br>a Netz-Thyristor-Modul  ae<br>Phase Control Thyristor Module TZ500N<br>10000<br>Sperrverzögerungsladung i TM  = 2000A<br>1000A<br>500A<br>200A<br>100A<br>50A<br>1000 20A<br>=<br>100<br>Sarai<br>1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)<br>Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM<br>Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM<br>Grenzstrom<br>._.ITIIIf.<br>= 12.000 TT |. | |!<br>a<br>10.000<br>TA = 35 °C<br>8.000<br>b<br>6.000<br>—=<br>TA = 45°C<br>ea<br>4.000<br>et<br>2.000<br>0<br>0,01 0,1 1<br>t [s]<br>Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM<br>a: Leerlauf / No-load conditions<br>b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM<br>TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling<br>TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling<br>**----- End of picture text -----**<br>


BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling a 

11/12 

A 11/04 

Seite/page 

## **N** Datenblatt / Data sheet p ~~e~~ pec **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ500N** ~~ee ee~~ 

**==> picture [486 x 610] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
a<br>7.000<br>Überstrom<br>6.000 I TAV (vor) =<br>PSST TT ee |PETE|| ll<br>  0 A<br>30 A<br>EHF<br>5.000 Ne 50 A Te<br>65 A<br>75 A<br>4.000<br>85 A<br>3.000<br>2.000<br>1.000<br>Seen eee at ceases eee ceo I<br>0<br>ee SSS<br>0,01 0,1 1 10 100 1000 10000<br>t [s]<br>Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular<br>Kühlkörper / Heatsink type KM17 (90W)       Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C<br>Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)<br>8.000<br>I TAV (vor) =<br>7.000 Soot    0 A na<br>  80 A<br>6.000 130 A<br>SU FEIN a<br>170 A<br>200 A<br>5.000<br>225 A<br>PS Ne nn<br>4.000<br>3.000<br>2.000<br>1.000 eS<br>HE TE<br>=<br>0<br>0,01 0,1 1 10 100 1000 10000<br>t [s]<br>Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular<br>**----- End of picture text -----**<br>


Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N)       Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C 

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor) 

BIP AC / 2004-03-11  C. Drilling A 11/04 Seite/page 12/12 ~~ee~~ ee ee ee 

## **Nutzungsbedingungen** 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. 

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