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Illustrative purposes only
P2000DL45X168HPSA1
IGBT Module, Single, 2 kA, 2.25 V, 150 °C, Module
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: IGBT Modules
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- Product Range: -
- IGBT Technology: IGBT 3 [Trench]
- IGBT Termination: Wire Leaded
- Power Dissipation: -
- IGBT Configuration: Single
- Transistor Mounting: Panel
- DC Collector Current: 2kA
- Power Dissipation Pd: -
- Transistor Case Style: Module
- Operating Temperature Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Continuous Collector Current: 2kA
- Collector Emitter Voltage Max: 4.5kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 4.5kV
- Collector Emitter Saturation Voltage: 2.25V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.25V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 1 |
| Price | 5487.09 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
**Technische Information / technical information** **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ~~a~~ ## **P2000DL45X168** ## **Key Parameters** |**IGBT**|| |---|---| |VCES|4500 V| |INOM<br>ICRM<br>**Diode**<br>VRRM<br>IF<br>IFRM|2000 A<br>4000 A<br>4500V<br>2000A<br>4000A| ## **Merkmale** ## **Features** - Druckkontaktierter IGBT mit integrierter Freilaufdiode - Stabiler Kurzschluss im Fehlerfall - Hohe dynamische Robustheit - Hohe Kurzschlussrobustheit - Niedriges VCEsat - Trench IGBT 3 - Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode - Long term Short on Fail behavior - High dynamic robustness - High short-circuit capability - Low VCEsat - Trench IGBT 3 ## **Typische Anwendungen** ## **Typical Applications** - Hochleistungsumrichter - Mittelspannungsantriebe - Modulare Multi- Level Umrichter MMC für HGÜ und Kompensationsanlagen - DC Leistungsschalter - High power converters - Medium voltage converters - Modular Multi Level Inverter MMC for HVDC and FACTS - DC Breakers **==> picture [265 x 117] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> content of customer DMX code fe | DMX code DMX code<br>digit digit quantity<br>a serial number 1..7 7<br>a SP material number 8..16 9<br>a datecode (production day) 17..18 2<br>a datecode (production year) 19..20 2<br>a datecode (production month) 21..22 2<br>a vT class (optional) 23..26 4<br>a QR class (optional) 27..30 4<br>**----- End of picture text -----**<br> **==> picture [195 x 157] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 4 5<br>|<br>1 2<br>www.ifbip.com<br>-<br>support@infineon bip.com<br>**----- End of picture text -----**<br> Revision:3.0 Seite/page: 1/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ~~a~~ ## **P2000DL45X168** ## **Elektrische Eigenschaften / electrical properties** ## **IGBT, Wechselrichter / IGBT, Inverter Höchstzulässilektrische Eigenschaften ge Werte / maximum rated values** |L_<br>oy|||||=| |---|---|---|---|---|---| |L_<br>oy a|**Technische Information /**<br>**technical information**||||=<br>Cinfineon<br>msmerecoe<br>GmbH & Co, KG| |**Druckkontaktierter IGBT**<br>**Press Pack IGBT**<br>L_<br>oy <br>~~a~~|||||| ||**P2000DL45X168**||||| |**lektrische Eigenschaften ge Werte / maximum rated values**<br>**Elektrische Eigenschaften / electrical properties**<br>**IGBT, Wechselrichter / IGBT, Inverter**<br>**Höchstzulässilektrische Eigenschaften ge Werte / maximum rated valuesge Werte / maximum rated valuese Werte / maximum rated values**<br>Kollektor-Emitter-Sperrspannung<br>Collector-emitter voltage<br>VCES<br>4500<br>V<br>Kollektor-Dauergleichstrom<br>Continuous DC collector current<br>TC= 105°C, Tvj max= 150°C<br>IC nom<br>2000<br>A<br>Periodischer Kollektor-Spitzenstrom<br>Repetitive peak collector current<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>4000<br>A<br>Gate-Emitter-Spitzenspannung<br>Gate-emitter peak voltage<br>VGES<br>+/- 20<br>V<br>**Charakteristische Werte / characteristic values**min.typ. max.<br>Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung<br>Collector-emitter saturation voltage<br>IC= 2000 A, VGE= 15 V; Tvj=25°C<br>IC= 2000 A, VGE= 15 V; Tvj=125°C<br>IC= 2000 A, VGE= 15 V; Tvj=150°C<br>vCE sat<br>vCE sat<br>vCE sat<br>2,25<br>2,57<br>2,70<br>2,50<br>2,90<br>3,05<br>V<br>V<br>V<br>Gate-Schwellenspannung<br>Gate threshold voltage<br>IC= 105 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>6,6<br>V<br>Gateladung<br>Gate charge<br>VGE= -15 / 15 V<br>QG<br>40<br>µC<br>Interner Gatewiderstand<br>Internal gate resistor<br>Tvj= 25°C, vD= 12 V<br>rG<br>0,09<br>0,1<br>Ohm<br>Eingangskapazität<br>Input capacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V,<br>VGE= 0 V<br>Cies<br>420<br>nF<br>Rückwirkungskapazität<br>Reverse transfer capacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V,<br>VGE= 0 V<br>Cires<br>7,2<br>nF<br>Kollektor-Emitter-Reststrom<br>Collector-emitter cut-off current<br>VCE= 4500 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>150<br>200<br>µA<br>Gate-Emitter-Reststrom<br>Gate-emitter leakage current<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>0,23<br>0,8<br>µA<br>Einschaltverzögerungszeit, induktive Last<br>Turn-on delay time, inductive load<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V Tvj=25°C<br>VGE= -15 / 15 V Tvj=125°C<br>RGon= 1,2Tvj=150°C<br>td on<br>0,32<br>0,33<br>0,33<br>µs<br>µs<br>µs<br>Anstiegszeit, induktive Last<br>Rise time, inductive load<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V Tvj=25°C<br>VGE= -15 / 15 V Tvj=125°C<br>RGon= 1,2Tvj=150°C<br>tr<br>0,26<br>0,28<br>0,28<br>µs<br>µs<br>µs<br>Abschaltverzögerungszeit, induktive Last<br>Turn-off delay time, inductive load<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V Tvj=25°C<br>VGE= -15 / 15 V Tvj=125°C<br>RGoff= 4,8Tvj=150°C<br>td off<br>6,9<br>7,6<br>7,7<br>µs<br>µs<br>µs<br>Fallzeit, induktive Last<br>Fall time, inductive load<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V Tvj=25°C<br>VGE= -15 / 15 V Tvj=125°C<br>RGoff= 4,8Tvj=150°C<br>tf<br>2,2<br>4,2<br>4,5<br>µs<br>µs<br>µs<br>prepared by: CD<br>date of publication: 2021.09.21<br>approved by: JP<br>revision:<br>3.0|||||| |<br>Date of Publication: 2021-09-21|||Revision:3.0|Seite/page: 2/12|| Revision:3.0 Seite/page: 2/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ~~a~~ ## **P2000DL45X168** |Thermische Eigenschaften<br>~~Mechanische Eigenschaften~~<br>Einschaltverlustenergie pro Puls<br>Turn-on energy loss per pulse|Thermische Eigenschaften<br>~~Mechanische Eigenschaften~~<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V, L= 150nH Tvj=25°C<br>Tvj=125°C<br>VGE= -15 / 15 V, RGon= 1,2Tvj=150°C|Thermische Eigenschaften<br>~~Mechanische Eigenschaften~~<br>Eon||8,0<br>8,8<br>9,5||J<br>J<br>J| |---|---|---|---|---|---|---| |~~Mechanische Eigenschaften~~<br>Abschaltverlustenergie pro Puls<br>Turn-off energy loss per pulse|~~Mechanische Eigenschaften~~<br>IC= 2000 A, VCE= 2800 V, L= 150nH Tvj=25°C<br>dv/dt = 1100 V/μs Tvj=125°C<br>VGE= -15 / 15 V, RGoff= 4,8Tvj=150°C|~~Mechanische Eigenschaften~~<br>=150°C<br>Eoff||11,3<br>15,2<br>16,5||J<br>J<br>J| |Kurzschlußverhalten<br>SC data|VGE15 V, VCC= 2800 V, tpsc ≤ 10 µs<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>Tvj= 125°C|ISC||10,5||kA| **Diode, Wechselrichter / Diode, Inverter** Höchstzulässige Werte / maximum rated values |Periodisch Spitzensperrspannung<br>Repetitive peak reverse voltage||VRRM|4500|V| |---|---|---|---|---| |Dauergleichstrom<br>Continuous DC forward current|TC= 95°C, Tvjmax = 150°C|IF|2000|A| |Periodischer Spitzenstrom<br>Repetitive peak forward current|tP= 1 ms|IFRM|4000|A| |Stoßstrom<br>Surge current|VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C|IFSM|17000|A| |Grenzlastintegral<br>I2t - value|VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C|I2t|1445|kA2s| ## **Charakteristische Werte / characteristic values** |Durchlassspannung<br>Forward voltage|IF= 2000 A Tvj=25°C<br>IF= 2000 A Tvj=125°C<br>IF= 2000 A Tvj=150°C|VF||2,80<br>2,73<br>2,70||V<br>V<br>V| |---|---|---|---|---|---|---| |Rückstromspitze<br>Peak reverse recovery current|IF= 2000 A, VR= 2800 V, Tvj=25°C<br>Rgon= 1,2, VGE= +15V ; LS=150nH Tvj=125°C<br>Tvj=150°C|IRM||1900<br>2460<br>2580||A<br>A<br>A| |Sperrverzögerungsladung<br>Recovered charge|IF= 2000 A, VR= 2800 V, Tvj=25°C<br>Rgon= 1,2, VGE= +15V ; LS=150nHvj=125°C<br>Tvj=150°C|Qrr||1500<br>3350<br>3900||µAs<br>µAs<br>µAs| |Abschaltenergie<br>Reverse recovery energy|IF= 2000 A, VR= 2800 V, Tvj=25°C<br>Rgon= 1,2, VGE= +15V ; LS=150nH Tvj=125°C<br>Tvj=150°C|Erec||2,2<br>5,7<br>6,8||J<br>J<br>J| Revision:3.0 Seite/page: 3/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ## **P2000DL45X168** |**Thermische Eigenschaften / thermal properties**||||||| |---|---|---|---|---|---|---| |**Maßbild**<br>IGBT, Innerer Wärmewiderstand|Kühlfläche / cooling surface|||||| |IGBT, thermal resistance, junction to case|beidseitig / two-sided, DC|beidseitig / two-sided, DC|RthJC IGBT|max.|6,6|K/kW| |Diode, Innerer Wärmewiderstand|Kühlfläche / cooling surface|||||| |Diode, thermal resistance, junction to case|beidseitig / two-sided, DC|beidseitig / two-sided, DC|RthJC Diode|max.|13,2|K/kW| |Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink|Kühlfläche / cooling surface<br>beidseitig / two-sided||RthCH IGBT<br>RthCH Diode|typ.<br>typ.|1,5<br>3,0|K/kW<br>K/kW| |Kollektor- Emitter- Gleichspannung<br>DC- stability|Tvj=25°C, 100 fit||VCE D||2800|V| |Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature|||Tvj max||150|°C| |Betriebstemperatur<br>operating temperature|||Tvj op|-40…+150||°C| |Lagertemperatur<br>storage temperature|)* Gate cable limitation max. 80°C||Tstg|-40…+150 )*||°C| |**Mechanische Eigenschaften / mechanical properties**||||||| |Gehäuse, siehe Anlage||||Seite 5||| |case, see annex||||page 5||| |Anpresskraft<br>clamping force|||F|50…80||kN| |Steueranschlüsse|DIN 46244 Gate|DIN 46244 Gate||A 4,8x0,8||| |control terminals|Emitter|Emitter||A 6,3x0,8||| |Gewicht<br>weight|||G|typ.|3000|g| |Kriechstrecke<br>creepage distance|||||35|mm| |Luftstrecke|||||12|mm| |Clearance distance||||||| |Ebenheit der Kontaktflächen<br>Flatness of contact areas|ISO 1101||||30|µm| |Schwingfestigkeit<br>vibration resistance|f = 50 Hz||||50|m/s²| Revision:3.0 Seite/page: 4/12 Date of Publication: 2021-09-21 **==> picture [481 x 756] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> Technische Information /<br>technical information<br>oy aL_ Cinfineon=<br>Druckkontaktierter IGBT<br>Press Pack IGBT P2000DL45X168 GmbH& Co,<br>a msmerecoe<br>y<br>u<br>o D167 + 1<br>1<br>wy<br>ol<br>SSE =—_ =e<br>_ O125<br>bo +” 2<br>> S<br>gy—— oS<br>oS coaxial line<br>| | \ —<br>474+ 10<br>4 5<br>1 : Kollektor/colector<br> 2 : Emitter/emitter<br> 4 : Gate<br>1 2<br> 5 : Hilfsemitter/<br> emitter (control terminal)<br>Date of Publication: 2021-09-21 Revision:3.0<br>**----- End of picture text -----**<br> Seite/page: 5/12 ## **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ## **P2000DL45X168** ## **Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC / analytical elements of transient thermal impedance Z thJC** ||**analytical elements of transient thermal impedance Z thJC**|**analytical elements of transient thermal impedance Z thJC**|**analytical elements of transient thermal impedance Z thJC**|**analytical elements of transient thermal impedance Z thJC**|**analytical elements of transient thermal impedance Z thJC**|**analytical elements of transient thermal impedance Z thJCthJC**||| |---|---|---|---|---|---|---|---|---| |Pos. n||1|2|3|4|5|6|7| |IGBT<br>beidseitig<br>two-sided|Rthn<br>[K/kW]|1,1|3|2|0,5|||| ||[K/kW]<br>τn[s]|7|0,2|0,06|0,005|||| |Diode<br>beidseitig<br>two-sided|Rthn<br>[K/kW]|2,2|6|4|1|||| ||τn[s]|7|0,22|0,06|0,006|||| Analytische Funktion / analytical function: **==> picture [139 x 39] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> nmax<br>-t<br>Z thJC R thn 1 e n<br>n=1<br>**----- End of picture text -----**<br> **==> picture [492 x 293] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 14,0<br>a ee ee) ee ee ee eee ee el<br>a a De ee ee eee<br>pT TT A a Oe ee<br>12,0 pT Diode yyae<br>poaae ee TT IGBT ayy eee eT| eee<br>TT a OO aOG<br>10,0 po T ee yy T<br>pT OO<br>a ee ee ee eee<br>a 2 2eee<br>8,0 apoaa a eSeeeeeee eeTTeeee<br>6,0 a aaeeaen e ee ee<br>edpTTTee ee ee eee ee el<br>4,0 aaa eSeeee eeee eeee el<br>aa a|De)ee eeee)ee eeeee eee ee<br>a a De eo | 0 0 OO<br>2,0 eee<br>po A Or | OD<br>a OBee<br>as a a es a ee ee DD<br>eeenn ee ee eee eee<br>0,0<br>0,0001 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand für DC<br> transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC<br>Beidseitige Kühlung / two-sided cooling<br>[K/kW]<br>(th)JC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br> Revision:3.0 Seite/page: 6/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ~~a~~ ## **P2000DL45X168** **==> picture [482 x 268] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 3000<br>\A<br>Tvj=125°C P 7<br>. 7<br>Tvj=25°C<br>7 \7<br>Tvj=150°C ° 7<br>2000<br>4 aa<br>1000<br>- 7A<br>0<br>0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5<br>VCEsat [V]<br>Ausgangskennlinie IGBT,Wechselrichter (typisch)<br>output characteristic IGBT,Inverter (typical)<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br> IC=f(VCE) , VGE=15V **==> picture [466 x 251] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 7000<br>VGE=20V<br>VGE=19V<br>VGE=18V<br>6000 VGE=17V gg Beh7 me-_m<br>VGE=16V<br>VGE=15V<br>5000 VGE=14V ie° J of ° | — |<br>VGE=13V<br>VGE=12V ——, 7 a”<br>VGE=11V<br>4000 VGE=10V 07Se<br>VGE=9V - [-]<br>VGE=8V —_<br>3000<br>2000 g t 54e7<br>1000<br>0<br>0 1 2 3 4 5 6<br>VCE [V]<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br> **Ausgangskennlinie IGBT, Wechselrichter (typisch) output characteristic IGBT,Inverter (typical)** IC=f(VCE) , Tvj=150°C Revision:3.0 Seite/page: 7/12 Date of Publication: 2021-09-21 ## **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ## **P2000DL45X168** **==> picture [473 x 218] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 5000<br>Tvj=25°C<br>4500<br>Tvj=125°C<br>4000<br>Tvj=150°C<br>3500<br>3000<br>2500<br>2.<br>2000 ceoe |<br>Zs<br>1500<br>7<br>1000 - om<br>o-<br>-<br>-<br>500 =- - - ha<br>- -“ -<br>0<br>8 9 10 11 12 13 14<br>VGE [V]<br>[A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br> ## **Übertragungscharakteristik IGBT, Wechselrichter (typisch) transfer characteristic IGBT, Inverter (typical)** IC =f(VGE) VCE =12V **==> picture [427 x 294] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 16<br>Eon, Tvj=150°C<br>14 _— a a a a a a } of n=--"<br>= « Eon, Tvj=125°C _ oor”<br>12 —_ — Eoff, Tvj=150°C So —— TS _a_cect |<br>—— Eoff, Tvj=125°C _ -- -o*<br>10 ee ee ee ee | a ee ——— a_ oF--" a ee | ee es ee|<br>_ --—<br>8 ——_—_——. —_—_—. =pee— se ° ——_—_—. _——_—_——. —_—_—. =<br>— —_sso” °7 :<br>6<br>4<br>—s1-"<br>4<br>2<br>— a<br>0<br>500 700 900 1100 1300 1500 1700 1900<br>IC [A]<br>Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)<br>switching losses IGBT, Inverter (typical)<br>Eon =f(IC), Eoff=f(IC)<br>VGE= ±15V, RGon= 1,2Ω, RGoff=4,8Ω, VCE=2800V<br>E [J]<br>**----- End of picture text -----**<br> Revision:3.0 Seite/page: 8/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ## **P2000DL45X168** **==> picture [491 x 542] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 30<br>Eon [J] @125°C<br>Eon [J] @150°C<br>25 Eoff [J] @125°C<br>Eoff [J] @150°C<br>20<br>o<br>@<br>15 4a<br>CZ<br>Gi<br>7<br>10<br>4<br>5<br>0<br>0 2 4 6 8 10 12 14 16<br>Rg [Ω]<br>Schaltverluste IGBT, Wechselrichter (typisch)<br>switching losses IGBT, Inverter (typical)<br>Eon=f(RG), Eoff=f(RG)<br>VGE= ±15V, IC= 2000A, VCE= 2800V<br>5000<br>4000<br>Chip<br>Disc<br>3000<br>2000<br>1000<br>0<br>0 1000 2000 3000 4000 5000<br>VCE [V]<br>E [J]<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br> **Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT, Wechselrichter (RBSOA) Reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA)** IC=f(VCE) VCC≤ 3600V, VGE=±15V, RGoff= 7Ω, Tvj=150°C Revision:3.0 Seite/page: 9/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** ## **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ~~a~~ ## **P2000DL45X168** **==> picture [477 x 223] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 4000<br>Tvj=25°C<br>3000 Tvj=125°C<br>Tvj=150°C<br>2000<br>1000<br>0<br>0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4<br>VF [V]<br> [A]<br>F<br>I<br>**----- End of picture text -----**<br> ## **Durchlasskennlinie der Diode, Wechselrichter (typisch) Forward characteristic of Diode, Inverter (typical)** IF=f(VF) **==> picture [474 x 285] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 7,00<br>Erec [J]@150°C<br>6,00<br>Erec [J]@125°C<br>5,00<br>4,00<br>of<br>f<br>3,00 ef<br>of<br>oo<br>of<br>a<br>2,00<br>1,00<br>0,00<br>0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500<br>If (A)<br>Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)<br>switching losses Diode, Inverter (typical)<br>Erec=f(IF)<br>RGon=1.8Ω, VCE=2800V<br> (J)<br>rec<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br> Revision:3.0 Seite/page: 10/12 Date of Publication: 2021-09-21 **==> picture [523 x 699] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> Technische Information /<br>technical information<br>oy aL_ Cinfineon—_—<br>Druckkontaktierter IGBT<br>GmbH & Co, KG<br>Press Pack IGBT P2000DL45X168<br>a msmerecoe<br>7<br>Erec , Tvj=125°C<br>6 Erec , Tvj=150°C<br>5<br>4<br>3<br>2<br>0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5<br>Rgon [Ω]<br>Schaltverluste Diode, Wechselrichter (typisch)<br>Switching losses Diode, Inverter (typical)<br>Erec=f(RG)<br>IF=2000A, VCE=2800V<br>5000<br>4000<br>3000<br>2000<br>1000<br>0<br>0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000<br>VR [V]<br>Sicherer Arbeitsbereich Diode, Wechselrichter (SOA)<br>Safe operation area Diode, Inverter (SOA)<br>IR=f(VR) Tvj=150°C<br> [A]<br>R<br>I<br>[J]<br>rec<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br> Revision:3.0 Seite/page: 11/12 Date of Publication: 2021-09-21 **Technische Information / technical information** **Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT** ## **P2000DL45X168** ## **Nutzungsbedingungen** Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. ## **Terms & Conditions of usage** The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Revision:3.0 Seite/page: 12/12 Date of Publication: 2021-09-21
Updated at April 28, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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