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Illustrative purposes only
IKZ75N65NH5XKSA1
IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- No. of Pins: 3Pins
- Product Range: TRENCHSTOP 5
- Power Dissipation: 395W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 90A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.65V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 50 |
| Price | 2.65 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
## IGBT
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 2
IKZ75N65NH5
IKZ75N65NH5
**==> picture [481 x 219] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 2<br>fast and soft antiparallel diode<br>Features and Benefits:<br>C<br>High speed H5d technology offering<br>* Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in<br>combination with TRENCHSTOP 5<br>* Best-in-class efficiency in hard switching and resonant<br>topologies<br>¢ Plug and play replacement of previous generation IGBTs G K<br>* 650V breakdown voltage E<br>* Low gate charge Q G<br>¢ IGBT copacked with RAPID 2 fast and soft antiparallel diode<br>* Maximum junction temperature 175°C<br>* Qualified according to JEDEC for target applications<br>¢ Pb-free lead plating; ROHS compliant<br>*« Complete product spectrum and PSpice Models:<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Applications**
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IKZ75N65NH5|650V|75A|1.65V|175°C|K75ENH5|PG-TO247-4|
2
IKZ75N65NH5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
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IKZ75N65NH5
High�speed�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_C||90.0<br>75.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Cpuls||300.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs1)|-||300.0|A|
|Diodeforwardcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_F||95.0<br>73.0|A|
|Diodepulsedcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Fpuls||219.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,D<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||395.0<br>197.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
|**ThermalResistance**|||||
|**ThermalResistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**|**Max.Value**||**Unit**|
|**Characteristic**||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.38|K/W|
|Diode thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.46|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)|||40|K/W|
1) Defined by design. Not subject to production test.
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IKZ75N65NH5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.65<br>1.82<br>1.90|2.10<br>-<br>-|V|
|Diode forward voltage|_V_F|_V_GE=0V,_I_F=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.60<br>1.65<br>1.65|2.20<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=0.75mA,_V_CE=_V_GE|3.2|4.0|4.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>3300.0|75.0<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=75.0A|-|104.0|-|S|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|4300|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|130|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|16|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=15V|-|166.0|-|nC|
|Internal emitter inductance1)<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=27.0Ω,_R_G(off)=22.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|52|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|19|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|412|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|19|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.88|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.52|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.40|-|mJ|
1) The internal emitter inductance does not affect the gate control circuitry if bypassed by using the emitter sense pin.
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**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C**
|**DiodeCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|59|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|0.57|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|26.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-3580|-|A/µs|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=27.0Ω,_R_G(off)=22.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|48|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|23|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|468|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|17|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.28|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.54|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.82|-|mJ|
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�150°C**
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|41|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.23|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|37.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-8080|-|A/µs|
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**==> picture [474 x 659] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
PtAlTTEEE 400 NRT<br>350<br>100<br>RRR© pol Eee 300250 MN TPN\ TT]<br>if PA LTT oT ETE I \<br>10<br>CNT § IN<br>200<br>O ee<br>O a ee eeeee 0 150 Pt | Aff<br>eg ee x<br>1<br>ETT<br>100<br>TT | | |<br>SSeSPT TTT TTT 50 Ft TN\<br>not for linear use<br>0.1 [meee me 0 rT |] iN<br>ET<br>1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 175<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>Figure 1. Forward bias safe operating area Figure 2. Power dissipation as a function of case<br>( D =0, T C =25°C, T vj 175°C, V GE =15V, t p=1µs, temperature<br>I Cmax defined by design - not subject to ( T vj ≤ 175°C)<br>production test)<br>100 300<br>VGE = 19V<br>90 270 18V<br>P| | ft | See |<br>15V<br>80 240<br>14V<br>ef 70 pT |) 210 LE eee<br>11V<br>po oo}Ne | hy<br>60 180 9V<br>s UN Le<br>8V<br>ee 50 ee\ eee 150 anuwa<br>7V<br>ee ee ee ee<br>40 120<br>pf Ne LN 5V<br>30 90<br>8 \ 8 YaNp a<br>ee<br>20 60<br>ee ee), Oa<br>10 30<br>ee eeLene<br>po LIN<br>0 0<br>25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 3. Collector current as a function of case Figure 4. Typical output characteristic<br>temperature ( T vj=25°C)<br>( V GE ≥ 15V, T vj ≤ 175°C)<br>I C P tot<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
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**==> picture [232 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
300<br>VGE = 19V<br>Sy<br>270 17V<br>SSO / /<br>15V<br>240<br>11V<br>210<br>9V<br>5 180 8V Mf<br>150<br>3: a SWW//ff}<br>eB LK<br>© 120 [PPKV |<br>eee) 7474<br>O /<br>90<br>60 LeWh<br>fi)<br>30<br>0<br>LAT——_| itty<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 5. Typical ( _T_ vj=175°C)
**==> picture [7 x 8] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [215 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
300<br>Tvj = 25°C<br>270 Tvj = 175°C<br>eee jf<br>240<br>210<br>| | LT<br>180<br>150<br>| i i | ty<br>120 )<br>,<br>90<br>60<br>30<br>0 7<br>L eer|<br>3 4 5 6 7 8 9 10<br>V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V]<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 6. Typical ( _V_ CE=20V)
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
2.25 a | 1000 SS<br>IC = 20A aa<br>IC = 37.5A Essea ee ee<br>IC = 75A<br>Ss 2.00 eeee eee<br>8 a Oe<br>1.75<br>>: ea || | | |feaa<br>fe = 100 a<br>Da ul ee a seeneres reece<br>1.50<br>F ca a<br>bu = Ea a a ee ee ee ee ee<br>E O Po wt<br>ii 1.25 ef ef<br>ad J<br>10 a SS<br>2S) 1.00 et eee<br>a a a<br>(e) po<br>O a ee ee<br>° Pee ee ee ee ee eee<br>0.75 td(off)<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>0.50 1<br>PEt i FCCCere<br>25 50 75 100 125 150 175 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 7. Typical a function ( _V_ GE=15V)
Figure 8.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=27 Ω , _R_ G(off)=22 Ω , test circuit in Figure E)
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**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1000<br>td(off)<br>1000 — tf ee<br>H' ttd(on)r ————— ee eeee<br>1 a=a a<br>—— — ee<br>re ae ee<br>2= G e,SS 100 Ee<br>Yn 9) a eeee<br>100<br>a ES Ss a a a a es ee<br>- a a a a a a re ee ee ee<br>Qa og<br>> a a Se ee<br>a a a ee<br>Seie ee eeeenoe<br>10<br>” 10 ee ” a<br>_——— —— —— — — — — —— a<br>a a a a a ee<br>a — td(off) a ae ae a<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>a f=<br>1 1<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>t t<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 9. Typical switching times as a **resistance** (inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =37.5A, _V_ Dmax ≤ 650V, test circuit in Figure E)
Figure 10.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =37.5A, _R_ G(on)=27 Ω , _R_ G(off)=22 Ω , test circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
6.0 9<br>typ. Eoff<br>5.5 min.max. 8 EEonts<br>- FL LLL] FLU<br>LU Y<br>5.0<br>7<br>4.5<br>a 2) 6 ‘ 7 r<br>4.0<br>5<br>3.5<br>~ ~. 4<br>Lu 3.0 Tete) SS 9 / V4<br>3<br>2.5<br>Bop<x 2.0 ss n 2 LeUe<br>1.5 1<br>ne<br>1.0 0<br>25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>E<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 11. Gate-emitter threshold ( of _I_ C=0.75mA) junction temperature
Figure 12.
(inductinductive “load, collector _T_ vj = Sanrent, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=27 Ω , _R_ G(off)=22 Ω , dynamic test circuit in Figu
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**==> picture [474 x 331] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
3.0 2.0<br>Eoff Eoff<br>Eon 1.8 Eon<br>Ets Ets<br>a<br>2.5<br>oy B T) oy 1.6 e ee<br>Ee ee<br>1.4<br>Wwo7)Bot 2.0 ; er. | Ww7) .<br>g o cect<br>oid _I 1.2 Lc<br>—!> Ppp pple? Per é> | |ft)erpee<br>pe [PTR<br>WworZ 1.5 ’aa; TP Terepete = aoe oruwZ 1.0 | _-T"|ler]= wje-<br>0.8<br>oOZzSeteefieyeetcoa PeZzoO beep |tT<br>1.0<br>e | 0.6<br>[Lt<br>= Tt ter]iw —<br>*" | | & jf<br>0.4<br>0.5<br>[ETT ||eer yy] ® - +4—<br>p tr]| | tt 0.2<br>P TET<br>0.0 0.0<br>T TTT) Et | | |<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>Figure 13. Typical switching energy losses as a Figure 14. Typical switching energy losses as a<br>function of gate resistance function of junction temperature<br>(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,=400V, (inductive load, V CE =400V, V GE=0/15V,=0/15V,<br>V GE =0/15V, I C =37.5A, V Dmax ≤ 650V, dynamic I C =37.5A, R G(on)=27=27 Ω , R G(off)=22=22 Ω , dynamic<br>test circuit in Figure E) test circuit in Figure E)<br>E E<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [474 x 319] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,=400V, (inductive load, V CE =400V, V GE=0/15V,=0/15V,<br>V GE =0/15V, I C =37.5A, V Dmax ≤ 650V, dynamic I C =37.5A, R G(on)=27=27 Ω , R G(off)=22=22 Ω , dynamic<br>test circuit in Figure E) test circuit in Figure E)<br>2.00 16<br>Eoff VCE = 130V<br>Eon VCE = 520V<br>1.75 Ets 14<br>El till) Eo tly<br>= Va<br>Sye 5 Vi ¢<br>1.50 12<br>Q3 FE: L<br>e)a 1.25 . -- < (e)a 10 /,<br>ow ac im<br>Wwpe 1.00 bep |Leert— dei 8 LL |A|<br>Z wle- E | 7 ;<br>0.75 6<br>EeO <xOo<br>= 0.50 el . 4 /<br>“Ley 0.25 2<br>TT TT} Uvyd ee<br>0.00 0<br>200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] Q G , GATE CHARGE [nC]<br>GE<br>V<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15.
Figure 16. Typical ( _I_ C=75A)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =37.5A, _R_ G(on)=27 Ω ; _R_ G(off)=22 Ω , test circuit in Figure E)
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IKZ75N65NH5
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**----- Start of picture text -----**<br>
Cies AB AE A<br>1E+4 Coes<br>Cres<br>ca e a<br>e e<br>0.1 ll ee a D = 0.5<br>poS SS S 55 a en i5fr¢ WIAlili all 0.2<br>_i raWw SeI at a Zt 0.1 Baul<br>0.05<br>c= 1000 ee ee ee oO FH ee He oF<br>0.02<br>==<br>& = YY LL<br>py = ee esotal 0.01<br>E a $ 2997 in mR<br>o Fa i Lh eel single pulse<br>s fom}~ -<br>Oooa Fe ee ee+ +— 5 0.01 NAAT7041) 00TTI TTT<br>Bo EEE<br>100<br>6 A / 2<br>SSSee a 2 Cai)TnI| aiCOTE Coatl Cia ee -- ||<br>es ee ee PAE i: 1 CT 2 3 TIT 4 TT 5 6 LT<br>ri[K/W]: 0.010336 0.078242 0.081139 0.196217 0.015938 1.8E-3<br>τ i[s]: 2.8E-5 2.3E-4 2.3E-3 0.013145 0.113481 1.869237<br>10 0.001<br>0 5 10 15 20 25 30 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] t p , PULSE WIDTH [s]<br>Figure 17. Typical capacitance as a function of Figure 18. IGBT transient thermal impedance<br>collector-emitter voltage ( D = t p/T)<br>( V GE =0V, f=1MHz)<br>80<br>PT TE Ee<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5Avj = 25°C, IF = 37.5A = 25°C, IF = 37.5AF = 37.5A = 37.5A<br>Tvj = 150°C, IF = 37.5Avj = 150°C, IF = 37.5A = 150°C, IF = 37.5AF = 37.5A = 37.5A<br>Ss a 70 TS<br>Ss Plbatt| biel LetteLA |||Hf ry]<br>D = 0.5 z<br>at 60 Cd<br>0.1 0.2<br><x er a uw L |<br>0.1<br>HW8S FOEne)2 0.05 ee 2 50 |<br>7 HT a 0.02 iTT oe<br>grad 0.01 TW 8 40<br>6 ectAe single pulse ll TTT<br>Se carmel 30<br>0.01<br>a (00<br>n PotATT >Ww<br>2 A re z ll) | 6<br>WwW pa o 20 PP] ft fd<br>< eT An ET “ ti) o«<br>oe YT TA TET | -<br>. PEL LTE TT cies co=taiee _ Ill<br>PATE CUT TAITTTT 10<br>i: 1 2 3 4 5 6 7<br>ri[K/W]: 3.1E-4 0.01435 0.09435 0.09881 0.22828 0.01967 2.0E-3<br>τ i[s]: 1.0E-5 3.0E-5 2.2E-4 2.2E-3 0.01247 0.10291 1.85641<br>0.001 0<br>1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1 1000 1500 2000 2500 3000<br>t p , PULSE WIDTH [s] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Figure 19. Diode transient thermal impedance as a Figure 20. Typical reverse recovery time as a function<br>function of pulse width of diode current slope<br>( D = t p/T) ( V R=400V)<br>C<br>c)th(j-<br>Z<br>t rr<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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80<br>Ee<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5Avj = 25°C, IF = 37.5A = 25°C, IF = 37.5AF = 37.5A = 37.5A<br>Tvj = 150°C, IF = 37.5Avj = 150°C, IF = 37.5A = 150°C, IF = 37.5AF = 37.5A = 37.5A<br>70 TS<br>ry]<br>z<br>60 Cd<br>uw L |<br>2 50 |<br>oe<br>8 40<br>30<br>Ww>Ww<br>6<br>o 20 PP] ft fd<br>o«<br>-<br>10<br>0<br>1000 1500 2000 2500 3000<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>t rr<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IKZ75N65NH5
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1.8 70<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5A Tvj = 25°C, IF = 37.5A<br>Tvj = 150°C, IF = 37.5A Tvj = 150°C, IF = 37.5A<br>1.6<br>60<br>nL 1.4 k<br>Ww ce<br>: : E R R<br>ina w 50 ae<br><x 1.2 w uc<br>L 5 o-<br>40<br>1.0<br>or eo<br>ett 0.8 Lyeg 30 bet| TT<br>i ow | ee<br>ow 0.6 ———j W<br>pigefi —— —S 20 Eee<br>0.4<br>mf i |i ls 10 PTE y TPP<br>; 0.2 Pf fet LL<br>0.0 0<br>1000 1500 2000 2500 3000 1000 1500 2000 2500 3000<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Q rr I rr<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 21.
( _V_ R=400V)
Figure 22.
( _V_ R=400V)
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**----- Start of picture text -----**<br>
0 200<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5A Tvj = 25°C<br>Tvj = 150°C, IF = 37.5A 180 Tvj = 175°C<br>nD -2 eeS S ee ee [r][e] /<br>~ 160<br>]<br>eK Py) E e Ae<br>-4<br>:Pt Sy - 140 |||| tat<br>E /<br>4 |<br>-6<br>PP [owe] 120<br>2 pL | | | fe<br>ns N &<br>: fe fo<br>-8 100<br>Ee — NS<br>w .he NY (a)o~ i/<br>y more $ 80 /<br>-10<br>o S O<br>uw: : S ee)re 60 ee<br>-12<br>40<br>; -14 ef fit ii Pe<br>20<br>-16 0<br>PTET LTTE ) Lhe ey<br>1000 1500 2000 2500 3000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] V F , FORWARD VOLTAGE [V]<br>I rr<br>I F<br>/dt<br>rr<br>dI<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 23.
Figure 24.
( _V_ R=400V)
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IKZ75N65NH5
||1.75<br>2.00||IF= 20A<br>IF= 37.5A<br>IF= 75A<br>~~PS~~|IF= 20A<br>IF= 37.5A<br>IF= 75A<br>~~PS~~|IF= 20A<br>IF= 37.5A<br>IF= 75A<br>~~PS~~|= 20A<br>= 37.5A<br>= 75A|= 20A<br>= 37.5A<br>= 75A||||7|7||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|Lu<br>Oo|1.50|||||||||||||
|<x<br>Kk<br>—||||||||||||||
|>||||||||||||||
|Q|1.25|||||||||||||
|m4||||||||||||||
|<x||||||||||||||
|_V_F|0.75<br>1.00||Baa|||||||||||
||0.50|||||||||||||
|||25|||50||75||100|125|150|175||
||||||_T_vj|,JUNCTION|JUNCTION|JUNCTION|TEMPERATURE|TEMPERATURE|[°C]|||
Figure 25.
13
IKZ75N65NH5
High�speed�series�fifth�generation
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## 89:;<=>?:>
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Rev.�2.1,��2014-10-31
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High�speed�series�fifth�generation
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v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE t<br>i C (t)<br>90% I C 90% I C<br>10% I C 10% I C t<br>v CE (t)<br>t<br>t d(off) t f t d(on) t r<br>v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE<br>t<br>i C (t)<br>2% I C t<br>v CE (t)<br>t 2 t 4<br>E off [=] V CE x I C x d t E on [=] V CE x I C x d t<br>t 1 t 3 2% V CE t<br>t 1 t 2 t 3 t 4<br>**----- End of picture text -----**<br>
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CC<br>parasitic<br>relief<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Rev.�2.1,��2014-10-31
IKZ75N65NH5
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## High speed series fifth generation
## Revision History
## IKZ75N65NH5
Revision: 2014-10-31, Rev. 2.1
|Previous Revision|Previous Revision||
|---|---|---|
|Revision|Date|Subjects(major changes since last revision)|
|1.1|2014-10-17|Preliminarydata sheet|
|2.1|2014-10-31|Final data sheet|
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Rev. 2.1, 2014-10-31
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