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Illustrative purposes only
IKZ75N65ES5XKSA1
IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.42V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
- MSL: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 4Pins
- Product Range: TRENCHSTOP 5
- Power Dissipation: 395W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 80A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.42V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 250 |
| Price | 2.8 € |
| Current stock | 100+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
## IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
## TRENCHSTOP[TM]
**==> picture [129 x 106] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
« Very Low V CEsat , 1.42V at<br>¢ Plug and play replacement<br>* 650V breakdown voltage<br>G<br>* Low gate charge Q<br>¢ IGBT copacked with full<br>* Maximum junction<br>* Qualified according to<br>¢ Pb-free lead plating; ROHS<br>*« Complete product spectrum<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Applications:**
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IKZ75N65ES5|650V|75A|1.42V|175°C|K75EES5|PG-TO247-4|
Datasheet www.infineon.com
2017-04-26
IKZ75N65ES5
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
2
V�2.1 2017-04-26
Datasheet
IKZ75N65ES5
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax1)<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_C||80.0<br>80.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax|_I_Cpuls||300.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs|-||300.0|A|
|Diodeforwardcurrent,limitedby_T_vjmax1)<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_F||80.0<br>80.0|A|
|Diodepulsedcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax|_I_Fpuls||300.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,_D_<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||395.0<br>197.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
|**ThermalResistance**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**RthCharacteristics**|||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-C)||-|-|0.38|K/W|
|Diode thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-C)||-|-|0.46|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)||-|-|40|K/W|
1) value limited by bondwire
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Datasheet
IKZ75N65ES5
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=125°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-<br>-|1.42<br>1.55<br>1.65|1.75<br>-<br>-|V|
|Diode forward voltage|_V_F|_V_GE=0V,_I_F=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=125°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-<br>-|1.50<br>1.48<br>1.45|1.75<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=0.75mA,_V_CE=_V_GE|3.2|4.0|4.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>3000|50<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=75.0A|-|100.0|-|S|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|4500|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|130|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|17|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=15V|-|164.0|-|nC|
|Internal emitter inductance<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=22.3Ω,_R_G(off)=22.3Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|46|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|25|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|405|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|22|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.30|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|1.50|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|2.80|-|mJ|
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Datasheet
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IKZ75N65ES5
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=22.3Ω,_R_G(off)=22.3Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|43|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Rise time|_t_r||-|17|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|430|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|19|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.60|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.50|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.10|-|mJ|
|**DiodeCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=75.0A,<br>_di_F_/dt_=2500A/µs|-|72|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.40|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|39.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-700|-|A/µs|
||||||||
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=2500A/µs|-|47|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.00|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|36.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-1300|-|A/µs|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=22.3Ω,_R_G(off)=22.3Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|42|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|28|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|450|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|25|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.70|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|1.90|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|3.60|-|mJ|
||||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=22.3Ω,_R_G(off)=22.3Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|38|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|18|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|480|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|36|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.00|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.70|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.70|-|mJ|
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Datasheet
5
IKZ75N65ES5
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�150°C**
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=75.0A,<br>_di_F_/dt_=2500A/µs|-|115|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|4.00|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|64.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-800|-|A/µs|
||||||||
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=2500A/µs|-|85|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|2.80|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|60.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-1100|-|A/µs|
6
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Datasheet
IKZ75N65ES5
## ~~—softswithingIGBT~~ TRENCHSTOP[TM] B =
**==> picture [474 x 285] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
400 90<br>360 MPEP 80<br>te ty Et<br>320 pNP 70 A<br>280<br>ei \) | ye 60 |<br>240<br>2a Pp<br>50<br>pt 200 SnEe Seeeeie<br>40<br>ei} INXU dg8 Ppp yy<br>160<br>30<br>BN Fe<br>120<br>20<br>8040 PPeeNT 10 ELet<br>0 0<br>25 PP 50 PP 75 100 125 PIN 150 175 25 Ei 50 75 100 125 150 175<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>P tot I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
> Figure 1. Power **temperature** ( _T_ vj ≤ 175°C)
Figure 2. Collector current as **temperature** ( _V_ GE ≥ 15V, _T_ vj ≤ 175°C)
**==> picture [469 x 285] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
225 225<br>VGE = 20V VGE = 20V<br>200 18V 200 18V<br>15V 15V<br>175 PAP 175 nw 7<br>12V 12V<br>\ fi \ HZ<br>10V 10V<br>150 150<br>8V 8V<br>125 7V 125 7V<br>6V 6V<br>100 100<br>5V 5V<br>75 75<br>50 50<br>25 25<br>0 0<br>0 D 1 AME 2 3 4 5 p e 0 [e] 1 [e] 2 3 [e] 4 5<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 3. Typical ( _T_ vj=25°C)
Figure 4. Typical ( _T_ vj=175°C)
Datasheet
7
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IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
**==> picture [475 x 287] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
225 3.0<br>Tvj = 25°C IC = 37.5A<br>Tvj = 150°C IC = 75A<br>200 IC = 150A<br>eo Tr | 2.5 Ey]<br>zm veo<br>175 i 2= weta<br>5 150 P 2.0 an<br>125<br>3 i 1.5 ---7<br>: 100<br>|| la<br>75 1.0<br>“. =<br>50<br>:<br>i| 6<br>0.5<br>25<br>0 0.0<br>0 2 4 6 8 10 25 50 75 100 125 150 175<br>V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>I C<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 5. Typical ( _V_ CE=20V)
Figure 6. Typical a function ( _V_ GE=15V)
**==> picture [471 x 330] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
td(off) td(off)<br>tf 1000 tf<br>ed td(on) td(on)<br>1000 tr tr<br>i a ee ee<br>a SC po ee<br>a a ee ee eee<br>a es ee ee eee<br>ef ~| |]. | | | | fl he S<br>100<br>Bp a Re<br>100<br>r<br>a<br>iS) a a a re r a ee ee eeee<br>Z ees Se ee ee ee eee eee<br>a ee ge ee areata eee a ee ee ee eee<br>eg<br>ee 10 ee<br>10<br>es ee ee ee —_———<br>a SC a<br>a ee ee ee ee ee ee a<br>PF | | | tl | | re ee ee ee ee ee<br>1 1<br>0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 10 15 20 25 30 35 40<br>I C , COLLECTOR CURRENT [A] R G , GATE RESISTANCE [ Ω ]<br>Figure 7. Typical switching times as a function of Figure 8. Typical switching times as a function of<br>collector current resistance<br>(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V, (inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,<br>V GE =0/15V, R Gon=22,3 Ω , R Goff=22,3 Ω , V GE =0/15V, I C =75A, dynamic test circuit in<br>dynamic test circuit in Figure E) Figure E)<br>t t<br>**----- End of picture text -----**<br>
8
Datasheet
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IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
**==> picture [234 x 286] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
6<br>typ.<br>min.<br>max.<br>ao<br>Ww 5 E<br>aetL<br>oO i<br>4<br>leo oS =<br>o yA<br>ie) ~~<br>Lu<br>= 3 ss oo —<br>~ |<br>w —<br>2<br>=<br>in —<br>TT] ~<br>=<br>oO<br>~<br>1<br>0<br>25 50 75 100 125 150<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [249 x 274] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
td(off)<br>1000 tf<br>1 | ttd(on)r a es<br>| a= a a aeeeC)eees eeeee Ww<br>a ee ee eee oO<br>Wwe 100 |a es| | | leo<br>= a ie)<br>= a es Lu<br>5 a a<br>> pop t--~--+---~~}-~~~~ fd =<br>Sa a<br>0 bet bopoopeSpSesre) w<br>ne<br>2) 10 in<br>eea es TT]<br>a a =<br>po oO<br>po<br>1<br>25 50 75 100 125 150 175<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>t<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 9.
Figure 10.
**==> picture [471 x 330] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
(inductive load, V CE =400V, V GE=0/15V, ( I C=0.75mA)<br>I C =75A, R Gon=22,3 Ω ; R Goff=22,3 Ω , dynamic<br>test circuit in Figure E)<br>14 7<br>Eoff Eoff<br>Eon Eon<br>Ets Ets<br>12 6<br>—_ // — 7 4<br>7 / 7 Y<br>& 7 = Yo<br>op) 10 é op) 5 Z<br>Lu 7 Ww Yo<br>7) / 7)<br>(op) 7 ” a<br>Sg> 8 c/ Sg 4 “<br>O/ O 7<br>w 7 ow “A<br>Zz / Zz L S<br>6 3<br>© / va 0 a <<br>: 4 LeUe —_ Le |e 2 bh otie<br>-<br>j / “apeva —_ -7 |ae [LS] a<br>2 1<br>0 0<br>0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 10 15 20 25 30 35 40 45 50<br>I C , COLLECTOR CURRENT [A] R G , GATE RESISTANCE [ Ω ]<br>E E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 11.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ Gon=22,3 Ω ; _R_ Goff=22,3 Ω , dynamic test circuit in Figure E)
Figure 12.
**==> picture [151 x 29] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,<br>V GE =0/15V, I C =75A, dynamic test<br>Figure E)<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Datasheet
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IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
**==> picture [474 x 286] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
4.0 5.0<br>Eoff Eoff<br>Eon 4.5 Eon<br>3.5 | Ets Ets<br>: 4.0<br>3.0 LT |, e y | | | lew<br>Lu “7 Lu 3.5 ,<br>7) 7) “<br>2) 2) “<br>; 2.5 ovr] | ; :<br>—! —! 3.0<br>><br>OO “<br>2.0 2.5<br>a a<br>2.0<br>oe2 1.5 _ iV) aeyaa —<br>g a ae -_ Zz > ———— —<br>—-p Bee<br>1.5<br>1.0<br>1.0<br>0.5<br>0.5<br>0.0 0.0<br>25 50 75 100 125 150 175 200 250 300 350 400 450 500<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>E E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 13.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =75A, _R_ Gon=22,3 Ω , _R_ Goff=22,3 Ω , test circuit in Figure E)
Figure 14.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =75A, _R_ Gon=22,3 Ω , _R_ Goff=22,3 Ω , test circuit in Figure E)
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16 a<br>= V CC Cies<br>V CC 1E+4 F Coes TI,<br>14 Cres<br>- —_+— |<br>a ee e e<br>> 12 J)y | H a e T<br>m<br>: Yi ee eee e<br>F 10 | es<br>1000<br>few / Zz2eespTks ee<br>nT / < a<br>E 8 FE PX<br>E TY, | a<br>Lua 6 qH oOa (as ~~<br>100<br>- ET<br>4 | aa<br>a<br>Neeeee<br>2 a ee ee<br>0 10<br>0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0 5 10 15 20 25 30<br>Q GE , GATE CHARGE [nC] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>C<br>GE<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15. Typical ( _I_ C=75A)
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Figure 16.<br>( V GE<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Datasheet
2017-04-26
IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
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1 a 1 TT<br>| | | | | | |<br>PT TT TT PTT PT TT TT TT<br>En |<br>PIT PT PT PT TT PT<br>= A = A<br>Sach: = I etl<br>rm OE a ae rm HS ae<br>(Uli AT VA<br>D = 0.5 D = 0.5<br>uwoaal= 0.1 7SReTCCaee= CTPSTimera ZAllinn| cH 0.2 atTOeTIT A Titi TtUI) Tit uwoaal | 0.1 2Seea)OeIILeentla7eemea 0.2 etaa AAoT||Ilea<br><4 V4 A 0.1 aa | eT Ae 0.1 1|<br>0.05 0.05<br>z MBE iors Ait LEM Tt <= 20 CT TT<br>0.02 0.02<br>Ww a Seana ETM TTT) B20 0|<br>0.01 0.01<br>A Ww M,<br>= U/ Tn single pulse [ITN | TE single pulse I Tl<br>WwW 0.01 iceet a 0.01 20<br>icp) 27 WwW AAS ect ert Ht<br>z© PZ A i| ) | | RmlWil icp)Zz a|7 |) Relliat<br>- S|AIT TT| 1 ~~ Illi© PARE | | | 1 ~~ [ll|<br>a l CUTIE UTTTNE TT ETTE | opti Ste el<br>PY TALI i: UI 1 CEI 2 VT 3 4 EITC 5 PY TIAMAT i: 1 CAE 2 VT 3 4 ETI 5<br>ri[K/W]: 0.055187 0.066217 0.032994 0.047784 0.16907 ri[K/W]: 0.026043 0.055146 0.065162 0.107057 0.1792<br>τ i[s]: 2.7E-5 2.5E-4 1.8E-3 0.010969 0.049264 τ i[s]: 7.0E-6 7.9E-5 6.8E-4 7.0E-3 0.103035<br>0.001 0.001<br>1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1 1 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1 1<br>t p , PULSE WIDTH [s] t p , PULSE WIDTH [s]<br>Figure 17. IGBT transient thermal impedance Figure 18. Diode transient thermal impedance as a<br>( D = t p/T) function of pulse width<br>( D = t p/T)<br>180 5.0<br>Tvj = 25°C, IF = 75A Tvj = 25°C, IF = 75A<br>160 Tvj = 150°C, IF = 75A 4.5 Tvj = 150°C, IF = 75A<br>Se ; a 4.0<br>140<br>Ww N 3.5<br>120<br>.3<br>3.0<br>e | sf TT<br>: 100<br>~ 3<br>g s BP 2.5<br>80<br>: = et] tT<br>2.0<br>é Lu<br>BN |<br>60<br>9)é a | g3 _<br>So pf 1.5<br>| 40 SEO eee<br>1.0<br>20 PF ff | 0.5<br>0 0.0<br>2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>c)th(j- c)th(j-<br>Z Z<br>t rr<br>rr<br>Q<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 19. Typical of diode ( _V_ R=400V)
Figure 20.
( _V_ R=400V)
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Datasheet
2017-04-26
IKZ75N65ES5
## TRENCHSTOP[TM]
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110 0<br>Tvj = 25°C, IF = 75A Tvj = 25°C, IF = 75A<br>100 Se Tvj = 150°C, IF = 75A -500 — Tvj = 150°C, IF = 75A<br>vo ry SN<br>< 90 |4 x= 1000 \ N<br>7<br>; -1500 Ko<br>a 80 ; “ts4 |S \<br>-2000<br>a 70 4 0 S<br>-2500<br>d ; rae NN<br>Oo N<br>wanna aaeeN<br>60<br>BL ae ef -3000 LN<br>pf 50 Urf<br>-3500<br>: = 2a eeN<br>pe {omWw<br>40<br>-4000<br>30 Tt] tt | 8, -4500 |<br>20 -5000<br>2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Figure 21. Typical reverse recovery current as a Figure 22. Typical diode peak rate of fall of reverse<br>function of diode current slope recovery current as a function of diode<br>( V R=400V) current slope<br>( V R=400V)<br>225 2.50<br>Tvj = 25°C IF = 37.5A<br>Tvj = 150°C IF = 75A<br>EU)<br>200 2.25 IF = 150A<br>i |) Ep<br>175<br>2.00<br>150<br>a / Ww 1.75<br>“ EFg<br>a 125 fe)<br>.<br>QQ 1.50<br>a<br>100 g<br>ao 1.25<br>75<br>1.00<br>50<br>0.75<br>25<br>0 0.50<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 25 50 75 100 125 150 175<br>V F , FORWARD VOLTAGE [V] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>I rr<br>I rr<br>/dt<br>rr<br>dI<br>I F V F<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 23.
Figure 24.
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Datasheet
2017-04-26
IKZ75N65ES5
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## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Package Drawing PG-TO247-4**
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V�2.1 2017-04-26
Datasheet
IKZ75N65ES5
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## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Testing Conditions**
**==> picture [252 x 588] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
V GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE t<br>I C (t)<br>90% I C 90% I C<br>10% I C 10% I C<br>t<br>V CE (t)<br>t<br>t d(off) t f t d(on) t r<br>Figure A.<br>V GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE<br>t<br>I C (t)<br>2% I C t<br>V CE (t)<br>t 2 t 4<br>E off [=] V CE x I C x d t E on [=] V CE x I C x d t<br>t 1 t 3 2% V CE<br>t<br>t 1 t 2 t 3 t 4<br>Figure B.<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [189 x 170] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
I,V<br>dI F /dt Qt rrrr== Qt aa++ tQ b b<br>a b<br>Q a Q b<br>dI<br>Figure C. Definition of diode switching<br>characteristics<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [7 x 7] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
t<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [169 x 63] intentionally omitted <==**
Figure D.
**==> picture [7 x 4] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
CC<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure E. **Dynamic test circuit** Parasitic inductance Ls, parasitic capacitor Cs, relief capacitor C ,r (only for ZVT switching)
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V�2.1 2017-04-26
Datasheet
IKZ75N65ES5
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## TRENCHSTOP[TM] �5�soft�switching�IGBT
## **Revision�History**
IKZ75N65ES5
## **Revision:�2017-04-26,�Rev.�2.1**
|Previous Revision|Previous Revision||
|---|---|---|
|Revision|Date|Subjects(major changes since last revision)|
|2.1|2017-04-26|Final data sheet|
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V�2.1 2017-04-26
Datasheet
## party.
## **Warnings**
Updated at June 9, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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