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Illustrative purposes only
IKZ75N65EL5XKSA1
IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 4Pins
- Product Range: TRENCHSTOP 5
- Power Dissipation: 536W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 100A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.1V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 250 |
| Price | 3.12 € |
| Current stock | 100+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
## IGBT
TM CE(sat) IGBT in TRENCHSTOP _ 5 technology copacked with RAPID 1
## IKZ75N65EL5
CE(sat)
IKZ75N65EL5
**==> picture [466 x 270] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
CE(sat)<br>TM<br>Low V CE(sat) IGBT in TRENCHSTOP_ 5 technology copacked with RAPID 1<br>fast and soft antiparallel diode<br>Features and Benefits:<br>C<br>Low V CE(sat) L5 technology offering<br>* Very low collector-emitter saturation voltage V CEsat<br>¢ Best-in-Class tradeoff between conduction and switching losses<br>¢ 650V breakdown voltage<br>* Low gate charge Q G<br>* Maximum junction temperature 175°C G K<br>* Qualified according to JEDEC for target applications E<br>* Pb-free lead plating<br>* RoHS compliant<br>¢« Complete product spectrum and PSpice models:<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>Applications:<br>¢ Uninterruptible power supplies 7 4:<br>**----- End of picture text -----**<br>
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IKZ75N65EL5|650V|75A|1.1V|175°C|K75EEL5|PG-TO247-4|
2
IKZ75N65EL5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
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IKZ75N65EL5
Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax1)<br>_T_C=25°C<br>_T_C=100°C|_I_C||100.0<br>100.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax2)|_I_Cpuls||300.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs2)|-||300.0|A|
|Diodeforwardcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_F||90.0<br>89.0|A|
|Diodepulsedcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax2)|_I_Fpuls||300.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,D<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||536.0<br>268.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,3)<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
## **Thermal�Resistance**
|**ThermalResistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**|**Max.Value**||**Unit**|
|**Characteristic**||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.28|K/W|
|Diode thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.46|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)|||40|K/W|
1) Both values limited by bondwires.
2) Defined by design. Not subject to production test.
3) Package not recommended for surface mount applications.
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IKZ75N65EL5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.10<br>1.11<br>1.12|1.35<br>-<br>-|V|
|Diode forward voltage|_V_F|_V_GE=0V,_I_F=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.40<br>1.42<br>1.40|1.70<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=1.00mA,_V_CE=_V_GE|4.2|5.0|5.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=150°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>1000.0<br>5000.0|40.0<br>-<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=75.0A|-|155.0|-|S|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|12100|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|150|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|42|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=15V|-|436.0|-|nC|
|Internal emitter inductance1)<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=23.0Ω,_R_G(off)=4.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|120|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|23|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|275|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|50|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.57|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|3.20|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|4.77|-|mJ|
> 1) The internal emitter inductance does not affect the gate control circuitry if bypassed by using the Kelvin emitter pin.
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IKZ75N65EL5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C**
|**DiodeCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=75.0A,<br>_di_F_/dt_=2000A/µs|-|59|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.30|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|37.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-2400|-|A/µs|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=23.0Ω,_R_G(off)=4.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=30pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|106|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|27|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|330|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|144|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|2.12|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|5.10|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|7.22|-|mJ|
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�150°C**
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=75.0A,<br>_di_F_/dt_=2000A/µs|-|79|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|2.86|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|57.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-1950|-|A/µs|
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CE(sat)
**==> picture [235 x 281] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
100<br>_xaa ee<br>- ee<br>2 7 I EET I<br>e 10 CUI<br>0 CAM<br>w Ee<br>So ee<br>a Eeeeee ein<br>O aeee<br>4S LL TTT TT<br>i<br>; 1<br>ee<br>a eeeee et<br>a<br>not for linear use<br>ee ierim<br>0.1<br>1 10 100 1000<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 1. Forward bias safe operating area<br>( D =0, T C =25°C, T vj 175°C, V GE = =15V, t p=1µs,<br>I Cmax defined by design - not subject to<br>production test)<br>I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [233 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
540<br>480<br>420<br>=<br>= 360 Nee<br>300<br>me LP NE<br>X<br>io,<br>8 240 \<br>Ps<br>180<br>ee 120<br>\<br>60 Pf= ff | INKY<br>0<br>25 50 75 100 125 150 175<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>
> Figure 2. Power **temperature** ( _T_ vj ≤ 175°C)
**==> picture [472 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
110 225<br>100 ee ee ee<br>200<br>90<br>pf | t N 175 VGE=18V Zina<br>7 Hi)<br>80<br>P| ft | 14V edinA<br>150<br>e 70 | |TN 11V al<br>oet]se] 60 |TEaaao 125 10V ae4|<br>8V<br>fe)aoFE 50 | | | \ fe)igsaoFE 100 6V pi/ | |<br>WwWee:WwW |<br>a 40 a 5V |<br>75<br>30<br>50<br>20<br>P| ft | ty ————<br>ee 25 |Ae<br>10<br>0\<br>0 0<br>Se [J<br>25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 3. Collector current as **temperature** ( _V_ GE ≥ 15V, _T_ vj ≤ 175°C)
Figure 4. Typical ( _T_ vj=25°C)
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IKZ75N65EL5
CE(sat)
**==> picture [469 x 302] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
225 220<br>T vj<br>200 ee 200 --- T vj Ld = 150°C<br>4 | A ee ee ie<br>180<br>175 VGE = 20V Aly)<br>160<br>: 18V ain Pt<br>5 150 7 Anne:<br>im 15V ALA ee 140<br>aa / im<br>E / aa<br>125 12V 7) Hf} 5 120<br>5 Va et | | tL lh<br>10V<br>:6 100 8V ZW)Pie =<jes 100 [tt tip<br>: | |<br>hee BP 80<br>7V<br>A 75 YL7) =a [<br>6V 60<br>50<br>5V<br>40<br>25<br>20<br>— —| |). ffi<br>p A N<br>0 0<br>| L e<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3 4 5 6 7 8 9<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 5. Typical output characteristic Figure 6. Typical transfer characteristic<br>( T vj=175°C) ( V CE=20V)<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1.4<br>I C =16A td(off)<br>_ 1.3 Fr — II CC | | | | 1000 UL r e ttfd(on)<br>z a a tr r y<br>fe) 1.2 a a ee e<br>1.1<br>race 57eeec EEL]| [Pre<br>1.0 100<br>o Ww a ee ee eee eee eee ee<br>- = po<br>= 0.9 prot tt ff | =9 eeaaee a<br>0.8<br>uwckee 0.7 a eee SG° 10 [opera a SS SS| | es| es<br>oO a<br>oO a<br>~ 0.6 a eeee<br>0.5<br>0.4 1<br>25 50 75 100 125 150 175 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 7. Typical a function ( _V_ GE=15V)
Figure 8.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=23 Ω , _R_ G(off)=4 Ω , test circuit in Figure E)
8
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CE(sat)
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1000<br>td(off)<br>! tf a a ee [_<br>| ee ee ee eee es<br>td(on) a a ee<br>tr<br>1000 H=- | | ea a ee<br>a a eeee<br>e pee se<br>oO ee es ee es ee eer 100 e e<br>WwF2 100 eeeeeeeeeee ee eee eeWw aa eeee<br>O a ee a ee<br>S | | ro || 10<br>a a ss<br>10 se a<br>cr od<br>poa P——<br>td(off)<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>1 1<br>Ee FRPP<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>t t<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 9. Typical switching times as a **resistance** (inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =75A, dynamic test Figure E)
Figure 10.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =75A, _R_ G(on)=23 Ω , _R_ G(off)=4 Ω , dynamic circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 277] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
7 18<br>typ. Eoff<br>min. Eon<br>max. 16 Ets<br>- 6 Fl ’ |] | Eee<br>S: 5 _ ~ ef | ifj 1412 Py ty] td Let: | |<br>uw7) >O 10 7 Z|<br>BL sep PLU<br>4<br>8<br>weEpo mL TEer<br>: ae ii ZO<br>= 3 Se PN EB 6 Le<br>: : x ZO<br>PB~s a 4 LAAa Za cane<br>E | eee<br>2<br>2<br>1 0<br>25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>E<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 11. of ( _I_ C=1mA)
Figure 12.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=23 Ω , _R_ G(off)=4 Ω , test circuit in Figure E)
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CE(sat)
**==> picture [230 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
10<br>Eoff<br>9 Eon<br>Ets<br>8<br>Ww 7<br>7) ”<br>n a<br>ee<br>6<br>,x 5 ST|<br>Ww<br>4<br>et | | | |<br>Zzee:O ee:waet<br>3<br>2<br>1<br>0<br>0 10 20 30 40 50<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ]<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 13.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =75A, dynamic test Figure E)
**==> picture [233 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
9<br>Eoff<br>Eon<br>8 Ets<br>7<br>Ww<br>7)ep) 6<br>5<br>1sVs + =<br>i 4 J<br>Zz|e poe<br>ety]<br>3<br>O |<br>2<br>1<br>0<br>25 50 75 100 125 150 175<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 14.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =75A, _R_ G(on)=23 Ω , _R_ G(off)=4 Ω , dynamic circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
9 18<br>EEoffon : VV CCCC<br>8 Ets 16<br>ELE LA} Eee,— = 130V<br>£ 7 S 14 07<br>6 12<br>O 5 ri L— om 10<br>Ww uo E<br>ee 4 ee 8 eee e<br>3 6<br>Ee Oo<br>= [.]<br>2 4<br>1 2<br>0 0<br>200 250 300 350 400 450 500 0 100 200 300 400 500<br>V CE COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] Q G , GATE CHARGE [nC]<br>GE<br>V<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15.
Figure 16. Typical ( _I_ C=75A)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =75A, _R_ G(on)=23 Ω , _R_ G(off)=4 Ω , dynamic circuit in Figure E)
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CE(sat)
**==> picture [472 x 623] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1E+5<br>Cies<br>—— UE<br>Coes<br>Cres<br>EEE. S CTC act<br>J manCeetD> Z| D = 0.5<br>0.1<br>1E+4<br>[| | | | FF A 0.2 Coo<br>0.1<br>re Tr Sse eC<br>So pr A 0.05 |<br>0.02<br>Sf 4 2 Ee<br>ef| 1000 | | | aeee 0.01single pulse<br>SSS A Let<br>SSS SSF 0.01 Ae<br>: ieee ee ee Ee et<br>100 a\ ee eee Zz” TeVMl) ZeZOTT e TTTR. |<br>————— ban Toe + } H nm aol<br>————— a ell)Za | ee ee<br>i: 1 2 3 4 5 6<br>ri[K/W]: 4.7E-3 0.0564027 0.0496416 0.1540335 0.0124251 1.7E-3<br>τ i[s]: 2.7E-5 2.5E-4 2.2E-3 0.0141795 0.1200871 1.91251<br>10 CePot a [ee] a eo oe e e 0.001 ON | LT TT A TT Try TT Tr T T<br>0 5 10 15 20 25 30 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] t p , PULSE WIDTH [s]<br>Figure 17. Typical capacitance as a function of Figure 18. IGBT transient thermal impedance<br>collector-emitter voltage ( D = t p/T)<br>( V GE =0V, f=1MHz)<br>100<br>EE A —<br>T vj I F<br>. T vj I F<br>90<br>SS LAI ——————<br>wi San D = 0.5 =<br>e 0.1 a le 80 LU L L<br><x 7 0.2 a Ww \<br>imQ Pot2) TT 7 0.1 aa a | S== \ \<br>0.05 70<br>a Seeieeeet ent ae et F PME TP LLL<br>= crn<br>0.02<br>¢ Ca eer) x<br>0.01 60<br>BreH single pulse olLUM eT88 mEETT TTETT TT TT<br>Eee 0.01 ll § 50 LR||<br>2 a ee || ff<br>40<br>Fs PA 60 Re fi} TS<br>ee SSE oy Ha :<br>PATE CT TIT im TT mn LT| 30 ETT TEEPE p. TEEPE p. p.<br>i: 1 2 3 4 5 6 7<br>ri[K/W]: 3.1E-4 0.01435 0.09435 0.09881 0.22828 0.01967 2.0E-3<br>τ i[s]: 1.0E-5 3.0E-5 2.2E-4 2.2E-3 0.01247 0.10291 1.85641<br>0.001 20<br>1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1 1500 2500 3500 4500 5500<br>t p , PULSE WIDTH [s] dI F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>C<br>c)th(j-<br>Z<br>t rr<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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100<br>—<br>T vj I F<br>T vj I F<br>90<br>——————<br>=<br>80 LU L L<br>Ww \<br>S== \ \<br>70<br>F PME TP LLL<br>x<br>60<br>eT88 mEETT TTETT TT TT<br>50<br>§ LR||<br>ff<br>40<br>TS<br>:<br>30 ETT TEEPE p. TEEPE p. p.<br>20<br>1500 2500 3500 4500 5500 6500<br>dI F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>t rr<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Figure 19. Diode<br>function<br>( D = t p/T)<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 20. Typical of diode ( _V_ R=400V)
11
IKZ75N65EL5
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CE(sat)<br>3.50 | 140 |<br>T vj I F T vj I F<br>3.25 = T vj ss I F l] ||. 130 (j= T vj —socm=) I F ) |)<br>120<br>Q 3.00 7a = 150°C, = 75A ! 7a = 150°C, = T TT | AT |<br>Ww2 PPTLooo ; LEE <_ 110 Py yy TEE bey/ y yy<br>2.75<br>ina<x iad 100 ’<br>p S tew Pt TT [Ee] z<br>> 2.50 tT EEE >8> 90 Pee“<br>a w “<br>LU 74<br>GP ee<br>5 2.25 80<br>g<br>tu gS 70 te er<br>2.00<br>: im “ ma<br>2 ee 60 eee<br>1.75<br>: titi ttt tt’ HA<br>50<br>eff" nntg aea<br>1.50<br>a St 40<br>1.25 PERT) eee<br>BERR 30<br>1.00 20<br>1500 2500 3500 4500 5500 6500 1500 2500 3500 4500 5500 6500<br>dI F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] dI F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Q rr I rr<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 21. Typical function ( _V_ R=400V)
Figure 22. Typical function ( _V_ R=400V)
**==> picture [473 x 293] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
-1 225<br>| /<br>T vj I F T vj<br>£ -2 [XExal--- T vj =150°C, I F =/75A lll] T 200 Es--- T vj = 175°C Z ’<br><, -3 \ /<br>ro)s -4 | \\ tt ti x 175 :<br>|2 150<br>-5<br>LLma | [LIN] \ TTT TTT WWa<br>125<br>PL TTR EEE Ty 3<br>-6<br>< ) Qa<br>100<br>:efVoyNS<br><t -7 I<br>oO \ O 75<br>Eto ANEy<br>-8<br>Q \ , .<br>e) ‘S<br>EEN 50<br>-9<br>PETTING -10 25 LL<br>PPPS> Le--"|<br>-11 0<br>1500 2500 3500 4500 5500 6500 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5<br>dI F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] V F , FORWARD VOLTAGE [V]<br>Figure 23. Typical diode peak rate of fall of reverse Figure 24. Typical diode forward current as a function<br>I rr<br>I F<br>/dt<br>rr<br>dI<br>**----- End of picture text -----**<br>
( _V_ R=400V)
12
IKZ75N65EL5
CE(sat)
**==> picture [233 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1.8<br>— I F =16A<br>--- I F =35A<br>ss I F = 75A<br>1.6<br>1.4<br>Oo<br><x<br>Kk<br>I 1.2<br>O<br>><br>Q<br>1.0<br>i<br>Bee 0.8<br>0.6<br>0.4<br>25 50 75 100 125 150 175<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>F<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 25.
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IKZ75N65EL5
Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
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## 89:;<=>?:>
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Low�VCE(sat)�series�fifth�generation
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**----- Start of picture text -----**<br>
V GE (t) I,V<br>90% V GE dI F /dt Qt rrrr== Qt aa++ tQ b b<br>10% V GE t a b<br>I C (t) Q a Q b<br>dI<br>90% I C 90% I C<br>10% I C 10% I C t Figure C. Definition of diode switching<br>characteristics<br>V CE (t)<br>t<br>t<br>t d(off) t f t d(on) t r<br>Figure A.<br>GE (t)<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [252 x 287] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
V GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE<br>t<br>I C (t)<br>2% I C t<br>V CE (t)<br>t 2 t 4<br>E off [=] V CE x I C x d t E on [=] V CE x I C x d t<br>t 1 t 3 2% V CE<br>t<br>t 1 t 2 t 3 t 4<br>Figure B.<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure D.
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CC Figure E. **Dynamic test circuit** Parasitic inductance Ls, parasitic capacitor Cs, relief capacitor C ,r (only for ZVT switching)
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Rev.�2.1,��2014-12-10
IKZ75N65EL5
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## Low VCE(sat) series fifth generation
## Revision History
IKZ75N65EL5
Revision: 2014-12-10, Rev. 2.1
Previous Revision Revision Date Subjects (major changes since last revision) 2.1 2014-12-10 Final data sheet
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Rev. 2.1, 2014-12-10
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