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Illustrative purposes only
IKZ75N65EH5XKSA1
IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins
- MSL: MSL 1 - Unlimited
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 4Pins
- Product Range: TRENCHSTOP 5
- Power Dissipation: 395W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 90A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.65V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 1000 |
| Price | 2.95 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
## IGBT
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 1
IKZ75N65EH5
IKZ75N65EH5
**==> picture [480 x 219] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 1<br>fast and soft antiparallel diode<br>Features and Benefits:<br>C<br>High speed H5d technology offering<br>* Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in<br>combination with TRENCHSTOP 5<br>* Best-in-class efficiency in hard switching and resonant<br>topologies<br>¢ Plug and play replacement of previous generation IGBTs G K<br>* 650V breakdown voltage E<br>* Low gate charge Q G<br>¢ IGBT copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode<br>* Maximum junction temperature 175°C<br>* Qualified according to JEDEC for target applications<br>¢ Pb-free lead plating; ROHS compliant<br>*« Complete product spectrum and PSpice Models:<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Applications**
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IKZ75N65EH5|650V|75A|1.65V|175°C|K75EEH5|PG-TO247-4|
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IKZ75N65EH5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
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IKZ75N65EH5
High�speed�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_C||90.0<br>75.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Cpuls||300.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs1)|-||300.0|A|
|Diodeforwardcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°Cvaluelimitedbybondwire<br>_T_C=100°C|_I_F||95.0<br>85.0|A|
|Diodepulsedcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Fpuls||300.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,D<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||395.0<br>197.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
|**ThermalResistance**|||||
|**ThermalResistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**|**Max.Value**||**Unit**|
|**Characteristic**||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.38|K/W|
|Diode thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.46|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)|||40|K/W|
1) Defined by design. Not subject to production test.
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**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.65<br>1.82<br>1.90|2.10<br>-<br>-|V|
|Diode forward voltage|_V_F|_V_GE=0V,_I_F=75.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.35<br>1.33<br>1.30|1.70<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=0.75mA,_V_CE=_V_GE|3.2|4.0|4.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>3300.0|75.0<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=75.0A|-|104.0|-|S|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|4300|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|130|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|16|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=75.0A,<br>_V_GE=15V|-|166.0|-|nC|
|Internal emitter inductance1)<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=10.0Ω,_R_G(off)=18.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|26|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|11|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|347|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|15|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.68|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.43|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.11|-|mJ|
1) The internal emitter inductance does not affect the gate control circuitry if bypassed by using the emitter sense pin.
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**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C**
|**DiodeCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|58|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.02|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|29.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-2800|-|A/µs|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=37.5A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=10.0Ω,_R_G(off)=18.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|24|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|13|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|400|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|15|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.10|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.48|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.58|-|mJ|
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�150°C**
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=37.5A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|91|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|2.58|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|42.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-1845|-|A/µs|
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**==> picture [14 x 6] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
400<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [474 x 628] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
350<br>100<br>RRR pol 300 MN \<br>© EeePA LTTTEEI 250 TPN\<br>if TT<br>10<br>CNT § IN<br>200<br>O ee<br>O Pott tT tei TTT 0 150 Pt | Aff<br>eg ee x<br>1<br>ETT<br>100<br>TT | | |<br>PTSSeSTTT TTT 50 Ft TN\<br>not for linear use<br>0.1 [meee me 0 rT |] iN<br>ET<br>1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 175<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>Figure 1. Forward bias safe operating area Figure 2. Power dissipation as a function of case<br>( D =0, T C =25°C, T vj 175°C, V GE =15V, t p=1µs, temperature<br>I Cmax defined by design - not subject to ( T vj ≤ 175°C)<br>production test)<br>100 300<br>VGE = 19V<br>90 270 18V<br>P| | ft | See |<br>15V<br>80 240<br>14V<br>ef 70 pT |) 210 LE eee<br>11V<br>po oo}Ne | hy<br>60 180 9V<br>s UN Le<br>8V<br>ee 50 ee\ eee 150 anuwa<br>7V<br>ee ee ee ee<br>40 120<br>pf Ne LN 5V<br>30 90<br>8 \ 8 YaNp a<br>ee<br>20 60<br>ee ee), Oa<br>10 30<br>ee eeLene<br>po LIN<br>0 0<br>25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 3. Collector current as a function of case Figure 4. Typical output characteristic<br>temperature ( T vj=25°C)<br>( V GE ≥ 15V, T vj ≤ 175°C)<br>I C P tot<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
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**==> picture [471 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
300 300<br>VGE = 19V Tvj = 25°C<br>270 17V Sy 270 Tvj = 175°C<br>CO 15V SNU/7)/ 2 eeePo pe<br>240 240<br>11V<br>z || S17 ef<br>210 210<br>9V<br>= L— vdva =<br>5 180 8V Mf |e 180 | | LT<br>150 150<br>3: a SWW//ff} 813 | i i | ty<br>eB LK<br>© 120 [PPKV | © 120 )<br>+ //y~ + |<br>O / Oo /<br>90 90<br>60 LeWh 60<br>fi)<br>30 30<br>0 0 7<br>LAT——_| itty L eer|<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 3 4 5 6 7 8 9 10<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V]<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 5. Typical ( _T_ vj=175°C)
Figure 6. Typical ( _V_ CE=20V)
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
2.25 a | 1000 SS<br>IC = 20A<br>IC = 37.5A _-—a seee ee<br>IC = 75A<br>Ss 2.00 eee<br>8 a Oe<br>1.75<br>n<br>: e |i |ii]<br>100<br>=) ty<br>< a [>]<br>“” uw a a<br>[a 1.50 = aee<br>F ee ee<br>bu ee eee<br>E O i ee ee ee eee<br>iiad 1.25 = oe cee elleee<br>S)Be 10 aeeesea<br>1.00<br>a a a<br>(e) po<br>O a ee ee<br>° Pee ee ee ee ee eee<br>0.75 td(off)<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>0.50 1<br>PEt i FCCCere<br>25 50 75 100 125 150 175 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 7. Typical a function ( _V_ GE=15V)
Figure 8.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=10 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , test circuit in Figure E)
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**==> picture [490 x 623] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1000<br>td(off) a a a<br>1000 n tf n a ss<br>td(on)<br>: ——— es ee ee ee<br>1 ——— tr a a eed eeee<br>a eeee eee i<br>cS2 a e,& 100 Fea ss<br>Yn 9) a eeee<br>100<br>a ES Ss a a a a es ee<br>F a a a ee ca a es<br>9 aeersbe aoe a a A<br>a a eee ee eee eee<br>Sof eb | |eet} 8<br>” 10 |-- ” 10 a<br>A leee tT) | @ peepee<br>_——— —— —— — — — — —— a<br>a a a a a ee<br>a — td(off) a ae ae a<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>a f=<br>1 1<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>Figure 9. Typical switching times as a function of gate Figure 10. Typical switching times as a function of<br>resistance junction temperature<br>(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V, (inductive load, V CE =400V, V GE=0/15V,<br>V GE =0/15V, I C =37.5A, dynamic test circuit in I C =37.5A, R G(on)=10 Ω ; R G(off)=18 Ω , dynamic<br>Figure E) test circuit in Figure E)<br>6.0 9<br>typ. Eoff<br>5.5 min.max. 8 EEonts<br>-Ww FP LLLL Foo<br>5.0<br>7<br>oO Tree (ep) ’<br>4.5<br>q D 6<br>4.0<br>5<br>3.5<br>;<br>4<br>EP 3.0 —~ = cA<br>ie ee ee ae<br>3<br>2.5<br>uw tS > au<br>2<br>an 2.01.5 eeea A OO 1 eee<br>1.0 0<br>25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>t t<br>E<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 11. Gate-emitter of junction ( _I_ C=0.75mA)
Figure 12.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=10 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , dynamic test circuit in Figu
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**==> picture [474 x 622] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
3.5 1.8<br>Eoff Eoff<br>Eon Eon<br>Ets 1.6 Ets<br>3.0<br>=2 =es 1.4 f T |fibPad<br>Ww 2.5 7 Ww<br>7)o a“ “o 1.2 =<br>aa . Lc aa Lec<br>2.0<br>5 - a . > 1.0 ces<br>Ww - Ww Daa<br>Zz oa “7 Zz Le -<br>Ww 1.5 a“ uc Ww 0.8 —<br>Zz o <“ Zz -"<br>2 “ | 2 0.6 eT | ff<br>1.0<br>wal oe| ez |<br>0.4<br>0.5<br>0.2<br>TELE}<br>0.0 0.0<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>Figure 13. Typical switching energy losses asa Figure 14. Typical switching energy losses as a<br>function of gate resistance function of junction temperature<br>(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V, (inductive load, V CE =400V, V GE=0/15V,<br>V GE =0/15V, I C =37.5A, dynamic test circuit in I C =37.5A, R G(on)=10 Ω ; R G(off)=18 Ω , dynamic<br>Figure E) test circuit in Figure E)<br>1.75 16<br>Eoff VCE = 130V<br>Eon VCE = 520V<br>Ets 14<br>1.50 Eloi) EA oy<br>Poa VA<br>2 Lt<br>12<br>= S |<br>1.25<br>9 “ 4<br>es < V.<br>a pane - 5 10 /,<br>1.00<br>Ww ce we 8<br>Z: 0.75 ep | | feyL- | E: | 7 ;<br>6<br>I “7 FE /<br>0.50<br>4<br>eE<br>0.25<br>2<br>0.00 0<br>200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180<br>V CE COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] Q G , GATE CHARGE [nC]<br>E E<br>GE<br>V<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15.
Figure 16. Typical ( _I_ C=75A)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =37.5A, _R_ G(on)=10 Ω ; _R_ G(off)=18 Ω , test circuit in Figure E)
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**==> picture [472 x 309] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Cies AB AE A<br>1E+4 Coes<br>Cres<br>ca e Tn nn onooo<br>SS eee eae? MEN<br>ee<br>D = 0.5<br>a ee ee eS Oe 0.1 SGalTT<br>0.2<br>_ 5 eS eh<br>7 im BS 7 ea = 0.1 lll<br>As o | 0.05 mill<br>1000<br>. ===) Hee 0.02<br><i a a PT A ti | 0.01 tt ||<br>Ca ow P| Lee Ac Le<br>single pulse<br>ao -<br>1S)PSS?: = 0.01 CGR70NT TTT<br>° Lu ee<br>100 oO |<br>——2 opT AT o<br>es Bs A i Hl<br>|. —_—__}__—______ F LA |e ddll 4,| HL b= Ill<br>i: 1 2 3 4 5 6<br>ri[K/W]: 0.010336 0.078242 0.081139 0.196217 0.015938 1.8E-3<br>τ i[s]: 2.8E-5 2.3E-4 2.3E-3 0.013145 0.113481 1.869237<br>10 a ieee 0.001 A<br>0 5 10 15 20 25 30 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] t p , PULSE WIDTH [s]<br>Figure 17. Typical capacitance as a function of Figure 18. IGBT transient thermal impedance<br>collector-emitter voltage ( D = t p/T)<br>( V GE =0V, f=1MHz)<br>C<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [483 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
110<br>PE TT -_———_._1<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5A<br>100 Tvj = 150°C, IF = 37.5A<br>S a et Se<br>SCCM Pf ErfpAIeA ee =<br>90<br>D = 0.5<br>:| 0.1 |il 0.2 qi) 2 80 EP. S<br>Pay Se 0.1<br>WoO EeSete 7=eeaoOke= 70 Pf fp AfftS |<br>S ne) 0.05 ee a<br>0.02<br>2 Servier ae mt a 60 le oe<br>grad 0.01 TW 8 . =<br>Ee“eo single pulse m8 50 fo PR<br>Ww<br>AC 0.01 Ui) 3 40 (EA<br>Wwns:a | | ASaaetooS e yl |) Lu>= 3020 PP || ffo foffof ff]fy |<br>VAN i: 1 2 3 | 4 ee 5 6 7 | | 10 Pf | foffl<br>ri[K/W]: 3.1E-4 0.01435 0.09435 0.09881 0.22828 0.01967 2.0E-3<br>τ i[s]: 1.0E-5 3.0E-5 2.2E-4 2.2E-3 0.01247 0.10291 1.85641<br>0.001 0<br>1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500<br>t p , PULSE WIDTH [s] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>t rr<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [75 x 28] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Figure 19. Diode<br>function<br>( D = t p/T)<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 20. Typical of diode ( _V_ R=400V)
11
IKZ75N65EH5
**==> picture [476 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
3.5 100<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5A Tvj = 25°C, IF = 37.5A<br>Tvj = 150°C, IF = 37.5A 90 Tvj = 150°C, IF = 37.5A<br>3.0<br>Bap e, Boot<br>80<br>Ww Kk -ma<br>2.5<br>70<br>awa pe {| |tttey<br><x Y .<br>= w ”<br>: =) 7<br>60<br>a 2.0 eS fe<br>-<br>Wi in a<br> ae > pf<br>50<br>6 3 a ZO<br>1.5<br>: Bot ee<br>x Y 40 et Pa<br>ow<br>: Bee<br>30<br>1.0<br>or oc 20<br>0.5<br>10<br>0.0 0<br>1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Q rr I rr<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 21.
( _V_ R=400V)
Figure 22.
( _V_ R=400V)
**==> picture [472 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
0 300<br>Tvj = 25°C, IF = 37.5A Tvj = 25°C<br>-1 ( Tvj = 150°C, I e F = 37.5A e 270 Tvj = 175°C<br>e e ee<br>i ’<br>oe -2 ee 240 e e<br>sr T S te E e<br>-3 210<br>4 SON 7<br>4 . E /<br>im -4 . Ww 180<br>2] SNe LE fe<br>LL \ co<br>-5 150<br>Pf< otERA Pe Ee<br>wef ‘ \ iaa ’7<br>-6 120<br>PtP AN TE i,<br>oOWw -7 SATE‘S e)_ 90 [AL<br>ra LL<br>fo)<br>ee ee (ee<br>-8 60<br>-9 30<br>-10 0<br>1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] V F , FORWARD VOLTAGE [V]<br>I rr<br>I F<br>/dt<br>rr<br>dI<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 23.
Figure 24.
( _V_ R=400V)
12
IKZ75N65EH5
||1.75|IF= 20A<br>IF= 37.5A<br>IF= 75A<br>~~en~~||
|---|---|---|---|
||1.50|||
|_V_F<br>0.75<br>1.00<br>1.25<br>sf<br>Bo Pe neta<br>Oo<br>xt<br>Kk<br>I<br>Sof<br>**|**<br>|<br>><br>Q<br>m4<br>gf<br>|es<br>=<br>| —_-————____ —<br>ee<br>P|<br>|<br>|<br>|||||
||0.50|||
|||25<br>50<br>75<br>100<br>125<br>150<br>175||
|||_T_vj<br>, JUNCTION TEMPERATURE [°C]||
||Figure 25.<br>Typicaldiodeforwardvoltageasafunction||function|
13
IKZ75N65EH5
High�speed�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## 89:;<=>?:>
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High�speed�series�fifth�generation
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v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE t<br>i C (t)<br>90% I C 90% I C<br>10% I C 10% I C t<br>v CE (t)<br>t<br>t d(off) t f t d(on) t r<br>v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE<br>t<br>i C (t)<br>2% I C t<br>v CE (t)<br>t 2 t 4<br>E off [=] V CE x I C x d t E on [=] V CE x I C x d t<br>t 1 t 3 2% V CE t<br>t 1 t 2 t 3 t 4<br>**----- End of picture text -----**<br>
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CC<br>parasitic<br>relief<br>**----- End of picture text -----**<br>
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## High speed series fifth generation
## Revision History
## IKZ75N65EH5
Revision: 2014-10-31, Rev. 2.1
|Previous Revision|Previous Revision||
|---|---|---|
|Revision|Date|Subjects(major changes since last revision)|
|1.1|2014-10-17|Preliminarydata sheet|
|2.1|2014-10-31|Final data sheet|
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Rev. 2.1, 2014-10-31
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