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Illustrative purposes only
IKZ50N65NH5XKSA1
IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- No. of Pins: 4Pins
- Product Range: TRENCHSTOP 5
- Power Dissipation: 273W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 85A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.65V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 1000 |
| Price | 3.44 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
## IGBT
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 2
IKZ50N65NH5
IKZ50N65NH5
**==> picture [481 x 219] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology copacked with RAPID 2<br>fast and soft antiparallel diode<br>Features and Benefits:<br>C<br>High speed H5d technology offering<br>* Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in<br>combination with TRENCHSTOP 5<br>* Best-in-class efficiency in hard switching and resonant<br>topologies<br>¢ Plug and play replacement of previous generation IGBTs G K<br>* 650V breakdown voltage E<br>* Low gate charge Q G<br>¢ IGBT copacked with RAPID 2 fast and soft antiparallel diode<br>* Maximum junction temperature 175°C<br>* Qualified according to JEDEC for target applications<br>¢ Pb-free lead plating; ROHS compliant<br>*« Complete product spectrum and PSpice Models:<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Applications**
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IKZ50N65NH5|650V|50A|1.65V|175°C|K50ENH5|PG-TO247-4|
2
IKZ50N65NH5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3
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IKZ50N65NH5
High�speed�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°C<br>_T_C=100°C|_I_C||85.0<br>54.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Cpuls||200.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs1)|-||200.0|A|
|Diodeforwardcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°C<br>_T_C=100°C|_I_F||79.0<br>54.0|A|
|Diodepulsedcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Fpuls||200.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,D<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||273.0<br>136.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
|**ThermalResistance**|||||
|**ThermalResistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**|**Max.Value**||**Unit**|
|**Characteristic**||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.55|K/W|
|Diode thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.63|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)|||40|K/W|
1) Defined by design. Not subject to production test.
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IKZ50N65NH5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=50.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.65<br>1.82<br>1.90|2.10<br>-<br>-|V|
|Diode forward voltage|_V_F|_V_GE=0V,_I_F=50.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.60<br>1.65<br>1.65|2.20<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=0.50mA,_V_CE=_V_GE|3.2|4.0|4.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>2500.0|50.0<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=50.0A|-|65.0|-|S|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|3100|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|90|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|11|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=50.0A,<br>_V_GE=15V|-|109.0|-|nC|
|Internal emitter inductance1)<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=25.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=15.0Ω,_R_G(off)=20.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|22|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|8|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|252|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|23|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.35|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.20|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|0.55|-|mJ|
1) The internal emitter inductance does not affect the gate control circuitry if bypassed by using the emitter sense pin.
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**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C**
|**DiodeCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=25°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=25.0A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|46|-|ns|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|0.49|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|22.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-4330|-|A/µs|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=25.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=15.0Ω,_R_G(off)=20.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery.|-|21|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|9|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|294|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|19|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.52|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.28|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|0.80|-|mJ|
**Diode�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�150°C**
|Diode reverse recoverytime|_t_rr|_T_vj=150°C,<br>_V_R=400V,<br>_I_F=25.0A,<br>_di_F_/dt_=1500A/µs|-|62|-|ns|
|---|---|---|---|---|---|---|
|Diode reverse recoverycharge|_Q_rr||-|1.00|-|µC|
|Diodepeak reverse recoverycurrent|_I_rrm||-|31.0|-|A|
|Diode peak rate of fall of reverse<br>recoverycurrentduring_t_b|_di_rr_/dt_||-|-4810|-|A/µs|
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**==> picture [474 x 659] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
275<br>nr 250 Ne<br>100<br>_eg | aSS aee 225200 7 NPH<br>oO 175 \<br>10<br>ee 150 ENE<br>125<br>ee 7<br>e Soom 100<br>S| 1 UE UU oiI & ||<br>75<br>50<br>0 25 ee ee ee<br>not for linear use<br>0.1 E E 0 Pot | | cP<br>1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 175<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>Figure 1. Forward bias safe operating area Figure 2. Power dissipation as a function of case<br>( D =0, T C =25°C, T vj 175°C, V GE =15V, t p=1µs, temperature<br>I Cmax defined by design - not subject to ( T vj ≤ 175°C)<br>production test)<br>90 150<br>VGE = 20V<br>80 Ki fp | tt 135 18V UT<br>15V<br>PN ~ 120 Le | Le<br>70<br>12V<br>105<br>eee: 60 | 10V hy<br>90 8V<br>50<br>7V<br>PLONE Te ASIA<br>75<br>eC 40 6V i<br>60<br>5V<br>EN e NJ<br>30<br>45<br>PAYEE<br>BATE NBR<br>20<br>30<br>ieee Guneen<br>pie<br>10 15<br>tt A) EAND<br>0 eee e 0 n e n e<br>25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 3. Collector current as a function of case Figure 4. Typical output characteristic<br>temperature ( T vj=25°C)<br>( V GE ≥ 15V, T vj ≤ 175°C)<br>I C P tot<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
7
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**==> picture [474 x 622] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
150 150<br>VGE = 20V Tvj = 25°C<br>135 18V SHS LJ | 135 | Tvj = 175°C Lt | f<br>yy, = | |<br>a 15V /<br>120 120<br>12V<br>2 fo Aoe | sz eT L TtEty<br>105 105<br>10V<br>ore 90 8V eee 90 eee<br>7V<br>75 75<br>: Wey i ts | | | |<br>6V<br>3 | ie | §<br>60 60<br>: 5V pao se |<br>gs || Nowe de EL<br>45 45<br>30 30 |<br>| PONmo ie tftt<br>WrN<br>15 15<br>fn<br>! S aes<br>0 0<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 2 3 4 5 6 7 8 9<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 5. Typical output characteristic Figure 6. Typical transfer characteristic<br>( T vj=175°C) ( V CE=20V)<br>2.50 a|| 1000<br>IC = 12.5AC = 12.5A = 12.5A<br>IC = 25AC = 25A = 25A ee<br>S 2.25 IC = 50AC = 50A = 50A a ee<br>pw<br>SsS ee<br>2.00<br>7)<br>100<br>feBtBt 1.75 eer}== [_Ee}<br>=)DD ul ee |<br>E F pos<br>2ee0808(62==———<br>1.50<br>E O A ee ee<br>1.25<br>10<br>Lu(e)PEST:4(e)PEST:4 1.00 ff | ff ET)ft ET)ftft BEnn |poySea [ee] a—4|ee—4|ee|ee ee<br>O 2 ee<br>ee 0.75 td(off)d(off) ee<br>tff<br>td(on)d(on)<br>trr<br>ee<br>0.50 1<br>25 50 75 100 125 150 175 0 25 50 75 100 125 150<br>T , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>I C I C<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [369 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
2.50 a|| 1000<br>IC = 12.5AC = 12.5A = 12.5A<br>IC = 25AC = 25A = 25A<br>SsS 2.25 IC = 50AC = 50A = 50A<br>2.00<br>7)<br>100<br>feBtBt 1.75 eer}==<br>=)DD ul ee<br>E F pos<br>1.50<br>E O A ee<br>1.25<br>10<br>BEnn ee ee<br>PEST:4:44 1.00 ff | ff ET)ft ET)ftft<br>Lu(e)PEST:4(e)PEST:4 a—4|ee—4|ee|ee<br>O 2<br>ee 0.75 td(off)d(off)<br>tff<br>td(on)d(on)<br>trr<br>ee<br>0.50 1<br>25 50 75 100 125 150 175 0 25 50<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 8.
Figure 7. Typical a function ( _V_ GE=15V)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=15 Ω , _R_ G(off)=20 Ω ,
test circuit in Figure E)
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**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1000 a SS ES ES eS 1000 a a<br>1 t td(off) a he t td(off) a<br>| tf tf<br>td(on) td(on)<br>tr tr<br>| f= a ee[= a a ee | fe | aa A ee ee ee ee ee<br>e e ee eee a<br>——<br>mn 100 ee 7) 100 a<br>uw a a a a | | a a a<br>=F poa ee ee = aa eeeeee ee ee<br>O a a ee a ee<br>a a ce ee e<br>= _+— =<br>10 10<br>pe” feea ls ee ee ee ye” |a |es es| eee<br>a es (a<br>a a a a<br>po a ee<br>a es ee a eeee<br>| {| | | ft | | a a<br>1 1<br>5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 25.0 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>t t<br>**----- End of picture text -----**<br>
## Figure 9. Typical **resistance**
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =25A, _V_ Dmax ≤ 650V, test circuit in Figure E)
Figure 10.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =25A, _R_ G(on)=15 Ω , _R_ G(off)=20 Ω , test circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
6.0 5.0<br>typ. Eoff<br>oo 5.5 min.max. 4.5 EEonts<br>Be 5.0 4.0 es<br>a= 4.5 ee ee 0 3.5<br>Qa 7)<br>e) 4.0 Sg 3.0<br>3.5 2.5<br>2 ee eee ee<br>~. ”<br>e fal<br>ocW 3.0 “> ~~] | P|— 9es 2.0 | et: pe2 |<br>= mt, oO<br>2.5 1.5<br>=eMy ee ee =<ee E ee ee:<br>uwBfSL oo<br>2.0 1.0<br>1.5 0.5<br>ee eeee<br>i<br>1.0 0.0<br>25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>E<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 11. Gate-emitter of junction ( _I_ C=0.5mA)
Figure 12.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=15 Ω , _R_ G(off)=20 Ω , dynamic test circuit in Figu
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**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1.0 1.0<br>Eoff Eoff<br>0.9 Eon 0.9 Eon<br>Ets Ets<br>0.8 0.8<br>~ef fr i ll tert}, f p}| oe.<br>7p) b et pg f ee<br>Ww 0.7 7p) 0.7<br>7) 7)Ww<br>o o<br>iea 0.6 ee< 4 0.6 :<br>ow ecoy ow --<br>uw 0.5 == m7 0.5 L<br>Ww i [---<br>Oo 0.4 0) 0.4 Lecce<br>Zz—eyceE 0.3 atT } Ee—=Ee 0.3 |wec7 ee ep | —<<br>6i { ta |<br>0.2 0.2<br>0.1 0.1<br>0.0 0.0<br>5.0 7.5 10.0 12.5 15.0 17.5 20.0 22.5 25.0 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>E E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 13.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =25A, _V_ Dmax ≤ 650V, test circuit in Figure E)
Figure 14.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =25A, _R_ G(on)=15 Ω , _R_ G(off)=20 Ω , test circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
0.8 16<br>Eoff VCE = 130V<br>Eon VCE = 520V<br>0.7 ca E e ts 14 SS ye |<br>0.6 12<br>=ei Ti irit ii}.S EL | lA]L<br>s<br>e<<br>a 0.5 10<br>eco o}<br>0.4 8<br>thZz ee 2 aa owui— VA<br>Ww a = iY<br>Zz 0.3 aa uy 6 fj,<br>7eee: 0.2 FT|as 4 ee e<br>0.1 2<br>“TTT yyy Ze| |<br>0.0 0<br>200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 120<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] Q G , GATE CHARGE [nC]<br>GE<br>V<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15.
Figure 16. Typical ( _I_ C=50A)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =25A, _R_ G(on)=15 Ω ; _R_ G(off)=20 Ω , test circuit in Figure E)
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IKZ50N65NH5
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1E+4 Cies<br>H Coes<br>Cres — Se HEHE oeeer<br>oe —— =— —— z Ca<br>D = 0.5<br>Zz 0.2<br>1000 0.1 ee<br>—_}#£]_——_ i Hits)=n ea 0.1<br>WILL aul 7A io<br>oT oe a We 0.05<br>Se 0.02<br>><br>0.01<br>100 eee S Pee reilize single pulse<br>3xt = :<br>Aa via |<br>0.01<br>x Se Lu<br>Se See ae<br>ete Zz ode<br>- | a<br>10 Serge allel Ti<br>=<br>5 a D Sian cat Cr IR, Co=telRe |<br>——_——<br>: Ss——$ a é SaBi l ti a i T_Ti<br>i: 1 2 3 4 5 6<br>ri[K/W]: 9.5E-3 0.125039 0.132857 0.256654 0.021551 2.1E-3<br>τ i[s]: 2.5E-5 2.3E-4 2.1E-3 0.012197 0.104256 1.840158<br>—————4] OoCoo<br>1 | | 0.001<br>0 5 10 15 20 25 30 1E-7 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1<br>= V CE oe ER VOLTAGE [V] Me a t p PULSE -s W IDTH [s<br>Figure 17. aohector, hseectaseas. a a function of Figure 18. IGBT transient the nce<br>enaitter voltege ( D = t p/T)<br>( V GE =0V,<br>collector-en MHz)<br>Sri 80 Tvj = 25°C, I _—__—_ F = 25A<br>ono Tvj = 150°C, IF = 25A<br>J<br>ni asi SHEE a 70<br>areelStianileat eat itcaT_ ZA ill =<br>D = 0.5<br>ae<br>VOAll 0.2 60 ion<br>0.1 0.1 2<br>0.05 50<br>masia me A) TH<br>0.02<br>Ree all aaa e a<br>tll BUIewanANP ve 0.01 fo & — 40<br>—<br>single pulse<br>F 1 ox<br>ce? 2 HTH § i<br>30<br>0.01 ‘a<br>ann<br>Z eee o e<br>5:= ScagalbaA secoe epe el yels 20 fp a_<br>iil<br>i<br>z seu a aul O i i _|<br>f OTA 10<br>i: 1 2 3 4 5 6<br>ri[K/W]: 0.013431 0.146325 0.159015 0.278506 0.025538 2.1E-3<br>τ i[s]: 2.6E-5 2.1E-4 2.0E-3 0.01147 0.091987 1.834403<br>0.001 HEHE ———CTT te tt | 0 pS<br>1E-7 a 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 Ld 0.01 0.1 1000 1500 2000 2500 3000 3500<br>t p , PULS E WIDTH [s] di F /dt CURRENT SLOPE [Alusy<br>Figure 19. . transientient thermal impedanceimp as a Figure 20. . a function<br>funetion [of] [pulse] width Typicalof diode‘currentcu slope<br>( D = t p/T) ( V R=400V)<br>C<br>c)th(j-<br>Z<br>t rr<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IKZ50N65NH5
**==> picture [537 x 622] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1.2 60<br>Tvj = 25°C, IF = 25A Tvj = 25°C, IF = 25A<br>Tvj = 150°C, IF = 25A Tvj = 150°C, IF = 25A<br>1.0 50<br>-<br>Lu Kk Pia<br>aw x ae<br><x 0.8 et i] we 40 et ft lleae<br>= 5 “b=<br>Ww ra ue<br>oO> oO oa Paes -<br>0.6 30<br>eee y eeea a<br>Lu<br>0.4 20<br>uw ><br>or<br>or i<br>> 0.2 et tl 10 et tt<br>0.0 0<br>1000 1500 2000 2500 3000 3500 1000 1500 2000 2500 3000 3500<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us]<br>Figure 21. Typical reverse recovery charge as a Figure 22. Typical reverse recovery current as a<br>function of diode current slope function of diode current slope<br>( V R=400V) ( V R=400V)<br>0 150<br>Tvj = 25°C, IF = 25A Tvj = 25°C<br>Tvj = 150°C, IF = 25A 135 Tvj = 175°C<br>: -2 EO) | 6 eae<br>120 TT [_.<br>< | | pe<br>-4<br>: —S x2 105 [fii iff<br>LL Lu 90<br>APPL fp LE<br>LL -6 oo x ‘<br>fo) a — & / :<br>E. 75<br><<br>ia ~sa i a)a ,/<br>-8<br>é ne 60<br>oO _ O<br>WwPf NE.. re 45 EE<br>a -10 ><br>Af<br>30<br>-12<br>15<br>BRR eee<br>-14 0<br>1000 1500 2000 2500 3000 3500 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5<br>di F /dt , DIODE CURRENT SLOPE [A/us] V F , FORWARD VOLTAGE [V]<br>Q rr I rr<br>I rr<br>I F<br>/dt<br>rr<br>dI<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 23.
Figure 24.
( _V_ R=400V)
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IKZ50N65NH5
||1.75<br>2.00||IF= 12.5A<br>IF= 25A<br>IF= 50A<br>~~PS~~|IF= 12.5A<br>IF= 25A<br>IF= 50A<br>~~PS~~|IF= 12.5A<br>IF= 25A<br>IF= 50A<br>~~PS~~|= 12.5A<br>= 25A<br>= 50A|= 12.5A<br>= 25A<br>= 50A||||7|7||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|Lu<br>Oo|1.50|||||||||||||
|<x<br>Kk<br>—||||||||||||||
|>||||||||||||||
|Q|1.25|||||||||||||
|m4||||||||||||||
|<x||||||||||||||
|_V_F|0.75<br>1.00||Baa|||||||||||
||0.50|||||||||||||
|||25|||50||75||100|125|150|175||
||||||_T_vj|,JUNCTION|JUNCTION|JUNCTION|TEMPERATURE|TEMPERATURE|[°C]|||
Figure 25.
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IKZ50N65NH5
High�speed�series�fifth�generation
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## 89:;<=>?:>
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High�speed�series�fifth�generation
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v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE t<br>i C (t)<br>90% I C 90% I C<br>10% I C 10% I C t<br>v CE (t)<br>t<br>t d(off) t f t d(on) t r<br>v GE (t)<br>90% V GE<br>10% V GE<br>t<br>i C (t)<br>2% I C t<br>v CE (t)<br>t 2 t 4<br>E off [=] V CE x I C x d t E on [=] V CE x I C x d t<br>t 1 t 3 2% V CE t<br>t 1 t 2 t 3 t 4<br>**----- End of picture text -----**<br>
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## High speed series fifth generation
## Revision History
## IKZ50N65NH5
Revision: 2014-10-31, Rev. 2.1
|Previous Revision|Previous Revision||
|---|---|---|
|Revision|Date|Subjects(major changes since last revision)|
|1.1|2014-10-17|Preliminarydata sheet|
|2.1|2014-10-31|Final data sheet|
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Rev. 2.1, 2014-10-31
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