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Illustrative purposes only
IGZ100N65H5XKSA1
IGBT, 161 A, 1.65 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pins
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Single IGBTs
- DC Collector Current:161A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:536W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pi
- MSL: -
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 4Pins
- Product Range: TRENCHSTOPTM 5
- Power Dissipation: 536W
- Transistor Mounting: Through Hole
- Transistor Case Style: TO-247
- Operating Temperature Max: 175°C
- Continuous Collector Current: 161A
- Collector Emitter Voltage Max: 650V
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.65V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 250 |
| Price | 3.31 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
IGBT High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP _ TM 5 technology
IGZ100N65H5
IGZ100N65H5
**==> picture [331 x 193] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP TM _ 5 technology<br>Features and Benefits:<br>High speed H5d technology offering<br>* Ultra low loss switching thanks to Kelvin emitter pin in<br>combination with TRENCHSTOP 5<br>* Best-in-class efficiency in hard switching and resonant<br>topologies<br>¢ Plug and play replacement of previous generation IGBTs<br>¢ 650V breakdown voltage<br>* Low gate charge Q G<br>* Maximum junction temperature 175°C<br>* Qualified according to JEDEC for target applications<br>¢ Pb-free lead plating; ROHS compliant<br>*« Complete product spectrum and PSpice Models:<br>http://www.infineon.com/igbt/<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Applications**
|**Type**|**_V_CE**|**_I_C**|**_V_CEsat** **_T_vj=25°C**|**_T_vjmax**|**Marking**|**Package**|
|---|---|---|---|---|---|---|
|IGZ100N65H5|650V|100A|1.65V|175°C|G100EH5|PG-TO247-4|
2
IGZ100N65H5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Table�of�Contents**
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11 Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
3
Rev.�2.1,��2014-10-31
IGZ100N65H5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Maximum�Ratings**
**For�optimum�lifetime�and�reliability,�Infineon�recommends�operating�conditions�that�do�not�exceed�80%�of�the�maximum�ratings�stated�in�this�datasheet.**
|**Parameter**|**Symbol**||**Value**|**Unit**|
|---|---|---|---|---|
|Collector-emittervoltage,_T_vj≥25°C|_V_CE||650|V|
|DCcollectorcurrent,limitedby_T_vjmax<br>_T_C=25°C<br>_T_C=100°C|_I_C||161.0<br>101.0|A|
|Pulsedcollectorcurrent,_t_plimitedby_T_vjmax1)|_I_Cpuls||400.0|A|
|Turn off safe operating area<br>_V_CE≤650V,_T_vj≤175°C,_t_p=1µs1)|-||400.0|A|
|Gate-emitter voltage<br>TransientGate-emittervoltage(_t_p≤10µs,D<0.010)|_V_GE||±20<br>±30|V|
|Powerdissipation_T_C=25°C<br>Powerdissipation_T_C=100°C|_P_tot||536.0<br>268.0|W|
|Operating junction temperature|_T_vj|-40...+175||°C|
|Storage temperature|_T_stg|-55...+150||°C|
|Soldering temperature,<br>wave soldering1.6mm(0.063in.)from case for 10s|||260|°C|
|Mounting torque, M3 screw<br>Maximum of mounting processes: 3|_M_||0.6|Nm|
## **Thermal�Resistance**
|**ThermalResistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**|**Max.Value**||**Unit**|
|**Characteristic**||||||
|IGBT thermal resistance,<br>junction - case|_R_th(j-c)|||0.28|K/W|
|Thermal resistance<br>junction - ambient|_R_th(j-a)|||40|K/W|
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**StaticCharacteristic**|||||||
|Collector-emitter breakdown voltage|_V_(BR)CES|_V_GE=0V,_I_C=0.20mA|650|-|-|V|
|Collector-emitter saturation voltage|_V_CEsat|_V_GE=15.0V,_I_C=100.0A<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=100°C<br>_T_vj=150°C|-<br>-<br>-|1.65<br>1.82<br>1.90|2.10<br>-<br>-|V|
|Gate-emitter threshold voltage|_V_GE(th)|_I_C=1.00mA,_V_CE=_V_GE|3.2|4.0|4.8|V|
|Zero gate voltage collector current|_I_CES|_V_CE=650V,_V_GE=0V<br>_T_vj=25°C<br>_T_vj=175°C|-<br>-|-<br>1100.0|100.0<br>-|µA|
|Gate-emitter leakage current|_I_GES|_V_CE=0V,_V_GE=20V|-|-|100|nA|
|Transconductance|_g_fs|_V_CE=20V,_I_C=100.0A|-|200.0|-|S|
1) Defined by design. Not subject to production test.
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IGZ100N65H5
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
## High�speed�series�fifth�generation
## **Electrical�Characteristic,�at�** _**T**_ **vj�=�25°C,�unless�otherwise�specified**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**DynamicCharacteristic**|||||||
|Input capacitance|_C_ies|_V_CE=25V,_V_GE=0V,f=1MHz|-|6560|-|pF|
|Output capacitance|_C_oes||-|97|-||
|Reverse transfer capacitance|_C_res||-|21|-||
|Gate charge|_Q_G|_V_CC=520V,_I_C=100.0A,<br>_V_GE=15V|-|210.0|-|nC|
|Internal emitter inductance1)<br>measured 5mm (0.197 in.) from<br>case|_L_E||-|13.0|-|nH|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=25°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=25°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=50.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=8.0Ω,_R_G(off)=18.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery. Diode<br>from IKZ75N65EH5.|-|30|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|9|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|421|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|15|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|0.85|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.77|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|1.62|-|mJ|
## **Switching�Characteristic,�Inductive�Load**
|**Parameter**|**Symbol **|**Conditions**||**Value**||**Unit**|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||**min.**|**typ.**|**max.**||
|**IGBTCharacteristic,at****_T_vj=150°C**|||||||
|Turn-on delaytime|_t_d(on)|_T_vj=150°C,<br>_V_CC=400V,_I_C=50.0A,<br>_V_GE=0.0/15.0V,<br>_R_G(on)=8.0Ω,_R_G(off)=18.0Ω,<br>_L_σ=30nH,_C_σ=25pF<br>_L_σ,_C_σfromFig.E<br>Energy losses include “tail” and<br>diode reverse recovery. Diode<br>from IKZ75N65EH5.|-|28|-|ns|
|Rise time|_t_r||-|12|-|ns|
|Turn-off delaytime|_t_d(off)||-|468|-|ns|
|Fall time|_t_f||-|17|-|ns|
|Turn-on energy|_E_on||-|1.43|-|mJ|
|Turn-off energy|_E_off||-|0.76|-|mJ|
|Total switchingenergy|_E_ts||-|2.19|-|mJ|
1) The internal emitter inductance does not affect the gate control circuitry if bypassed by using the emitter sense pin.
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IGZ100N65H5
**==> picture [474 x 622] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
600<br>el<br>toh 500 Pp Py yd<br>100 I EI IS<br>aS-E aPfSeHSeeSTTT TT ee 400 | \\ | | |<br>GS Lat Ei Ee \<br>10<br>TTL<br>A Me 300 |<br>o A SaaNae<br>: ee ill 5 200 \<br>1<br>TPEFee FeeeSee 100 TK\ :<br>not for linear use<br>ee[e mIll SereeN<br>0.1 DT 0<br>1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 175<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] T C , CASE TEMPERATURE [°C]<br>Figure 1. Forward bias safe operating area Figure 2. Power dissipation as a function of case<br>( D =0, T C =25°C, T vj 175°C, V GE =15V, t p=1µs, temperature<br>I Cmax defined by design - not subject to ( T vj ≤ 175°C)<br>production test)<br>160 400<br>360<br>140<br>NO Ea<br>320<br>VGE = 20V<br>NCEE). pe<br>120<br>18V<br>280<br>15V<br>SLON CL ee<br>100 12V<br>240<br>10V<br>80 200 7V<br>pt LN 70ds E ss7 6V e0260<br>160 5V<br>60<br>PLONE 4V SY<br>120<br>BA 40 8 Nee<br>80<br>PONT FREE<br>20<br>40<br>EAS<br>Py EP<br>0 0 P ARA NE<br>25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0<br>T C , CASE TEMPERATURE [°C] V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]<br>I C P tot<br>I C I C<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 3. Collector current as **temperature** ( _V_ GE ≥ 15V, _T_ vj ≤ 175°C)
Figure 4. Typical ( _T_ vj=25°C)
6
IGZ100N65H5
**==> picture [474 x 623] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
400 400<br>Tvj = 25°C<br>360 PL LA | 360 | Tvj = 175°C PE<br>TAAL td a<br>PT T L ae<br>320 320<br>VGE = 20V<br>Lee f e TT<br>18V<br>280 280<br>14V L z /<br>Zzs |Sry As<br>12V<br>240 240<br>9V<br>é Ha ef<br>200 8V 200<br>: Wits |i il | ge<br>6V<br>160 5V 160<br>: Li} e | tt | ge | |<br>120 120<br>s | NK eT Ea<br>80 80<br>pa EE<br>40 40<br>{fp pid dal |<br>0 ALFF 0 epraas Ae<br>0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 2 3 4 5 6 7 8 9 10<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] V GE , GATE-EMITTER VOLTAGE [V]<br>Figure 5. Typical output characteristic Figure 6. Typical transfer characteristic<br>( T vj=175°C) ( V CE=20V)<br>2.50 1000 ——<br>IC = 25A<br>IC = 50A aee<br>2.25 IC = 100A<br>S a a ee ee ee ee<br>Ss a ee ee<br>el 2.00 a a<br>=) n<br>100<br>: e {|| | | | |<br>eiD 1.75 (0a eea ee<br>owae = es————— a<br>1.50<br>E O ee ee ee ee eee<br>—— 1.25 a al —e Lp<br>10<br>FE |<br>a A<br>(e) 1.00 a es<br>O A eeee<br>ee 0.75 td(off)<br>tf<br>td(on)<br>tr<br>Po) E LE<br>0.50 1<br>25 50 75 100 125 150 175 0 50 100 150 200 250 300<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>I C I C<br>t<br>CEsat<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 7. Typical a function ( _V_ GE=15V)
Figure 8.
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=8 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , test circuit in Figure E)
7
IGZ100N65H5
**==> picture [233 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1000 eeeeee<br>ee||<br>a ee<br>100 LE<br>= a eeee eeeeee ee<br>[ed a eeee eeeeee<br>a ee ee<br>Oe<br>Seer:<br>10<br>a<br>a eeeeeeee<br>td(off)d(off)<br>tff<br>td(on)d(on)<br>trr<br>f=<br>1<br>25 50 75 100 125 150 175<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>t<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [466 x 299] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
fa td(off) e tT | dT eeeeee<br>tf<br>1000 2 td(on) ——————_| ee||<br>———a a tr es ee ee eee a ee<br>e b 100 LE<br>= 100 JJ J __] = a eeee eeeeee ee<br>F eeee ee er cen a [ed a eeee eeeeee<br>9S |}et? a ee ee<br>5 eeeSSeS eee Oe<br>; GEES Seer:<br>10<br>nc<br>10<br>| $1} |_}+_|_+__+___] a<br>a A a eeeeeeee<br>td(off)d(off)<br>tff<br>td(on)d(on)<br>trr<br>444 f=<br>1 1<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>Figure 9. Typical switching times as a function of gate Figure 10. Typical switching times as a function of<br>resistance<br>t t<br>**----- End of picture text -----**<br>
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =50A, _R_ G(on)=8 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , dynamic circuit in Figure E)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V, _V_ GE =0/15V, _I_ C =50A, dynamic test Figure E)
**==> picture [474 x 312] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
6.0 12<br>typ. Eoff<br>5.5 min. 11 Eon<br>max. Ets<br>10<br>5.0<br>9<br>4.5<br>8<br>4.0<br>7<br>x 3.5 oo x 6 L<br>- Lee<br>5<br>3.0<br>4<br>Ww 2.5 x 7”<br>3<br>2.0<br>2<br>1.5<br>ie eeee 1<br>se 2<br>1.0 0<br>25 50 75 100 125 150 0 50 100 150 200 250 300<br>T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C] I C , COLLECTOR CURRENT [A]<br>Figure 11. Gate-emitter threshold voltage as a function Figure 12. Typical switching energy losses as a<br>of junction temperature function of collector current<br>( I C=1mA) (inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,=400V,<br>E<br>GE(th)<br>V<br>**----- End of picture text -----**<br>
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ CE=400V,=400V, _V_ GE =0/15V, _R_ G(on)=8 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , test circuit in Figure E)
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IGZ100N65H5
**==> picture [474 x 276] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
6.0 2.50<br>Eoff Eoff<br>5.5 Eon 2.25 Eon<br>Ets Ets<br>Fga<br>5.0<br>z BT z 2.00 C oePea<br>Ee ee e e 7<br>4.5<br>Ww . Ww 1.75<br>7)oBett 4.0 tt ee | | 7)o ~<br>aa “ aa 1.50<br>gph72 3.5 seetier ee) é eoeee<br>WwoxZ 3.0 “ ™ | Ww 1.25 = - ee<br>pot ut Z --<br>2.5<br>e) 1.00 TO<br>z tea“ 7 a omeeeZze) | woneeae<br>2.0<br>pT TT § ber<br>0.75<br>| Leer Te =<br>1.5<br>anak a ee 0.50<br>1.0<br>| AEE RHE EEE 0.25<br>0.5<br>0.0 0.00<br>PTPTT TTT) Et |ETT| |<br>0 10 20 30 40 50 25 50 75 100 125 150 175<br>R G , GATE RESISTANCE [ Ω ] T vj , JUNCTION TEMPERATURE [°C]<br>E E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 13.
**==> picture [151 x 28] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
(inductive load, T vj =150°C, V CE=400V,<br>V GE =0/15V, I C =50A, dynamictest<br>Figure E)<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 14.
(inductive load, _V_ CE =400V, _V_ GE=0/15V, _I_ C =50A, _R_ G(on)=8 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , dynamic circuit in Figure E)
**==> picture [474 x 275] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
2.50 16<br>Eoff VCE = 130V<br>2.25 Eon VCE = 520V<br>E Ets y tt 14 Ey<br>- 2.00 t oll<br>| | fe /;<br>12<br>ee rie f a<br>i 1.75 Ww /)<br>e)eft—! 1.50 term) Ea 10<br>2>errft | - ysO> Va,fi<br>Wwowz 1.25 TT = ae imbyeE 8 L; A<br>Ww 7 ocT ke—_— ‘<br>1.00<br>Beery pr y<br>Zz wets uy 6 f [|]<br>i Le <7 = /<br>0.75<br>e oe 14 3<br>4<br>sf |p<br>0.50<br>2<br>Pt}<br>0.25<br>0.00 0<br>200 225 250 275 300 325 350 375 400 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] Q G , GATE CHARGE [nC]<br>GE<br>V<br>E<br>**----- End of picture text -----**<br>
Figure 15.
Figure 16. Typical ( _I_ C=100A)
(inductive load, _T_ vj =150°C, _V_ GE=0/15V, _I_ C =50A, _R_ G(on)=8 Ω , _R_ G(off)=18 Ω , dynamic circuit in Figure E)
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**==> picture [472 x 312] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
1E+4<br>——— —— ———— a HHT TTT =e Dd LL<br>S S S<br>a EC 0.1 Tl D = 0.5<br>a a a eee<br>0.2<br>1000 0.1<br>2 i pea<br>& SSS § anita 0.05<br>O ee A | L<br>0.02<br>a eee a es cilAR NN lll<br>< TL| er 0.01 eT<br>DON Lu<br>oO FS A ag iipeuliag single pulse<br>2 FRE ell<br>0.01<br>° 100 i He AAHHH<br>———<br>es es Oe OD!<br>PE eT(A007) GHG |<br>Cies L ATE TN he, ell<br>Coes i:ri[K/W]: 14.7E-3 20.056403 30.049642 40.154033 50.012425 61.7E-3<br>Cres τ i[s]: 2.7E-5 2.5E-4 2.2E-3 0.014179 0.120087 1.91251<br>10 = [ bp 0.001 [| Co TEE | ET | TT Co<br>0 5 10 15 20 25 30 1E-6 1E-5 1E-4 0.001 0.01 0.1<br>V CE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V] t p , PULSE WIDTH [s]<br>Figure 17. Typical capacitance as a function of Figure 18. IGBT transient thermal impedance<br>collector-emitter voltage ( D = t p/T)<br>( V GE =0V, f=1MHz)<br>C<br>c)th(j-<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IGZ100N65H5
High�speed�series�fifth�generation
**==> picture [146 x 65] intentionally omitted <==**
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Rev.�2.1,��2014-10-31
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## High speed series fifth generation
## Revision History
## IGZ100N65H5
Revision: 2014-10-31, Rev. 2.1
|Previous Revision|Previous Revision||
|---|---|---|
|Revision|Date|Subjects(major changes since last revision)|
|1.1|2014-10-17|Preliminarydata sheet|
|2.1|2014-10-31|Final data sheet|
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Rev. 2.1, 2014-10-31
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Updated at June 9, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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