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FZ600R17KE3HOSA1
IGBT Module, Single Switch, 840 A, 2 V, 3.15 kW, 125 °C, Module
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: IGBT Modules
- Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:840A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:3.15kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Tran
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- Product Range: Standard 62mm C
- IGBT Technology: IGBT 3 [Trench/Field Stop]
- IGBT Termination: Tab
- Power Dissipation: 3.15kW
- IGBT Configuration: Single Switch
- Transistor Mounting: Panel
- Transistor Polarity: N Channel
- DC Collector Current: 840A
- Power Dissipation Pd: 3.15kW
- Transistor Case Style: Module
- Operating Temperature Max: 125°C
- Junction Temperature Tj Max: 125°C
- Continuous Collector Current: 840A
- Collector Emitter Voltage Max: 1.7kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Collector Emitter Saturation Voltage: 2V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 10 |
| Price | 167.61 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
## diode内蔵
VCES = 1700V IC nom = 600A / ICRM = 1200A
## **一般応用**
- ハイパワーコンバータ
- モーター駆動
- 風力タービン
-
-
-
## **電気的特性**
- 低スイッチング損失
- CEsat
- 優れたロバスト性
- 正温度特性を持ったVCEsat
-
- CEsat
-
- VCEsat
## **機械的特性**
- •
- CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ
- • • 長い縁面/空間距離
- 絶縁されたベースプレート
- 標準ハウジング
-
-
1
> IGBT-モジュールIGBT-modules FZ600R17KE3
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **IGBT- インバータ�/�IGBT,Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FZ600R17KE3<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-modules||
|---|---|
|preparedby:KY<br>approvedby:WR<br>dateofpublication:2013-10-03<br>revision:3.0<br>**IGBT- インバータ/IGBT,Inverter**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1700<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 80°C, Tvj max= 150°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 150°C<br>IC nom<br>IC<br>600<br>840<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>1200<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 150<br>Ptot<br>3150<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 600 A, VGE= 15 V<br>IC= 600 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>2,00<br>2,40<br>2,45<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 24,0 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>7,00<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>1,3<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>54,0<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>1,70<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1700 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>3,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 600 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 2,4Ω<br>td on<br>0,28<br>0,30<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 600 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 2,4Ω<br>tr<br>0,08<br>0,10<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 600 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 2,4Ω<br>td off<br>0,80<br>1,00<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 600 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 2,4Ω<br>tf<br>0,12<br>0,20<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 600 A, VCE= 900 V, LS= 60 nH<br>VGE= ±15 V, di/dt = 4600 A/µs<br>RGon= 2,4Ω<br>Eon<br>140<br>200<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 600 A, VCE= 900 V, LS= 60 nH<br>VGE= ±15 V, du/dt = 3750 V/µs<br>RGoff= 2,4Ω<br>Eoff<br>130<br>190<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 1000 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>2400<br>A<br>Tvj= 125°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>0,04<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>0,016<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>125<br>°C||
|preparedby:KY|dateofpublication:2013-10-03|
|---|---|
|approvedby:WR|revision:3.0|
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> IGBT-モジュールIGBT-modules FZ600R17KE3
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **Diode、インバータ�/�Diode,�Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1700|1700|1700|V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|600|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|1200|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C|I²t|56500<br>|||A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 600 A, VGE= 0 V<br>IF= 600 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C|VF||1,80<br>1,90|2,20|V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C|IRM||640<br>700||A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C|Qr||150<br>250||µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 600 A, - diF/dt = 4600 A/µs (Tvj=125°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C|Erec||81,0<br>145||mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC|||0,065|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||0,026||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||125|°C|
date�of�publication:�2013-10-03 revision:�3.0
prepared�by:�KY approved�by:�WR
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
|EY1—)L 1 Module||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|絶縁耐圧|RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.|VISOL||||3,4|||kV|
|ベースプレート材質||||||Cu||||
|内部絶縁<br>Internal isolation|BGR~~(7~~<br>7A1, IEC61140)<br>basic insulation (class 1, IEC 61140)|||||Al2O3||||
|沿面距離<br>Creepage distance|~~he~~<br>kK -E— KhYY7<br>/ terminal toheatsink<br>#8 SK -348755 /terminal to terminal|||||25,0<br>19,0|||mm|
|空間距離<br>Clearance|~~he~~<br>kK -E— KhYY7<br>/ terminal toheatsink<br>4G<br>75 3K - 348 73k /terminal to terminal|||||25,0<br>10,0|||mm|
|相対トラッキング指数||CTI||||> 400||||
|||||min.||typ.||max.||
|内部インダクタンス||LsCE||||16|||nH|
|パワーターミナル・チップ間抵抗<br>Module lead resistance, terminals - chip|TC<br>~~= 25°C, |A4 9F | per switch~~|RCC'+EE'<br>~~Pf~~|||~~|~~|0,50<br>~~fd~~|||mΩ|
|保存温度||Tstg||-40||||125|°C|
|取り付けネジ締め付けトルク|RWITY M6|||||||||
|Mounting torque for modul mounting|適切なアプリケーションノートによるマウンティング|M|3,00|||-||6,00|Nm|
||Screw M6<br>- Mounting according to valid application note|||||||||
|主端子ネジ締め付けトルク|RW<br>It RY M4|||||||||
|Terminal connection torque|適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>Screw M4<br>- Mounting according to valid application note<br>RWITY M6|M||1,8<br>2,5||-<br>-||2,1<br>5,0|Nm<br>Nm|
||Screw M6<br>- Mounting according to valid application note|||||||||
|質量<br>Weight||G||||340|||g|
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
**==> picture [489 x 606] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
I output C characteristic CE) IGBT,Inverter (typical) I output C characteristic CE) IGBT,Inverter (typical)<br>VGE “as Tvj =125°C<br>1200 1200<br>Tvj = 25°C VGE = 20V<br>1100 Tvj = 125°C VGE = 15V<br>VGE = 12V<br>1000 eI} 1000 fe VGE = 10V Le<br>Poor ] i /<br>VGE = 9V<br>900 VGE = 8V<br>pt ey E e e<br>800 800<br>Pt tA TT A<br>700<br>600 See see 600 Le<br>500 sees aaeeeeRRinr 2000<br>400 400<br>Pt tyr [i's<br>300 PEER CUTea<br>200 aatL eT2a 200 S| | feeep sapap=<br>100<br>Poy ESE [DAP<br>0 Piz | | | | 0 A<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V] VCE [V]<br>ERE IGBT- 4 Y/\—Z (Typical) At YFYTIBX IGBT- 14 Y/\—Z (Typical)<br>transfer characteristic IGBT,Inverter(typical) switching losses IGBT,Inverter (typical)<br>IC GE) Eon C off C)<br>VCE oo VGE ~HeVR Gon S24 Ω ,R Goff =24 Ω ,V CE =900V<br>1200 600<br>| / a<br>Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C<br>Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C<br>1000 Ey 500 |<br>800 400<br>PtP t y<br>SERRE? [ae] B e tt<br>600 300<br>400 200<br>PETA Ee<br>200 100<br>0 0<br>5 LAT 6 7 8 9 10 TT} 11 12 13 fet 0 200 400 600 800 1000 1200<br>VGE [V] IC [A]<br> [A] [A]<br>IC IC<br> [A]<br>IC E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>
5
IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
**==> picture [486 x 599] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Eon ={(R),E G off =f(R G) ZthJC =f (t)<br>VGE =+15V,| C =600A,V CE =900V<br>1100 0,1<br>Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT<br>1000 | = Eoff, T — vj = 125°C 7 7 | | Soo[—<br>900 — —— | | | | Ee H EH<br>800 P t P OY Lc 0 |<br>700 ee VL LUT ELAINE TTT<br>600<br>El<br>po eee ee ee 0,01 {|<br>500400 PTee ZL]a eee LZteke<br>7 Lt TTA TP<br>a Aa<br>300<br>200 4 PATE ET ETT<br>i: 1 2 3 4<br>ri[K/W]: 0,004 0,012 0,016 0,008<br>100 Peppers C AM τ i[s]: 0,01 0,04 0,06 E 0,3<br>0 ee ee ee ee e e 0,001 Jl coo l<br>0 5 10 15 20 25 0,001 0,01 0,1 1 10<br>RG [ Ω ] t [s]<br>PINT PARSENMERIGBT- 7 Y/\—% (RBSOA) ) BBE Diode, 4 Y/\—Z ( [typical)]<br>I reverse C CE bias ) safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA) forward IF F) characteristic of Diode, Inverter (typical)<br>VGE “i sV.R Goff =24 Ω ,T vj =125°C a<br>1300 1200<br>IC, Modul Tvj = 25°C<br>1200 IC, Chip Tvj = 125°C<br>1100 fF—ee r ye e l Oe 1000 Ed — yf/F i) f<br>1000<br>900 Pt | || tt| rt rE /<br>800<br>800 Pt | | | rt rE ;<br>700<br>Pet | | te /<br>600<br>600 Pet | tt yt<br>500<br>ee ee it 400 yt Fy ty<br>400 Pet | | tt /<br>300<br>200 aPt | | tt 200 Pe] EAT] ty<br>100<br>Pt | | | rt apa<br>0 P| | | | | ht tT 0 =<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0<br>VCE [V] VF [V]<br> [K/W]<br>E [mJ]<br>thJC<br>Z<br> [A] [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>
6
IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
**==> picture [485 x 596] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Erec =f il F) Erec =f(R G)<br>RGon Ny Ω ,V CE =900V IF = G00 A, V CE = 900 V<br>200 180<br>Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C<br>180160 aeeee _ 160 ee| ee<br>140<br>ee ee ee eee<br>140<br>pce<br>120<br>120<br>100<br>100<br>80<br>80 Ato EN<br>| po<br>60<br>60<br>40<br>40 A eof | |<br>20 20<br>0 0<br>0 200 400 600 800 1000 1200 0 5 10 15 20 25<br>IF [A] RG [ Ω ]<br>BRAT YE—-SAYZ Diode, 1 V/\—-2<br>transient thermal impedance Diode, Inverter<br>ZthJC =f (t)<br>0,1<br>Le<br>ZthJC : Diode<br>H— F ccc oo<br>eee a e<br>a<br>| el<br>PLEAE PTE PT<br>UIEAINE EET ETE<br>0,01<br>PtPT TTTTTT)<br>1 | TT A TETTT<br>| |<br>PUI<br>PAT VN | TETCLC i: 1 ETI 2 3 ET 4<br>ri[K/W]: 0,0065 0,0195 0,026 0,013<br>τ i[s]: 0,01 0,04 0,06 0,3<br>ef el OE<br>0,001<br>0,001 0,01 0,1 1 10<br>t [s]<br>E [mJ] E [mJ]<br> [K/W]<br>thJC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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**==> picture [343 x 44] intentionally omitted <==**
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テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information<br>IGBT-モジュールIGBT-modules FZ600R17KE3<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
**==> picture [432 x 327] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
回路図�/�circuit_diagram_headline<br>パッケージ概要�/�package�outlines<br>In fin e o n<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [319 x 25] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
prepared�by:�KY date�of�publication:�2013-10-03<br>approved�by:�WR revision:�3.0<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FZ600R17KE3
## **この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。**
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに SBAYASDEMUET. (www.infineon.com Si) ノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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Updated at April 28, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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