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FP15R12W1T4BOMA1
IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Module
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: IGBT Modules
- Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- Product Range: EasyPIM 1B
- IGBT Technology: IGBT 4 [Trench/Field Stop]
- IGBT Termination: Press Fit
- Power Dissipation: 130W
- IGBT Configuration: PIM Three Phase Input Rectifier
- Transistor Mounting: Panel
- Transistor Polarity: N Channel
- DC Collector Current: 28A
- Power Dissipation Pd: 130W
- Transistor Case Style: Module
- Operating Temperature Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Continuous Collector Current: 28A
- Collector Emitter Voltage Max: 1.2kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.85V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 100 |
| Price | 23.46 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
IGBT-モジュール IGBT-modules
## FP15R12W1T4
VCES = 1200V IC nom = 15A / ICRM = 30A
## **一般応用**
- スタティックインバーター
- 空冷
- モーター駆動
-
-
-
## **電気的特性**
- 低スイッチング損失
-
- 正温度特性を持ったVCEsat
- CEsat
-
-
- VCEsat
- CEsat
## **機械的特性**
- (RB VE-AYVAZAO AI 2O3 DCB
- コンパクトデザイン
- • 半田接合技術
- 固定用クランプによる強固なマウンティング
- Al2O3
-
-
• Rugged mounting due to integrated mounting clamps
1
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **IGBT- インバータ�/�IGBT,Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FP15R12W1T4<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-modules||
|---|---|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2<br>**暫定データ**<br>**PreliminaryData**<br>**IGBT- インバータ/IGBT,Inverter**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1200<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 100°C, Tvj max= 175°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>IC nom<br>IC<br>15<br>28<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>30<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 175<br>Ptot<br>130<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>1,85<br>2,15<br>2,25<br>2,25<br>V<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 0,48 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>0,12<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>0,0<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>0,89<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>0,03<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1200 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>1,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 39Ω<br>td on<br>0,055<br>0,055<br>0,055<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 39Ω<br>tr<br>0,059<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 39Ω<br>td off<br>0,195<br>0,275<br>0,28<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 39Ω<br>tf<br>0,145<br>0,19<br>0,215<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V, di/dt = 550 A/µs (Tvj= 150°C)<br>RGon= 39Ω<br>Eon<br>1,30<br>1,75<br>1,95<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj= 150°C)<br>RGoff= 39Ω<br>Eoff<br>0,83<br>1,20<br>1,35<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 800 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>55<br>A<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>1,05<br>1,15<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>1,05<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>150<br>°C||
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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **Diode、インバータ�/�Diode,�Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1200|1200||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|15|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|30|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C<br>VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 150°C|I²t|16,0<br>14,0|||A²s<br>A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 15 A, VGE= 0 V<br>IF= 15 A, VGE= 0 V<br>IF= 15 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||2,00<br>2,10<br>2,10|2,65|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||13,0<br>12,0<br>12,0||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||1,20<br>2,05<br>2,40||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||0,37<br>0,68<br>0,80||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,75|1,90|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,30||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
## **Diode、整流器�/�Diode,�Rectifier 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1600|1600||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|最大実効順電流/chip<br>MaximumRMSforwardcurrentperchip|TC= 80°C|IFRMSM|30|||A|
|整流出力の最大実効電流<br>MaximumRMScurrentatrectifieroutput|TC= 80°C|IRMSM|30|||A|
|サージ順電流<br>Surgeforwardcurrent|tp= 10 ms, Tvj= 25°C<br>tp= 10 ms, Tvj= 150°C|IFSM|300<br>245|||A<br>A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|tp= 10 ms, Tvj= 25°C<br>tp= 10 ms, Tvj= 150°C|I²t|450<br>300|||A²s<br>A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|Tvj= 150°C, IF= 15 A|VF||0,85||V|
|逆電流<br>Reversecurrent|Tvj= 150°C, VR= 1600 V|IR||1,00||mA|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,20|1,35|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,15||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2|||||||
|preparedby:DK|dateofpublication:2013-10-07||||||
|approvedby:MB|revision:2.2||||||
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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **IGBT-ブレーキチョッパー�/�IGBT,�Brake-Chopper 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FP15R12W1T4<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-modules||
|---|---|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2<br>**暫定データ**<br>**PreliminaryData**<br>**IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1200<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 100°C, Tvj max= 175°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>IC nom<br>IC<br>15<br>28<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>30<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 175<br>Ptot<br>130<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>1,85<br>2,15<br>2,25<br>2,25<br>V<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 0,48 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>0,12<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>0,0<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>0,89<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>0,03<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1200 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>1,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>td on<br>0,065<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>tr<br>0,06<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>td off<br>0,21<br>0,28<br>0,285<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>tf<br>0,17<br>0,20<br>0,225<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>Eon<br>1,35<br>1,80<br>2,00<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>Eoff<br>0,85<br>1,20<br>1,35<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 800 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>55<br>A<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>1,05<br>1,15<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>1,05<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>150<br>°C||
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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **Diode、ブレーキチョッパー�/�Diode,�Brake-Chopper 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1200|1200||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|10|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|20|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C|I²t|16,0|||A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 10 A, VGE= 0 V<br>IF= 10 A, VGE= 0 V<br>IF= 10 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||1,75<br>1,75<br>1,75|2,25|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||12,0<br>10,0<br>8,00||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||0,90<br>1,70<br>1,90||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||0,24<br>0,52<br>0,59||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,75|1,90|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,30||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
## **NTC-サーミスタ�/�NTC-Thermistor**
## **電気的特性�/�Characteristic�Values**
|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.<br>typ.||max.||
|定格抵抗値<br>Ratedresistance|TC= 25°C|R25||5,00||kΩ|
|R100の偏差<br>DeviationofR100|TC= 100°C, R100= 493Ω|∆R/R|-5||5|%|
|損失<br>Powerdissipation|TC= 25°C|P25|||20,0|mW|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/50(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/50||3375||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/80(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/80||3411||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/100(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/100||3433||K|
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specification�according�to�the�valid�application�note.
prepared�by:�DK date�of�publication:�2013-10-07 approved�by:�MB revision:�2.2
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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4
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## **暫定データ Preliminary�Data**
## **モジュール�/�Module**
|**モジュール/Module**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|絶縁耐圧<br>Isolationtestvoltage|RMS, f = 50 Hz, t = 1 min|VISOL|2,5|||kV|
|内部絶縁<br>Internalisolation|基礎絶縁(クラス1,IEC61140)<br>basicinsulation(class1,IEC61140)||AI203||||
|沿面距離<br>Creepagedistance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||11,5<br>6,3|||mm|
|空間距離<br>Clearance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||10,0<br>5,0|||mm|
|相対トラッキング指数<br>Comperativetrackingindex||CTI||> 200|||
||||min.|typ.|max.||
|内部インダクタンス<br>Strayinductancemodule||LsCE||30||nH|
|パワーターミナル・チップ間抵抗<br>Moduleleadresistance,terminals-chip|TC=25°C,/スイッチ/perswitch|RCC'+EE'<br>RAA'+CC'||8,00<br>6,00||mΩ|
|最大ジャンクション温度<br>Maximumjunctiontemperature|インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,<br>brake-chopper<br>整流器/rectifier|Tvj max|||175<br>150|°C<br>°C|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions|インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,<br>brake-chopper<br>整流器/rectifier|Tvj op|-40<br>-40||150<br>150|°C<br>°C|
|保存温度<br>Storagetemperature||Tstg|-40||125|°C|
|Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder<br>mountig force per clamp||F|20|-|50|N|
|質量<br>Weight||G||24||g|
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
date�of�publication:�2013-10-07 revision:�2.2
prepared�by:�DK approved�by:�MB
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IGBT-モジュール<br>IGBT-modules<br>**----- End of picture text -----**<br>
## FP15R12W1T4
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暫定データ<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IC =f(V CE) IC =f(V CE)<br>VGE =15V Tvj = 150°C<br>30 a | 7 30 es | az<br>Tvj = 25°C VGE = 19 V<br>27 F Tvj = 125°C e 27 VGE = 17 V Le Le<br>Tvj = 150°C VGE = 15 V<br>VGE = 13 V<br>24 ea ’ a 24 VGE = 11 V rd Z<br>VGE = 9 V<br>p t ee | AL<br>21 21<br>a ae E e<br>18 ea 18 e vee<br>Pe eee eee<br>15 15<br>he if / va<br>12 12<br>9 ee 9 //<br>ce ee<br>ee<br>6 6<br>Aen) acne<br>3 3<br>ee<br>0 0<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V] VCE [V]<br>iE IGBT- 4 Y/\—Z (Typical) At YFYVTIIBR IGBT- 4 Y/\—Z (Typical)<br>transfer characteristic IGBT,Inverter(typical) switching losses IGBT,Inverter (typical)<br>IC =f(V GE) Eon =f(l),E C off =f(I C)<br>VCE =20V VGE =+15V,R Gon =39 Ω ,R Goff =39 Ω ,V CE =600V<br>30 6<br>Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C<br>27 Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C<br>Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C<br>5 Eoff, Tvj = 150°C<br>24 ea E |<br>21<br>et | |ee 4<br>a a 7<br>18<br>15 3<br>12<br>2<br>9<br>6<br>1<br>3<br>0 0<br>poe cana<br>5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30<br>VGE [V] IC [A]<br> [A] [A]<br>IC IC<br> [A]<br>IC E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FP15R12W1T4
## **暫定データ**
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Eon =f{(R)E G off =f(R G) ZthJH =f (t)<br>VGE =+15V,1 C =15A,V CE =600V<br>9,0 10<br>o Eon, Tvj = 125°C o L ZthJH : IGBT 0s<br>Eon, Tvj = 150°C a ae ll<br>8,0 Eoff, Tvj = 125°C<br>Eoff, Tvj = 150°C<br>e n rho a e r ll<br>7,06,0 Pe ) te<br>ae<br>5,0 Pf | Le ea e<br>/ 1 ye<br>BREA< ESS<br>4,0 WA a a<br>Pt | ae tf | |] | a )2 ell<br>3,0 Be a a re 200724i | ene|et |<br>2,0<br>i: 1 2 3 4<br>1,0 ri[K/W]: 0,154 0,345 0,865 0,736<br>S| e τ i[s]: e 0,0005 0,005 0,05 0,2<br>PEELE) LEW fetl l<br>0,0 0,1<br>0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,001 0,01 0,1 1 10<br>RG [ Ω ] t [s]<br>PINT PARSENMERIGBT- 7 Y/\—% (RBSOA) ) BBE Diode, 4 Y/\—Z ( [typical)]<br>reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA) forward characteristic of Diode, Inverter (typical)<br>IC CE) IF F)<br>VGE “i sV.R Goff =39 Ω ,T vj =150°C a<br>33 30<br>IC, Modul Tvj = 25°C<br>30 I C , Chip 27 Tvj = 125°C<br>Tvj = 150°C<br>27 Eo fee<br>24<br>24<br>RAH 21 s a n e oe<br>21<br>18<br>18<br>15<br>15<br>Hf} i | ft ae a<br>12<br>12<br>9<br>9<br>6<br>6<br>30 P| | ft | ft 30 f e ae<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0<br>VCE [V] VF [V]<br> [K/W]<br>E [mJ]<br>thJH<br>Z<br> [A] [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FP15R12W1T4
## **暫定データ**
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Erec =f(I F) Erec =f(R G)<br>RGon Ω »,V CE =600V IF -ighy CE = 600 V<br>1,4 1,0<br>Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C<br>Erec, Tvj = 150°C 0,9 Erec, Tvj = 150°C<br>1,2 Ey) | FE Jo<br>0,8<br>ry |...) PTT tt tL<br>1,0<br>0,7<br>0,6<br>0,8<br>0,5<br>Pope<br>0,6 anne SON<br>0,4<br>Le et |ANT<br>put |] 0,3 EE SRE<br>0,4<br>0,2<br>Pees ee<br>0,2<br>0,1<br>0,0 0,0<br>0 5 10 15 20 25 30 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400<br>IF [A] RG [ Ω ]<br>JAA YE-AYZ Diode. 4 V/\—R2 WEA THStE Diode, Bwizs ( #2!)<br>transient thermal impedance Diode, Inverter forward characteristic of Diode, Rectifier (typical)<br>ZthJH =f (t) IF =f(V F)<br>10 (eee ee 30 a<br>| ZthJH : Diode a ee Tvj = 25°C<br>Tt HS ioo T y] eo nn Tvj = 150°C<br>o_o a l l 25 Ed) i ify<br>AB Py] typ<br>a a eae I 20<br>MAM LL<br>1 15<br>a<br>YATTAT ETTTTTTT<br>Zo |<br>aa| 10<br>0<br>P8 er)0PLM i: 1 EECy 2 3 4 5 Pe) la fy<br>ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808<br>τ i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2<br>0,1 0<br>0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4<br>t [s] VF [V]<br>E [mJ] E [mJ]<br> [K/W]thJH [A]IF<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FP15R12W1T4
## **暫定データ**
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IC =f(V CE) IF =f(V F)<br>VGE =15V<br>30 20<br>Tvj = 25°C Tvj = 25°C<br>27 Tvj = 125°C 18 Tvj = 125°C<br>Tvj = 150°C Tvj = 150°C<br>(ea e ee ee<br>24 Pe st 16 es )<br>ee eera c / va<br>21 14<br>18 12<br>15 10<br>12 8<br>9 ee 6<br>6 4<br>3 2<br>0 0<br>ee ee e e [e][e]<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br>VCE [V] VF [V]<br> [A] [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>
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100000 —— Rtyp<br>}— fe<br>(Rar ce<br>a<br>a a<br>10000 nja |<br>EReeee ee<br>a NeNe eeee ee<br>pot NE<br>pp Nf<br>1000<br>a<br>poaa<br>(a NN<br>aa<br>100<br>0 20 40 60 80 100 120 140 160<br>TC [°C]<br>] Ω<br>R[<br>**----- End of picture text -----**<br>
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**==> picture [523 x 268] intentionally omitted <==**
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テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information<br>IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4<br>暫定データ<br>Preliminary�Data<br>回路図�/�circuit_diagram_headline<br>J<br>パッケージ概要�/�package�outlines<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Infineon<br>**----- End of picture text -----**<br>
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prepared�by:�DK date�of�publication:�2013-10-07 approved�by:�MB revision:�2.2
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IGBT-モジュール IGBT-modules
## FP15R12W1T4
## **暫定データ**
## **この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。**
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
ノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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Updated at April 28, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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