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Illustrative purposes only
FF450R17ME4BOSA1
IGBT Module, Dual, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Module
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: IGBT Modules
- Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:2.5kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Transis
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- Product Range: EconoDUAL 3
- IGBT Technology: IGBT 4 [Trench/Field Stop]
- IGBT Termination: Press Fit
- Power Dissipation: 2.5kW
- IGBT Configuration: Dual
- Transistor Mounting: Panel
- Transistor Polarity: N Channel
- DC Collector Current: 600A
- Power Dissipation Pd: 2.5kW
- Transistor Case Style: Module
- Operating Temperature Max: 150°C
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Continuous Collector Current: 600A
- Collector Emitter Voltage Max: 1.7kV
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV
- Collector Emitter Saturation Voltage: 1.95V
- Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 10 |
| Price | 154.47 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
IGBT-モジュール IGBT-Module
## FF450R17ME4
## EconoDUAL™3 EY NTCサーミスタ
VCES = 1700V IC nom = 450A / ICRM = 900A
## **一般応用**
- モーター駆動
- サーボ駆動
- UPSシステム
- 風力タービン
-
-
-
-
## **電気的特性**
- CEsat
- T
- 正温度特性を持ったVCEsat
- CEsat
- T
- VCEsat
## **機械的特性**
- 高いパワー密度
- • 絶縁されたベースプレート • 標準ハウジング
-
-
-
**Digit**
1
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-Module FF450R17ME4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **IGBT- インバータ�/�IGBT,Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FF450R17ME4<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-Module||
|---|---|
|preparedby:CU<br>approvedby:MK<br>dateofpublication:2014-06-06<br>revision:2.5<br>**暫定データ**<br>**PreliminaryData**<br>**IGBT- インバータ/IGBT,Inverter**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1700<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 100°C, Tvj max= 175°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>IC nom<br>IC<br>450<br>600<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>900<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>Ptot<br>2500<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 450 A, VGE= 15 V<br>IC= 450 A, VGE= 15 V<br>IC= 450 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>1,95<br>2,35<br>2,45<br>2,30<br>V<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 18,0 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>4,60<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>1,7<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>36,0<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>1,15<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1700 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>3,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 450 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 3,3Ω<br>td on<br>0,21<br>0,26<br>0,26<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 450 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 3,3Ω<br>tr<br>0,11<br>0,12<br>0,12<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 450 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 3,3Ω<br>td off<br>0,80<br>0,95<br>1,00<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 450 A, VCE= 900 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 3,3Ω<br>tf<br>0,30<br>0,50<br>0,60<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 450 A, VCE= 900 V, LS= 35 nH<br>VGE= ±15 V, di/dt = 3900 A/µs (Tvj= 150°C)<br>RGon= 3,3Ω<br>Eon<br>105<br>135<br>145<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 450 A, VCE= 900 V, LS= 35 nH<br>VGE= ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj= 150°C)<br>RGoff= 3,3Ω<br>Eoff<br>98,0<br>155<br>170<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 1000 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>2300<br>A<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>0,06<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>0,029<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>150<br>°C||
2
> IGBT-モジュールIGBT-Module FF450R17ME4
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **Diode、インバータ�/�Diode,�Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values**
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1700|1700|1700|V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|450|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|900|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C|I²t|20000<br>|||A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 450 A, VGE= 0 V<br>IF= 450 A, VGE= 0 V<br>IF= 450 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||1,80<br>1,90<br>1,95|2,20|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||480<br>550<br>585||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||95,0<br>170<br>190||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 450 A, - diF/dt = 3900 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||60,0<br>110<br>125||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC|||0,10|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||0,048||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
## **NTC-サーミスタ�/�NTC-Thermistor 電気的特性�/�Characteristic�Values**
|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|定格抵抗値<br>Ratedresistance|TC= 25°C|R25||5,00||kΩ|
|R100の偏差<br>DeviationofR100|TC= 100°C, R100= 493Ω|∆R/R|-5||5|%|
|損失<br>Powerdissipation|TC= 25°C|P25|||20,0|mW|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/50(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/50||3375||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/80(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/80||3411||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/100(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/100||3433||K|
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specification�according�to�the�valid�application�note.
prepared�by:�CU date�of�publication:�2014-06-06 approved�by:�MK revision:�2.5
3
## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information
> IGBT-モジュールIGBT-Module FF450R17ME4
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
## **暫定データ Preliminary�Data**
## **モジュール�/�Module**
|**モジュール/Module**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|絶縁耐圧<br>Isolationtestvoltage|RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.|VISOL|3,4|||kV|
|ベースプレート材質<br>Materialofmodulebaseplate|||Cu||||
|内部絶縁<br>Internalisolation|基礎絶縁(クラス1,IEC61140)<br>basicinsulation(class1,IEC61140)||Al2O3||||
|沿面距離<br>Creepagedistance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||14,5<br>13,0|||mm|
|空間距離<br>Clearance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||12,5<br>10,0|||mm|
|相対トラッキング指数<br>Comperativetrackingindex||CTI||> 200|||
||||min.|typ.|max.||
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/モジュール/permodule<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||0,009||K/W|
|内部インダクタンス<br>Strayinductancemodule||LsCE||20||nH|
|パワーターミナル・チップ間抵抗<br>Moduleleadresistance,terminals-chip|TC=25°C,/スイッチ/perswitch|RCC'+EE'||1,10||mΩ|
|保存温度<br>Storagetemperature||Tstg|-40||125|°C|
|取り付けネジ締め付けトルク<br>Mountingtorqueformodulmounting|取り付けネジM5<br>適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote|M|3,00|-|6,00|Nm|
|主端子ネジ締め付けトルク<br>Terminalconnectiontorque|取り付けネジM6<br>適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote|M|3,0|-|6,0|Nm|
|質量<br>Weight||G||345||g|
prepared�by:�CU approved�by:�MK
date�of�publication:�2014-06-06 revision:�2.5
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IGBT-モジュール IGBT-Module
## FF450R17ME4
**==> picture [61 x 12] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
暫定データ<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [487 x 596] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
IC =f(V CE) IC =f(V CE)<br>VGE =15V Tvj = 150°C<br>900 900<br>Tvj = 25°C VGE = 20V<br>T | vj = 125°C ’ v e V s GE = 15V | / ,<br>Tvj = 150°C VGE = 12V<br>750 750 VGE = 10V<br>VGE = 9V<br>VGE = 8V<br>600 600<br>450 450<br>300 300<br>is en<br>oo<br>150 150<br>0 0<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V] VCE [V]<br>iE IGBT- 4 Y/\—Z (Typical) At YF YTB IGBT- 4 Y/\—Z (Typical)<br>transfer characteristic IGBT,Inverter (typical) switching losses IGBT, Inverter (typical)<br>IC =f(V GE) Eon =f(l),E C off =f(I C)<br>VCE =20V VGE =+15V,R Gon =33 Ω ,R Goff =33 Ω ,V CE =900V<br>900 500<br>Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C<br>Tvj = 125°C 450 Eon, Tvj = 150°C<br>Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C<br>750 Eoff, Tvj = 150°C<br>400<br>350<br>600<br>300<br>450 250<br>200<br>300<br>ALLL ee<br>150<br>100<br>150<br>50<br>0 0<br>5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 150 300 450 600 750 900<br>VGE [V] IC [A]<br> [A] [A]<br>IC IC<br> [A]<br>IC E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>
5
IGBT-モジュール IGBT-Module
## FF450R17ME4
## **暫定データ**
**==> picture [486 x 596] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Eon =f(R),E G off =f(R G) ZthJC = f(t)<br>VGE =+15V,1 C =450A,V CE =900V<br>800 LC] 0,1 PpH —L tii taTTT TTT<br>Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT<br>Eon, Tvj = 150°C H— COA<br>700 | EEoffoff, T, Tvjvj = 125°C = 150°C = | S O E ee|<br>ee I} fl. a |<br>a Oe<br>600<br>500 2 PP ae)A Z| | aCIEELI<br>400 0,01<br>300 P| LAa| fy | rTSee7a YTenTTLb<br>0 it<br>200 Eanes=a a a ||<br>__<br>i: 1 2 3 4<br>100 ri[K/W]: 0,002 0,0092 0,0426 0,0063<br>| p τ i[s]: 0,0008 e 0,013 0,05 0,6<br>P EL bl<br>0 0,001<br>0 5 10 15 20 25 30 35 0,001 0,01 0,1 1 10<br>RG [ Ω ] t [s]<br>NT PARSE IGBT- 4 >/\—% (RBSOA)) IRB Et Diode, 4 Y/\—Z ( [typical)]<br>reverse bias safe operating area IGBT, Inverter (RBSOA) forward characteristic of Diode, Inverter (typical)<br>IC CE) IF F)<br>VGE SVR Goff =3.3 Ω ,T vj =150°C a<br>1050 900<br>IC, Modul Tvj = 25°C<br>IC, Chip Tvj = 125°C<br>900 Ld E Tvj = 150°C ae<br>750<br>750<br>600<br>600<br>450<br>450<br>300<br>300<br>150<br>150<br>0 0<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br>VCE [V] VF [V]<br> [K/W]<br>E [mJ]<br>thJC<br>Z<br> [A] [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>
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> IGBT-モジュールIGBT-Module FF450R17ME4
**==> picture [61 x 12] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
暫定データ<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [485 x 279] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Erec =f(I F) Erec =f(R G)<br>RGon 2, Ω ,V CE =900V IF = ASO A.V CE = 900 V<br>180 a 150 ae<br>Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C<br>160 Erec, Tvj = 150°C 140 Erec, Tvj = 150°C<br>EJP TT] 130 Sef&<br>140 Ie 120 Fee<br>110<br>120 ee ee e e<br>100<br>ee AS<br>100<br>90<br>80 pee] 80<br>| |} EAR<br>70<br>PY) ERPS<br>60<br>60<br>40 50<br>40<br>20<br>30<br>0 20<br>0 150 300 450 600 750 900 0 5 10 15 20 25 30 35<br>IF [A] RG [ Ω ]<br>E [mJ] E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [487 x 280] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
ZthJC =f (t) R=f(T)<br>1 100000<br>ZthJC : Diode Rtyp<br>{— et [I ———<br>Re pe<br>PTa TT TTT |TTT aa ee eeeeee eeee<br>0,1 10000<br>Pet tt Pt<br>Pet eet a<br>PT TTT TAT ES NN se ee<br>PTa TT TTT TTT TTT aPNNe a eeee<br>a ae 2 ee eee<br>0,01 1000<br>CaMPEE EHHCI CUI SHUM —————Pf [EN]<br>Pt a<br>PTa TT TTT TTT | aa eeee ee<br>i: 1 2 3 4<br>ri[K/W]: 0,0063 0,0238 0,0629 0,007<br>as τ i[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6 I a<br>0,001 LM Somes Sl 100 dL<br>0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160<br>t [s] TC [°C]<br>] Ω<br> [K/W]<br>R[<br>thJC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information IGBT-モジュールIGBT-Module FF450R17ME4
**==> picture [317 x 174] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
回路図�/�circuit_diagram_headline<br>パッケージ概要�/�package�outlines<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**
**暫定データ Preliminary�Data**
**==> picture [21 x 4] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
Infineon<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [53 x 74] intentionally omitted <==**
**==> picture [42 x 35] intentionally omitted <==**
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prepared�by:�CU date�of�publication:�2014-06-06 approved�by:�MK revision:�2.5
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IGBT-モジュール IGBT-Module
## FF450R17ME4
## **暫定データ**
## **この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。**
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
ノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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Updated at April 28, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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