DI048N04PQ2

DI048N04PQ2 

## **DI048N04PQ2** 

**Dual N-Channel Power MOSFET N-Kanal Leistungs-Doppel-MOSFET** 

**ID25°C = 48 A VDSS = 40 V RDS(on) ~ 8 mΩ PD = 27.7 W Tjmax = 150°C EAS = 45 mJ** 

Version 2024-08-05 

**QFN5x6-Dual** ~TDSON-8-4 

SPICE Model & STEP File 1) 

**Marking Code** 604D060 **HS Code** 85412900 

## **Typical Applications** 

## **Typische Anwendungen** 

DC/DC Converters Power Supplies DC Drives Synchronous Rectifiers Commercial / Industrial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant[1] ) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified[1] ) 

Gleichstrom-Wandler Stromversorgungen Gleichstrom-Antriebe Synchrongleichrichter Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform[1] ) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert[1] ) 

## **Besonderheiten** 

## **Features** 

Dual MOSFET Doppel-MOSFET Low profile, space saving package Flache, platzsparende Bauform Low on state resistance Niedriger Einschaltwiderstand Fast switching times Schnelle Schaltzeiten Low gate charge Niedrige Gate-Ladung Avalanche rated Avalanche-Charakteristik Compliant to RoHS (exemp. 7a), **Pb** PB Konform zu RoHS Ausn. 7a), REACH, Conflict Minerals[1] ) REACH, Konfliktmineralien[1] ) **Mechanical Data[1] ) Mechanische Daten[1] )** Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 3 

|**Maximum ratings2)**|**Maximum ratings2)**||**Grenzwerte2)**|
|---|---|---|---|
|Valid per MOSFET – Gültig pro MOSFET||**DI048N04PQ2**|**DI048N04PQ2-**<br>**AQ**|
|Drain-Source voltage<br>Drain-Source-Spannung<br>VGS= 0 V (short)|VDSS|40 V||
|Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd|VGSS|± 20 V||
|Power dissipation<br>Verlustleistung<br>TC= 25°C3)<br>~~a~~|Ptot<br>~~a~~|27.7 W<br>~~a~~|24 W<br>~~a~~|
|Drain current continous<br>Drainstrom dauernd<br>TC= 25°C3)|ID|48 A|36 A|
|Drain current continous<br>Drainstrom dauernd<br>TC= 100°C3)|ID|30 A|22 A|
|Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom<br>4)|IDM|200 A||
|Source current continous<br>Sourcestrom dauernd<br>TC= 25°C3)<br>~~fo~~|IS<br>~~fo~~|30 A<br>~~fo~~||
|Peak Source current – Source-Spitzenstrom<br>VGS= 0 V, tp= 10 ms|ISM|150 A||
|Single pulse avalanche energy<br>Einzelpuls Avalanche-Energie<br>(Fig. 1)<br>VDD= 30 V, VG= 10 V<br>L = 0.1 mH, RG= 25 Ω<br>~~fo~~|EAS<br>~~fo~~|45 mJ<br>~~fo~~|36 mJ<br>~~fo~~|
|Junction temperature – Sperrschichttemperatur<br>Storage temperature – Lagerungstemperatur|Tj<br>TS|-55…+150°C<br>-55…+150°C||



1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 

- 2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben 

- 3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne 

- 4 Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm 

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DI048N04PQ2 

|**Characteristics (static)**|||**Kennwerte (statisch)**|
|---|---|---|---|
|Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung<br>ID= 250 µA<br>VGS= 0 V (short)<br>Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom<br>VDS= 32 V<br>VGS= 0 V (short)<br>Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom<br>VGS= ±16 V<br>VDS= 0 V (short)<br>Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung<br>VGS= VDS<br>ID= 250 µA<br>Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand<br>VGS= 10 V<br>ID= 12 A<br>VGS= 4.5 V<br>ID= 10 A|Tj= 25°C<br>V(BR)DSS<br>IDSS<br>IGSS<br>VGS(th)<br>RDS(on)||**Min.**<br>**Typ.**<br>**Max.**<br>40 V<br>–<br>–<br>–<br>–<br>1 µA<br>–<br>–<br>± 100 nA<br>1 V<br>–<br>2.5 V<br>–<br>8 mΩ<br>–<br>9.6 mΩ<br>11.5 mΩ<br>~~ee~~<br>~~ee~~<br>~~ee~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~**|**~~<br>~~ft~~|
|**Characteristics (dynamic)**|||**Kennwerte (dynamisch)**|
|Forward Transconductance – Übertragungssteilheit<br>VDS= 5 V<br>ID= 20 A<br>Input Capacitance – Eingangskapazität<br>VDS= 20 V<br>VGS= 0 V<br>f = 1 MHz<br>Output Capacitance – Ausgangskapazität<br>VDS= 20 V<br>VGS= 0 V<br>f = 1 MHz<br>Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität<br>VDS= 20 V<br>VGS= 0 V<br>f = 1 MHz<br>Turn-On Delay & Rise Time – Einschaltverzögerung und Anstiegszeit<br>VDD= 20 V<br>ID= 12 A<br>VGS= 10 V<br>RG= 3.3 Ω<br>(Fig. 1)|Tj= 25°C<br>gFS<br>Ciss<br>Coss<br>Crss<br>td(on)<br>tr||**Min.**<br>**Typ.**<br>**Max.**<br>–<br>24 S<br>–<br>–<br>2270 pF<br>–<br>–<br>170 pF<br>–<br>–<br>120 pF<br>–<br>–<br>17 ns<br>30 ns<br>–<br>~~ee ee~~<br>~~eee~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>|<br>~~| [~~|
|Turn-Off Delay & Fall Time – Ausschaltverzögerung und Abfallzeit<br>VDD= 20 V<br>ID= 12 A<br>VGS= 0 V<br>RG= 3.3 Ω<br>(Fig. 1)<br>Total Gate Charge – Gesamte Gate-Ladung<br>VDD= 20 V<br>ID= 20 A<br>VGS= 10 V<br>Gate-Source Charge – Gate-Source-Ladung<br>VDD= 20 V<br>ID= 20 A<br>VGS= 10 V<br>Gate-Drain Charge – Gate-Drain-Ladung<br>VDD= 20 V<br>ID= 20 A<br>VGS= 10 V<br>Intrinsic Gate resistance – Innerer Gatewiderstand<br>f = 1 Mhz<br>D open|td(off)<br>tf<br>Qg<br>Qgs<br>Qgd<br>RGi||–<br>17 ns<br>2 ns<br>–<br>–<br>48 nC<br>–<br>–<br>8 nC<br>–<br>–<br>9 nC<br>–<br>–<br>1.3 Ω<br>–<br>~~|[~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~<br>~~|~~|
|td(on)<br>tr<br>td(off) tf<br>**Fig. 1**|||R|
|VGS<br>90%<br>VDS<br>Test circuit for switching<br>times (R) and avalanche<br>energy (L)<br>(“rise“ and “fall“ refer to I )<br>D<br>Testaufbau für Schaltzeiten (R)|VGS||RG<br>VDS<br>VDD<br>ID<br>L|
|10%<br>und Avalanche-Energie (L)<br>(“rise“ und “fall“ beziehen sich auf I D)||||



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|||~~eee~~|~~eee~~|
|---|---|---|---|
|Tj= 25°C|**Min.**<br>~~ee~~|**Typ.**<br>~~ee~~<br>~~eee~~|**Max.**<br>~~ee~~<br>~~eee~~|
|Forward voltage – Durchlass-Spannung<br>VGS= 0 V<br>IS= 1 A<br>VSD|–<br>~~ee~~|–<br>~~ee~~<br>~~eee ~~|1.2 V<br>~~ee~~<br> ~~eee~~|
|Reverse recovery time – Sperrverzugszeit<br>IS= 12 A,<br>di/dt = -100 A/µs<br>trr|–|15 ns|–|
|Reverse recovery charge – Sperrverzugsladung<br>IS= 12 A,<br>di/dt = -100 A/µs<br>Qrr|–|6 nC|–|



|**Characteristics (thermal)**|||**Kennwerte (thermisch)**|
|---|---|---|---|
|Thermal resistance junction to case<br>Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse|DI048N04PQ2<br>DI048N04PQ2-AQ|RthC|< 4.5 K/W1)<br>< 5.2 K/W1)|
|Thermal resistance junction to ambient<br>Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung|DI048N04PQ2<br>DI048N04PQ2-AQ|RthA|< 50 K/W2)<br>< 60 K/W2)|



## **Dimensions- Maße [mm]** 

> 1 Measured towards heat sink area (Drain) – Gemessen zur Kühlfläche (Drain) 2 Mounted on P.C. Board with 625 mm[2] copper pad at Drain-terminal Montage auf Leiterplatte mit 625 mm[2 ] Kupferbelag (Lötpad) am Drain-Anschluss 

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**==> picture [474 x 391] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
2.5 ee 103 103<br>ee [A] ee ee [A] pop<br>T  =  125°C j<br>2.0 102<br>Pe) 102 a) t p =  10µs Ge<br>R DS (on )  lim it<br>1.5 PEE) VIGSD = 12A = 10V | oes 100µs 10 T  =  25°Cj<br>VGS = 4.5V 10 [PENN.]<br>see I [coc] D = 10A 1m s | BSSS==<br>1 TA eX 1 ff<br>ID TT j  =  150°C C  =  25°C IS<br>a Heol 1  LN 10m s V GS  = 0V<br>0.5 -25 Tj 25 50 75 100 [°C] 175 0.1                1                   10              100    VDS [V] 10-10.4 en VSD 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8<br>Normalized On Resistance (a) vs Tj TOEE [Eee] Safe operating area for single pulses | ) Source-Drain diode characteristics (typical values) ese<br>Normierter Einschaltwiderstand (a) über Tj Sicherer Arbeitsbereich für Einzelpulse Kennlinie der Source-Drain Diode (typische Werte)<br>100 2.0<br>eee| D = 0.5 a -LLLLLLL<br>[%] 1.8 VDS = VGS<br>ID = 2.5mA<br>D = 0.1 1.6<br>10<br>7 D = 0.02 Aen D=t p/T 1.4 eee<br>(om TEEPE NENES<br>ZthA D -> 0 coe ee — 1.2 FooPSESE<br>RthA 0     t p     T VGS(th)<br>(norm )<br>~ 1 0.01   [ms]     0.1                  1 Sao TT                   10                 10 2      [tp]     10 3 1.0 FERPA IDV = 250µADS = VGS<br>ee<br>Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)<br>Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 0.8 FEE EErr<br>-25 Tj 25 50 75 100 [°C] 175<br>Typical gate threshold voltage vs Tj (normalized)<br>Typische Schwellspannung über Tj (normiert)<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Disclaimer:** See data book page 2 or website **Haftungssauschluss:** Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 

**==> picture [142 x 183] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
100<br>[A] VDS = 5V<br>80 T P|E<br>70 Pf | [| | fs [<br>60 Pt | tt[Ap<br>50 Pt tT | lfYl<br>40 T  =  125°Cj<br>Sees) ee<br>30 | | TAL T j =  25°C |<br>20 a nh<br>ID0 |PL Alt|VALi i<br>1 VGS 2 3 4 [V] 5<br>Typical transfer characteristics<br>Typische Übertragungskennlinien<br>**----- End of picture text -----**<br>


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## **All rights reserved** 

The information presented in our data sheets and other documents is to the best of our knowledge true and accurate. It describes the type of component or application and shall not be considered as assured characteristics. No warranty or guarantee, expressed or implied is made regarding the capacity, delivery, performance or suitability of any product or circuit etc, neither does it convey any license under the patent rights of others. 

Diotec reserves the right to make changes without further notice. However, regular updating of all product information is provided on our website[1] ). All Diotec products are sold and shipped subject to our “Standard Terms and Conditions of Business”[2] ). The reproduction of all documents is prohibited without the expressed written permission of Diotec Semiconductor AG's Managing Board. 

## **Alle Rechte vorbehalten** 

Die Angaben in unseren Datenblättern und sonstigen Dokumenten sind nach bestem Wissen und Gewissen gemacht. Sie dienen jedoch allein der Beschreibung und sind nicht als zugesagte Eigenschaften im Rechts-Sinne zu verstehen. Es wird keine Gewähr bezüglich Liefermöglichkeit, Ausführung oder Einsatzmöglichkeit der Bauelemente übernommen, noch dass die angegebenen  Bauelemente,  Baugruppen,  Schaltungen  etc.  frei  von Schutzrechten sind. 

Wir behalten uns Änderungen der aufgeführten Daten ohne vorherige Ankündigung vor. Alle Änderungen werden jedoch regelmäßig auf unserer Internet-Seite veröffentlicht[1] ). Verkauf und Lieferung von Diotec-Produkten erfolgt gemäß unseren “Allgemeinen Geschäftsbedingungen”[2] ). Die Vervielfältigung aller Dokumente ist nur mit schriftlicher Genehmigung des Vorstandes der Diotec Semiconductor AG gestattet. 

## **Disclaimer** 

**1.** All products described or contained are designed and intended for use in standard applications, so called commercial/industrial grade, requiring an ordinary level of reliability. 

**2.** Some products are available with the special grades “AECQ101 compliant” respectively “AEC-Q101 qualified”. These are automotive standards[3] ). 

**3.** Customers using these parts in applications requiring a special or specific grade of quality or reliability, such as (but not limited to) life supporting devices or systems, where failure or malfunction of the product may directly affect human life or health, are obliged to validate whether the use in such cases is appropriate. 

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**1.** Alle beschriebenen oder enthaltenen Produkte sind für den Gebrauch  in  Standardanwendungen  mit  einem gewöhnlichen Zuverlässigkeitsniveau  entworfen  und  bestimmt,  bekannt  als kommerziell/industrielle Anwendungen. 

**2.** Einige Produkte sind mit den speziellen Qualifikationen „AECQ101  konform“  oder  „AEC-Q101  qualifiziert“  erhältlich.  Dies sind Automotive-Standards[3] ). 

**3.** Falls diese Produkte in Anwendungen verwendet werden sollen, die einen besonderen Grad der Qualität oder Zuverlässigkeit erfordern, z. B. (aber nicht begrenzt auf) lebenserhaltende Geräte oder Systeme, bei denen durch Ausfall oder eine Störung des Produktes menschliches Leben oder Gesundheit direkt beeinflusst werden kann, ist der Anwender verpflichtet sicherzustellen, dass der beabsichtigte Gebrauch des vorgesehenen Produktes unbedenklich ist. 

Diotec übernimmt keine Haftung die sich aus solchen Anwendungen oder  der Verwendung der Produkte ergibt. Der Gebrauch für alle solche Anwendungen erfolgt auf eigenes und ausschließliches Risiko des Anwenders. 

**4.** Although Diotec continuously enhances the quality and reliability of its products, customers must incorporate sufficient safety measures in their designs, such as redundancy, fire containment, and anti-failure, so that personal injury, fire or environmental damage can be prevented. Diotec excludes explicitly every implied warranty or liability regarding the fitness of the products to any other than standard applications. 

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**7.** Sollte ein hier beschriebenes oder enthaltenes Produkt unter Beschränkungen fallen, die durch das deutsche Bundesamt für Wirtschaft und Ausfuhrkontrolle geregelt werden, darf dieses Produkt in Übereinstimmung mit den gültigen Gesetzen nicht ohne  Exportgenehmigung  vom  deutschen  Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz exportiert werden. 

> 1 Refer to http://diotec.com/ “Products/Product Changes” respectively “News/Datasheets” Siehe http://diotec.com/ „Produkte/Produktänderungen“ bzw. „News/Datenblätter“ 

> 2 Refer data book or http://diotec.com/ “Company” – Siehe Datenbuch oder http://diotec.com/ „Unternehmen“ 3 Refer to http://diotec.com/ “Products/Information/Qualification/Commercial Grade and AEC-Q101” Siehe http://diotec.com/ „Produkte/Informationen/Qualifizierung/Standard und AEC-Q101“ 

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