D1230N18TXPSA1
Standard Recovery Diode, 1.8 kV, 1.23 kA, Single, 1.77 V, 14.8 kA
- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Standard Recovery Rectifier Diodes
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 2Pins
- Product Range: -
- Qualification: -
- Diode Case Style: D4814K0-1
- Diode Configuration: Single
- Forward Voltage Max: 1.77V
- Forward Surge Current: 14.8kA
- Reverse Recovery Time: -
- Average Forward Current: 1.23kA
- Operating Temperature Max: 180°C
- Repetitive Peak Reverse Voltage: 1.8kV
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 10 |
| Price | 86.77 € |
| Current stock | 25+ |
| Lead time | 30 days |
## **N** ## Datenblatt / Data sheet ## **Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode** ## **D1230N** |**N**|f+|Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|o.<br>Infineon<br>GmbH & Co. KG|o.<br>Infineon<br>GmbH & Co. KG| |---|---|---|---|---|---|---| |**Netz-Gleichrichterdiode**<br>**Rectifier Diode**||**D1230N**||||| |**Kenndaten**<br>~~Elektrische Eigenschaften~~<br>~~Thermische Eigenschaften~~<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Höchstzulässige Werte / maximum rated values<br>Periodische Spitzensperrspannung<br>repetitive peak reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VRRM<br>1200<br>1400<br>1600<br>1800<br>V<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>IFRMSM<br>1669 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 100 °C<br>IFAVM<br>1230 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 55 °C, θ = 180°sin, tP= 10 ms<br>IFAVM<br>1650 A<br>Durchlaßstrom-Effektivwert<br>RMS on-state current<br>IFRMS<br>2590 A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25 °C, tP= 10 ms<br>Tvj= Tvj maxtP= 10 ms<br>IFSM<br>14800<br>11800<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25 °C, tP= 10 ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10 ms<br>I²t<br>1095<br>696<br>10³A²s<br>10³A²s<br>**Charakteristische Werte / Characteristic values**<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max, iF= 3,2 kA<br>Tvj= Tvj max, iF= 800 A<br>vF<br>max.<br>max.<br>1,77<br>1,063<br>V<br>V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>0,81 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>0,28 mΩ<br>Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF≤ 4000 A<br>on-state characteristic<br>**F**<br>**F**<br>**F**<br>**F**<br>**i**<br>**D**<br>**)**<br>**1**<br>**i**<br>**(**<br>**ln**<br>**C**<br>**i**<br>**B**<br>**A**<br>**v**<br>⋅<br>+<br>+<br>⋅<br>+<br>⋅<br>+<br>=<br>Tvj= Tvj max<br>A=<br>B=<br>C=<br>D=<br>-4,216E-01<br>3,674E-04<br>2,591E-01<br>-1,902E-02<br>Sperrstrom<br>reverse current<br>Tvj= Tvj max, vR= VRRM<br>iR<br>max.<br>50 mA<br>**Thermische Eigenschaften / Thermalproperties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>Kühlfläche / cooling surface<br>beidseitig / two-sided, θ = 180°sin<br>beidseitig / two-sided, DC<br>Anode / anode, θ = 180°sin<br>Anode / anode, DC<br>Kathode / cathode, θ = 180°sin<br>Kathode / cathode, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>0,039<br>0,035<br>0,062<br>0,058<br>0,093<br>0,089<br>°C/W<br>°C/W<br>°C/W<br>°C/W<br>°C/W<br>°C/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>Kühlfläche / cooling surface<br>beidseitig / two-sided<br>einseitig / single-sided<br>RthCH<br>max.<br>max.<br>0,0075<br>0,0150<br>°C/W<br>°C/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>180 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+180 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+180 °C<br>prepared by: H.Sandmann<br>date of publication:<br>2010-01-20<br>approved by: M.Leifeld<br>revision:<br>3.1||||||| |IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann|||A 13/10|Seite/page||1/8| ||prepared by: H.Sandmann|prepared by: H.Sandmann|||date of publication:|date of publication:|2010-01-20| |---|---|---|---|---|---|---|---| ||approved by: M.Leifeld|approved by: M.Leifeld||||revision:|3.1| ||||||||| |IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann||||A 13/10|||| 1/8 Seite/page ## **N** ## Datenblatt / Data sheet ## **Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode** ## **D1230N** |**Mechanische Eigenschaften / Mechanicalproperties**||||| |---|---|---|---|---| |Mechanische Ei<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex|Mechanische Eigenschaften|enschaften|Seite 3<br>page 3|| |Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact||||| |Anpreßkraft<br>clamping force||F|6...15|kN| |Gewicht<br>weight||G|typ.<br>110|g| |Kriechstrecke<br>creepage distance|||10|mm| |Schwingfestigkeit<br>vibration resistance|f = 50 Hz||50|m/s²| Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. A 13/10 2/8 IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann Seite/page **==> picture [452 x 700] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> N Datenblatt / Data sheet<br>Se<br>Netz-Gleichrichterdiode<br>Rectifier Diode D1230N GmbH<br>a a mH<br>Maßbild<br>Maßbild<br><<br>| ]|<br>! ar<br>ZA<br>1 : Anode/<br>1 2 Anode<br>2 : Kathode/<br> Cathode<br>**----- End of picture text -----**<br> IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 13/10 3/8 Seite/page ## **N** Datenblatt / Data sheet | oe| **Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1230N** **Rectifier Diode** **Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Transienter Wärmewiderstand Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC** Kühlung / Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Cooling ~~a ee ee ee ee~~ Rthn [°C/W] 0,00037 0,00485 0,00475 0,0118 0,01323 - - beidseitig two-sided τ n [s] 0,00030 0,00257 0,02040 0,0806 0,41100 - - ~~pe~~ Rthn [°C/W] 0,00037 0,00491 0,00648 0,01914 0,0271 - - anodenseitig anode-sided τ n [s] 0,00030 0,00258 0,02450 0,15500 2,7500 - - ~~eee~~ Rthn [°C/W] 0,00037 0,00505 0,00637 0,01726 0,05995 - - kathodenseitig cathode-sided τ n [s] 0,00030 0,00263 0,02770 0,14600 2,82000 - - nmax -t Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = Σ Rthn 1 − e τ n n=1 0,10 c 0,09 ~~SS SS 8 SSE EEE SEE~~ 0,08 ~~Ssa~~ 0,07 ~~Sa a ee~~ a 0,06 ~~ey eee ed ee 228 ee~~ 0,05 ~~= ee~~ 0,04 ~~ee Ee oe ( _ eL~~ b 0,03 ~~ene EE eS eee ens eee SS~~ 0,020,01 ~~a re etee pe~~ 0,00 0,001 0,01 0,1 1 10 100 **t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t** ) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 13/10 Seite/page 4/8 ~~ee~~ ee ee ## **N** ## Datenblatt / Data sheet ## **Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode** ## **D1230N** |Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~|Diagramme<br>**Diagramme**<br>**Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ**<br>**Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ**<br>**∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin**<br>~~po~~| |---|---|---|---|---|---|---| |Kühlung / Cooling<br>~~po~~||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°| |beidseitig<br>two-sided<br>~~po~~|∆Zth Θ rec<br>[°C/W]|0,00706|0,01217|0,01612|0,02182|0,03109| ||∆Zth Θ sin<br>[°C/W]|0,00450|0,00687|0,01012|0,01538|0,02489| |anodenseitig<br>anode-sided|∆Zth Θ rec<br>[°C/W]|0,00448|0,00759|0,00985|0,01292|0,01725| ||∆Zth Θ sin<br>[°C/W]|0,00334|0,00489|0,00693|0,01005|0,01518| |kathodenseitig<br>cathode-sided|∆Zth Θ rec<br>[°C/W]|0,00448|0,00759|0,00985|0,01292|0,01725| ||∆Zth Θ sin<br>[°C/W]|0,00334|0,00489|0,00693|0,01005|0,01518| |Zth Θ rec= Zth DC+∆Zth Θ rec<br>Zth Θ sin= Zth DC+∆Zth Θ sin||||||| Zth Θ rec = Zth DC + ∆ Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆ Zth Θ sin **==> picture [485 x 266] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> 5.000<br>Durchlasskennlinie<br>4.500<br>SESGe Sones Seees See ae See S eee mee Semen neene neeeneeene<br>4.000<br>Boeee goes ee oe peeee Soe ee eeee eo pees oe> 2d eeeeeeeee<br>3.500<br>Spee see ee fo eee eeeee oeeee me eee eeeee aaeeemeeeeneeee<br>3.000<br>Sonne see ee foes eeeen seeee meee ee eensaeeeaeeeeneeee<br>2.500<br>Sans Soa as SS Sas Seas SSeS eee oe eee eee eee<br>2.000 Tvj= Tvj max<br>agers<br>1.500<br>Sonne co wOAE<br>1.000<br>Soeee sg e eeees eeaee e eeeensSade Soe2aee e eee peeee See eBeeeeneeeeeeecee e se<br>500 ae<br>0<br>BEES Err EEE ESSE EEE EEE SEE EEE EEE EEE Ere<br>0,5 0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5<br>VF [V]<br>Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)<br>Tvj = Tvj max<br> [A]<br>iF<br>**----- End of picture text -----**<br> IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 13/10 Seite/page 5/8 ~~ee~~ es **==> picture [532 x 735] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> N Datenblatt / Data sheet<br>Netz-Gleichrichterdiode<br>Rectifier Diode D1230N<br>Ss ee<br>2500<br>Durchlassverluste<br>a<br>FEEEEEEEEEEEEEEeeeeoE<br>2000<br>eee SESE<br>b<br>c<br>1500<br>d<br>e<br>Parameter:<br>f<br>a - DC<br>Se<br>1000 b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)<br>c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)<br>FEE YJ d - rec 60°el (M 6)<br>e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-<br>500 belastung / Reverse voltage load)<br>ZA<br>f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-<br> belastung / Reverse voltage load)<br>0<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800<br>IFAV [A]<br>Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)<br>Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling<br>180 Tc beidseitig Parameter:<br>a - DC<br>160 b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)<br>Sr c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)<br>140 d - rec 60°el (M 6)<br>e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-<br>120 belastung / Reverse voltage load)<br>f - sin 30 ° el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-<br>100 eee belastung / Reverse voltage load)<br>80 ee ee ee<br>60 po eee eee ee 0 eee<br>40 ee ee ee eee<br>pF<br>20<br>f e d c b a<br>0 Ene Saas beeenee eee eee eaee eee<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800<br>I FAV [A]<br>Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)<br>Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling<br> [W]<br>FAV<br>P<br> [°C]<br>C<br>T<br>**----- End of picture text -----**<br> IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 13/10 Seite/page 6/8 ~~ee~~ ee ee **==> picture [509 x 720] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> N Datenblatt / Data sheet<br>Netz-Gleichrichterdiode<br>Rectifier Diode D1230N GmbH & Co. KG<br>10000<br>iFM =<br>Qr Diagramm 1600A<br> 800A<br> 400A<br> 200A<br> 100A<br>Satie<br>ai 50A<br>Lis<br>1000<br>100<br>0,1 1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Sperrverzögerungsladung / Recovered charge<br>Qr =f(-di/dt)<br>Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM<br>RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF<br>14<br>12<br>10<br>8<br>6 0-50V<br>0,33 V RRM<br>4 0,67 V RRM<br>2<br>0<br>1 3 5 7 9 11 13 15 17 19<br>Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen<br>Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves<br>Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus<br>Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM<br>Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of<br>sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM<br>IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max<br>Q [µAs]r<br> [kA]<br>IF(OV)M<br>**----- End of picture text -----**<br> IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann a A 13/10 Seite/page 7/8 eeee **==> picture [25 x 18] intentionally omitted <==** **----- Start of picture text -----**<br> N<br>**----- End of picture text -----**<br> ## Datenblatt / Data sheet ## **Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode** ## **D1230N** ## Disclaimer ## **Nutzungsbedingungen** Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. ## **Terms & Conditions of usage** The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. A 13/10 8/8 IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann Seite/page
Updated at April 22, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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