# Thyristor Module, 867A, 1.6kV, Single SCR, 0.2A Igt, 2V Vgt, Chassis Mount

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**URL**: https://novapart.co/products/TZ800N16KOFHPSA3/thyristor-module-867a-16kv-single-scr-02a-igt-2v
**SKU**: TZ800N16KOFHPSA3
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || Thyristors || Thyristors - SCR Modules
**Price**: €300.3800
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 232 days (indicative)

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (04-Feb-2026) |
| No. Of Pins | 4Pins |
| Product Range | TZ800N Series |
| Scr Module Type | Single SCR |
| Thyristor Mounting | Chassis Mount |
| On State Rms Current | 1.5kA |
| Thyristor Case Style | Module |
| Average Forward Current | 867A |
| Gate Trigger Current Max | 250mA |
| Gate Trigger Voltage Max | 2V |
| Operating Temperature Max | 125°C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.6kV |
| Peak Repetitive Off State Voltage | 1.6kV |

## Datasheet

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## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TZ800N** 

## **Key Parameters** 

VDRM / VRRM 1200V - 1800V ITAVM 867A (TC=85°C) ITSM 35000A VT0 0,82V rT 0,17mΩ RthJC 0,0376K/W Base plate 70mm Weight 1950g 

For type designation please refer to actual short form catalog 

http://www.ifbip.com/catalog 

## **Merkmale** 

- Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrie-Standard-Gehäuse 

- Elektrisch isolierte Bodenplatte 

- Optional: Thermisches Interface Material (TIM) bereits aufgetragen 

## **Features** 

- Pressure contact technology for high reliability 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrial standard package 

- Electrically insulated base plate 

- Option: Pre-applied thermal interface material (TIM) 

## **Typische Anwendungen** 

- Sanftanlasser 

- Gleichrichter für Antriebsapplikationen 

- Kurzschließer-Applikationen 

- Leistungssteller 

- Gleichrichter für UPS 

- Batterieladegleichrichter 

- Statische Umschalter 

## **Typical Applications** 

- Soft starter 

- Rectifier for drives applications 

- Crowbar applications 

- Power controllers 

- Rectifiers for UBS 

- Battery chargers 

- Static switches 

~~ee eee~~ content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity ~~a~~ serial number 1..7 7 ~~a~~ SP material number 8..16 9 ~~es~~ datecode (production day) 17..18 2 ~~a~~ datecode (production year) 19..20 2 ~~a~~ datecode (production month) 21..22 2 ~~a~~ vT class 23..26 4 ~~a~~ QR class 27..30 4 

Date of Publication 2025-10-22 

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Seite/page 

Revision: 3.9 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **Phase Control Thyristor Module** 

## **TZ800N** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|MS<br>Cinfineon|MS<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TZ800N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Höchstzulässige Werte / Maximum rated values<br>**TZ800N**<br>**TZ800N_TIM**<br>Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung<br>repetitive peak forward off-state and reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDRM,VRRM 1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak forward off-state voltage<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDSM<br>1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak reverse voltage<br>Tvj= +25°C... Tvj max<br>VRSM<br>1300<br>1700<br>1500<br>1900<br>V<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>ITRMSM<br>1500 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 85°C<br>TC= 88°C<br>ITAVM<br>867<br>816<br>A<br>A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>ITSM<br>35000<br>30000<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>I²t<br>6125000<br>4500000<br>A²s<br>A²s<br>Kritische Stromsteilheit<br>critical rate of rise of on-state current<br>DIN IEC 747-6<br>f = 50Hz, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>(diT/dt)cr<br>200 A/µs<br>Kritische Spannungssteilheit<br>critical rate of rise of off-state voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM<br>6.Kennbuchstabe / 6thletter F<br>(dvD/dt)cr<br>1000<br>V/µs<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max,  iT= 3000 A<br>vT<br>max.<br>1,51<br>V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>max.<br>0,82 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>max.    0,17 mΩ<br>Zündstrom<br>gate trigger current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>IGT<br>max.<br>250 mA<br>Zündspannung<br>gate trigger voltage<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>VGT<br>max.<br>2 V<br>Nicht zündender Steuerstrom<br>gate non-trigger current<br>Tvj= Tvj max, vD= 12V<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>IGD<br>max.<br>max.<br>10<br>5<br>mA<br>mA<br>Nicht zündende Steuerspannung<br>gate non-trigger voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>VGD<br>max.<br>0,2 V<br>Haltestrom<br>holding current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RA= 1Ω<br>IH<br>max.<br>500 mA<br>Einraststrom<br>latching current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RGK≥ 10Ω<br>iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs, tg= 20µs<br>IL<br>max.<br>2500 mA<br>Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom<br>forward off-state and reverse current<br>Tvj= Tvj max<br>vD= VDRM, vR= VRRM<br>iD, iR<br>max.<br>150 mA<br>Zündverzug<br>gate controlled delay time<br>DIN IEC 747-6<br>Tvj= 25°C, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>tgd<br>max.<br>4 µs<br>prepared by: AG<br>date of publication: 2025-10-22<br>approved by: TJ<br>revision:<br>3.9||||||
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|---|---|---|---|---|
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**Technische Information / technical information** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|*<br>Cinfineon|*<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TZ800N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|ThermischeEigenschaften<br>Mechanische Eigenschaften<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5thletter O<br>tq<br>typ.<br>240<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>0,0390<br>0,0376<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>RthCH<br>max.<br>0,015<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM<br>thermal resistance, case to heatsink, with TIM<br>pro Modul / per Module<br>max.<br>0,012<br>K/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>125 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+125 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130  °C<br>Lagertemperatur mit TIM<br>storage temperature with TIM<br>+5…+50<br>°C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanicalproperties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 4<br>page 4<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)<br>Basic insulation (class 1, IEC61140)<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>6<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>18<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>1950 g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>36 mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50 m/s²<br>file-No.<br>E 83335||||||
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**Technische Information / technical information** 

## d **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TZ800N** 

**==> picture [117 x 71] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
2 1<br>4 5<br>TZ<br>**----- End of picture text -----**<br>


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## **Technische Information / technical information** 

**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** ~~a~~ 

# **TZ800N** 

**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC** 

|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TZ800N**<br>~~a~~<br>“ermon Co“_<br>GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DCthJC für DC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DCthJC for DC for DC**||||||||
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[K/W]|0,0049|0,02035|0,00866|0,00267|0,0011|||
|τn[s]|9,98|4,994|0,30347|0,0188|0,01|||
|Analytische Funktion / Analytical function:<br><br>=<br><br>max<br>n<br>n=1<br>thn<br>thJC<br>n<br>– t<br>- e<br>1<br>R<br>Z||||||||



**Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin** 

||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°|
|---|---|---|---|---|---|
|ΔZth Θ rec<br>[K/W]|0,00137|0,00196|0,00229|0,00265|0,00304|
|ΔZth Θ sin<br>[K/W]|0,00142|0,00174|0,00208|0,00248|0,00298|



Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec 

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin 

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## **Technische Information /** 

## **technical information** 

## **Diagramme Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** ~~a~~ 

## **TZ800N** 

**==> picture [33 x 25] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
—><br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [499 x 337] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Durchgangsverluste<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>100<br>———Ee ee eeSSeee<br>Ee esss ee eseG Or eeOE  Qe(GOrs(ODGG QD GOSG Ot(S(G O ODSOOOOOO<br>oC ELIE ELI<br>10<br>COS c [|<br>b<br>—— a<br>a<br>Es oh<br>1<br>—————pSee gg0 SS eeeae<br>Ssee ee ee 3 a a a a<br>ZeZees ee ee ee ee eereee ee Oe eG OG<br>2<br>0,1<br>10 100 iG [mA] 1000 10000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V<br> [V]<br>G<br>v<br> = -40  Cvj<br> =+125 C   = +25 CTvj T<br>vj max<br>T<br>**----- End of picture text -----**<br>


Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM  = f (tg) : 

a - 20W/10ms    b - 40W/1ms    c - 60W/0,5ms 

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Revision: 3.9 

**==> picture [146 x 23] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [512 x 282] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ800N  GmbH & Co. KG<br>1800<br>2<br>a DC<br>1600<br>Oe<br>a<br>1400<br>a 180 sin 180 rec panne<br>a ne as<br>1200 120 rec<br>1000 aa a 60 rec 90 rec ZoeZATSTee<br>cooco ZETT<br>800 Cee eer Q  = 30 rec AZZ<br>TTT | B ET<br>600 a A oc<br>BBO<br>400 eR<br>A Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>200 agA<br>egee<br>eee<br>0<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600<br>ITAV [A]<br>[W]<br>TAV<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [332 x 10] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)<br>**----- End of picture text -----**<br>


Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** 

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 

**Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)** 

Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ 

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Revision: 3.9 

**==> picture [146 x 23] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TZ800N** 

**==> picture [487 x 211] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
5000<br>0,05 RthCA [K/W] B2 ID R-Last<br>+ R-load<br>0,06<br>4000 PN | . Se<br>E NE ~ po<br>0,08 L-Last<br>L-load<br>-<br>3000 0,10 NAL | Pp Ow<br>BNNe pot | =<br>0,12<br>SAN A b E<br>0,15<br>2000<br>0,20<br>E 0,25 Se NNSQ UY|<br>0,30<br>1000<br>0,40<br>0,60<br>1,00<br>2,00<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 500 1000 1500 2000<br>1,00 T A [°C] I D [A]<br> [W]<br> tot<br>P<br>Achsentitel<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID** 

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

**==> picture [472 x 210] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
7000<br>0,05 R thCA [K/W] B6 ID<br>N 0,06 e ~] + EL, |) | | yt tt<br>6000 PANE ee ee<br>3~<br>PoE \NS TT ee eeeee<br>0,08<br>5000 PON LANNE - a ee eee<br>0,10 BwVNNE os eeOe<br>4000 0,12<br>3000 0,15 esa NN eeee Ae<br>0,20<br>0,25<br>2000 0,30<br>0,40<br>1000 0,60<br>1,00 SSS<br>2,00<br>0 SSS SSS BO<br>10 30 50 , 70 90 110 0 500 1000 1500 2000 2500<br>T A [°C] ID [A]<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID** 

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: 

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

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Revision: 3.9 

**==> picture [349 x 58] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ800N<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [492 x 214] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
2500<br>0,05 R thCA K/W] W~1C<br>Nae e IRMS ee<br>0,06<br>2000<br>E 0,08 B\NEEenNN i ~ ptaetT | tT tT<br>1500 0,10<br>SANA i ee ee [ee]<br>0,12<br>SANA pt<br>0,15<br>1000<br>BAS ONG Beeeee<br>0,20<br>0,25<br>SESS AN<br>0,30<br>500 0,40<br>SESSA Ee<br>0,60<br>1,00 —E SSS S888) poof<br>0 2,00 A<br>10 30 50 70 90 110 0 500 1000 1500 2000 2500<br>TA [°C] I RMS [A]<br>[W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS** 

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

**==> picture [468 x 318] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
8000<br>Ne 0,04 R thCA [K/W] _ ~ W3C~ ~ aee<br>IRMS<br>7000 P o : ee ee ee e<br>0,06<br>6000 NNR ~ ~ ~ ee ee ee<br>0,08<br>5000 BeNeNeeNTENUINE Po<br>0,10 EP KOIN AT| Ptft Pttp EE fe<br>4000 0,12<br>3000 0,15 eeON ee<br>0,20<br>WP MRA AN Ee Cree<br>0,25<br>2000<br>0,300,40 aeONNeeeee<br>1000 0,60<br>1,00<br>2,00<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 500 1000 1500 2000<br>T A [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


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Revision: 3.9 

## **Technische Information / technical information** 

**==> picture [519 x 286] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TZ800N  GmbH & Co. KG<br>a “ec mbH 8 Co_<br>100000<br>——— RG aOO DG a GCee eeeOO<br>PO—<br>COOC<br>iTM =<br>2000A<br>10000<br>Ee 1000A500A<br>200A<br>ee 100A<br>rrfr | eeeeee eee<br>1000<br>rr<br>GGQnneGG DGGG (OGGOQO SO OO<br>PoE EOE ODEOOEOEEELELBECO OO LT<br>100<br>1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Q [µAs]r<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)** 

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM 

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM 

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25.000 ee ee eee eee<br>20.000 aee ee ee<br>Z | i<br>= i ee ee<br>S i5000 ee<br>0.000Peee ee<br>i ee Oe<br>0,01 0,1<br>t [s]<br>Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM<br>**----- End of picture text -----**<br>


a: Leerlauf / No-load conditions 

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling 

Date of Publication 2025-10-22 

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Seite/page 

Revision: 3.9 

**Technische Information / technical information** 

**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TZ800N** 

## Nutzungsbedingungen 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von  speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher  Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

## Terms & Conditions of usage 

The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 

This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify.  Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. 

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

Changes of this product data sheet are reserved. 

Date of Publication 2025-10-22 

11/11 

Seite/page 

Revision: 3.9 



## Links

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