# THYR - DIODE MODULE DK

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**URL**: https://novapart.co/products/TT430N22KOFXPSA1/thyr-diode-module-dk
**SKU**: TT430N22KOFXPSA1
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || Thyristors || Thyristors - SCR Modules
**Price**: €212.3100
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 176 days (indicative)

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |

## Datasheet

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**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT430N** 

## **Key Parameters** 

VDRM / VRRM 2200 V ITAVM 430 A (TC=85 °C) ITSM 14000 A VT0 0,95 V rT 0,45 mΩ RthJC 0,062 K/W Base plate 60 mm 

For type designation please refer to actual short form catalog 

http://www.ifbip.com/catalog 

## **Merkmale** 

- Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrie-Standard-Gehäuse 

- Elektrisch isolierte Bodenplatte 

- Optional: Thermisches Interface Material (TIM) bereits aufgetragen 

## **Features** 

- Pressure contact technology for high reliability 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrial standard package 

- Electrically insulated base plate 

- Option: Pre-applied thermal interface material (TIM) 

## **Typische Anwendungen** 

- Sanftanlasser 

- Gleichrichter für Antriebsapplikationen 

- Kurzschließer-Applikationen 

- Leistungssteller 

- Gleichrichter für UPS 

- Batterieladegleichrichter 

- Statische Umschalter 

- Bypass-Schalter 

## **Typical Applications** 

- Soft starter 

- Rectifier for drives applications 

- Crowbar applications 

- Power controllers 

- Rectifiers for UBS 

- Battery chargers 

- Static switches 

- Bypass swich 

content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity ~~Pf~~ serial number 1..5 5 ~~Pf~~ SAP material number 6..12 7 ~~Po~~ Internal production order number 13..20 8 ~~Pf~~ datecode (production year) 21..22 2 ~~Po~~ datecode (production week) 23..24 2 

**TT TD** www.ifbip.com ~~————~~ support@infineon-bip.com 

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Date of Publication 2024-12-05 

Revision: 3.6 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **Phase Control Thyristor Module** 

## **TT430N** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|o-..<br>Cinfineon|o-..<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT430N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>HöchstzulässigeWerte /Maximum ratedvalues<br>**TT430N**<br>**TD430N**<br>**TD430N22KOF_TIM**<br>Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung<br>repetitive peak forward off-state and reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDRM,VRRM <br>2200 V<br>Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak forward off-state voltage<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDSM<br>2200 V<br>Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak reverse voltage<br>Tvj= +25°C... Tvj max<br>VRSM<br>2300<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>ITRMSM<br>800 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 85°C<br>ITAVM<br>430<br>A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>ITSM<br>14000<br>12000<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>I²t<br>980000<br>720000<br>A²s<br>A²s<br>Kritische Stromsteilheit<br>critical rate of rise of on-state current<br>DIN IEC 747-6<br>f = 50Hz, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>(diT/dt)cr<br>150 A/µs<br>Kritische Spannungssteilheit<br>critical rate of rise of off-state voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM<br>6.Kennbuchstabe / 6thletter F<br>(dvD/dt)cr<br>1000<br>V/µs<br>CharakteristischeWerte / Characteristicvalues<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max,  iT= 1500 A<br>vT<br>max.<br>1,78 V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>max.<br>0,95 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>max.<br>0,45 mΩ<br>Zündstrom<br>gate trigger current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>IGT<br>max.<br>250 mA<br>Zündspannung<br>gate trigger voltage<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>VGT<br>max.<br>2,2 V<br>Nicht zündender Steuerstrom<br>gate non-trigger current<br>Tvj= Tvj max, vD= 12V<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>IGD<br>max.<br>max.<br>10<br>5<br>mA<br>mA<br>Nicht zündende Steuerspannung<br>gate non-trigger voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>VGD<br>max.<br>0,25 V<br>Haltestrom<br>holding current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RA= 1Ω<br>IH<br>max.<br>300 mA<br>Einraststrom<br>latching current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RGK≥ 10Ω<br>iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs, tg= 20µs<br>IL<br>max.<br>1500 mA<br>Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom<br>forward off-state and reverse current<br>Tvj= Tvj max<br>vD= VDRM, vR= VRRM<br>iD, iR<br>max.<br>100 mA<br>Zündverzug<br>gate controlled delay time<br>DIN IEC 747-6<br>Tvj= 25°C, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>tgd<br>max.<br>4 µs<br>prepared by: AG<br>date of publication: 2024-12-05<br>approved by: MS<br>revision:<br>3.6||||||
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|prepared by: AG|prepared by: AG||date of publication: 2024-12-05|date of publication: 2024-12-05|
|---|---|---|---|---|
|approved by: MS|approved by: MS||revision:|3.6|



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Revision: 3.6 

**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **Phase Control Thyristor Module** 

## **TT430N** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|o-..<br>Cinfineon|o-..<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT430N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|Thermische Eigenschaften<br>~~Mechanische Eigenschaften~~<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5thletter O<br>tq<br>typ.<br>300<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>pro Zweig / per arm, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>0,0325<br>0,0650<br>0,0310<br>0,0620<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>RthCH<br>max.<br>max.<br>0,010<br>0,020<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM<br>thermal resistance, case to heatsink, with TIM<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>max.<br>max.<br>0,0075<br>0,0150<br>K/W<br>K/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>125 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+125 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130  °C<br>Lagertemperatur mit TIM<br>storage temperature with TIM<br>+5…+50<br>°C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 4<br>page 4<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)<br>Basic insulation (class 1, IEC61140)<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>6<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>12<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>980 g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>19 mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50 m/s²<br>file-No.<br>E 83335||||||
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**==> picture [349 x 61] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>a sw eas t technical information<br>d<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT430N<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [502 x 286] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
1 2 3 1 2 3<br>4 5 7 6 4 5<br>TT TD<br>Date of Publication 2024-12-05  Revision: 3.6  Seite/page  4/11<br>**----- End of picture text -----**<br>


Date of Publication 2024-12-05 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** a 

## **TT430N** 

**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC** 

|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT430N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DCthJC für DC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DCthJC for DC for DC**||||||||
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[K/W]|0,0221|0,0223|0,0114|0,00486|0,00137|||
|τn[s]|3,12|0,56|0,101|0,0086|0,00076|||
|Analytische Funktion / Analytical function:<br><br>=<br><br>max<br>n<br>n=1<br>thn<br>thJC<br>n<br>– t<br>- e<br>1<br>R<br>Z||||||||



**Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin** 

||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°|
|---|---|---|---|---|---|
|ΔZth Θ rec<br>[K/W]|0,00471|0,00766|0,00995|0,01370|0,02127|
|ΔZth Θ sin<br>[K/W]|0,00277|0,00396|0,00553|0,00841|0,01586|



Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec 

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin 

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Revision: 3.6 

**==> picture [156 x 68] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
a sw eas t<br>Diagramme<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module<br>a<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Technische Information /** 

## **technical information** 

## **TT430N** 

**==> picture [498 x 648] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
0,08<br>aa eeell<br>a eeeeell<br>a el<br>0,06 FTtT LT CEEETTTes pt TET<br>aee ee a ell<br>a ee eeell<br>eeeeellLAL LTell<br>|<br>0,04<br>PT ft [TTT]  LE EE LTTPT LY4eel<br>ereeeeeel<br>aaeeeeeel<br>0,02 aeeeDZeeniiilleeeee<br>ell| | st | aee<br>Pt LTTeeEEEEET<br>Pt | LT TE EE ELT CE [EEE][ET]<br>ee er ed0<br>0,00<br>0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Durchgangsverluste  Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>100<br>ee<br>——a<br>PCr<br>rsne en Gn Od nn Pe GO OOQQ<br>10 c<br>_—————eeae<br>b<br>a<br>POeeCOsisSee ee poa ————PO<br>eeee ee eee ee Ee ee eteee<br>Pe Z F<br>1<br>Z EEE<br>eeee | i mses ee es sO—— COO CO<br>ZaSee —|Se eeg ee ee|<br>2S eeSSSee eee aspees]se<br>I<br>0,1 tt [tthe] es es ee OO Oe re<br>10 100 iG [mA] 1000 10000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V<br>Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM  = f (tg) :<br>a - 20W/10ms    b - 40W/1ms    c - 60W/0,5ms<br> [V]<br>G<br>v<br> =<br>vj<br> = T -40  C<br>vj<br>= T +25 C<br>vj<br>T<br>+125 C<br> [K/W]<br>(th)JR<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


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Date of Publication 2024-12-05 

Revision: 3.6 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT430N** 

**==> picture [497 x 240] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
1200<br>DC<br>EEE EEE, HE<br>1000 PTT TT TT TTT TTT TTT TTT TT TT TT TE TT<br>GRRE Re eee BEEZ enna<br>180 rec<br>180 sin<br>800 PE LTT ETT EE TT 120 rec wat<br>90 rec<br>PE TT ET ETT TT yy TE Zan A e<br>60 rec<br>600 PEL TT Ageeeee<br>Q  = 30 rec<br>SERRE |<br>P V e e 27 Ze Be<br>400<br>SRR g g<br>jl 7 2a ee ee ee<br>200 gar Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>gaa<br>22 ae REE ER eee ee eee eee<br>0<br>0 100 200 300 400 500 600 700 800 900<br>ITAV [A]<br>[W]<br>TAV<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)** 

Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** 

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 

**==> picture [498 x 232] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
140<br>PET TTT ET TTT TTT TTT TT ET EEE Te EET TT<br>120 ee |<br>PONS<br>100 pLNSS<br>EERE RERNGS NS SSSR ee Be ee ee<br>80 poKESESBSSE<br>pteePeeeeae eee<br>60<br>180 sin<br>poGRRE Gee PeepeEpoTET ETteET TTT TT<br>40<br>QQ  = 30 rec = 30 rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec DC<br>Te SEER RERE RE Lyne<br>20<br>0 100 200 300 400 500 600 700 800 900<br>ITAVM [A]<br>[°C]<br>C<br>T<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)** 

Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** 

Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ 

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**==> picture [520 x 731] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>PR  |<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT430N  GmbH & Co. KG<br>3500<br>0,05 0,025 0,012 RthCA [K/W] B2 ID<br>| fe 2 ee<br>+<br>3000 IK IAN Pe<br>Po ee eee<br>rNeNRw' 0,08 BRS Be eeee<br>~<br>2500 R-Last<br>R-load<br>0,12 - L-Last<br>2000 p> 0,15  NORD =a coo, L-load<br>PNWLINANKOR PoELA<br>0,20<br>1500 ~ Pp On NEN NA Ey<br>0,30<br>1000 REXAnac PETA<br>0,40<br>0,60<br>500 0,80<br>1,20<br>SS ft<br>1,200,18 2,00<br>0 S——— S ~~ S\G 4ceee<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200<br>T A [°C] I D [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>4000<br>0,025 0,012 R thCA [K/W] B6 ID<br>+<br>3500<br>ECS 0,05 3~ 7 SEE<br>3000<br>C 0,08 ARS Sat - | ESSE<br>NS NONA Poa<br>2500<br>0,12<br>0,15<br>2000 A SSWN N  EEpf<br>0,20<br>KAY RRA. ,<br>1500<br>0,30<br>0,40<br>1000 P SRSASS84) Po<br>0,60<br>0,80 —PRSS<br>500 1,20<br>2,00<br>0 e SSSS < S ERS D748 BERR RSO ERE REESE<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>T A [°C] ID [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br> [W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


Date of Publication 2024-12-05 Revision: 3.6 Seite/page 8/11 ~~a~~ 

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Technische Information /<br>technical information<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT430N  GmbH & Co. KG<br>1800<br>1600 PP 0,06 0,04 0,02 R thCA K/W] sO W~1C IRMS Oe<br>TINT N FEEEEE<br>0,08<br>1400<br>0,10<br>1200 P P OANAS N \ gy ~ |FEEPEPE EEE PEPE ye<br>0,12<br>1000 0,15<br>p SAQA HEREEEE EEE EEEEEE<br>800 0,20 SRS QQ] Eee EE<br>PSR SRRACTS) FSOE<br>600 0,30<br>400 S 0,40 ESSS POPE ASe<br>0,60 oS  ESSSSS A EF e<br>0,80<br>200<br>1,20<br>2,00<br>0 S SSSS SSS 8585889) 2  tes<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200<br>TA [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>4500<br>0,08 0,06 0,04 0,02 ~ W3C~ ~<br>4000 IRMS<br>P 0,10 N _ | Eee EE<br>3500<br>0,12 ~ ~ ~<br>P TNA SR R thCA  eG [K/W]  EeEEE<br>3000<br>0,15<br>HH EE<br>2500 S SA POCO A<br>0,20 S y S000 0000000087 655e5 558<br>2000<br>S SIS<br>0,30<br>1500<br>pS 0,40 SS SSAA S000 000007400005 2eee Rene<br>1000 0,60<br>SS Qn<br>0,80<br>500 1,20<br>2,00 SS EEA COCR<br>0 SSSSS EO<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200<br>T A [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br> [W]<br> tot<br>P<br>[W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


Date of Publication 2024-12-05 Revision: 3.6 Seite/page 9/11 ~~eeee es~~ 

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a sw<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Technische Information /** 

## **technical information** 

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Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT430N  GmbH & Co. KG<br>a “ec mbH 8 Co _<br>10000<br>a<br>aRsssGs OQQO OQQO COCOOOG 2000AiTM =<br>1000A<br>500A<br>200A<br>eeSe _————ce ee 100A<br>eeeee<br>50A<br>aeseee<br>1000<br>a QOOQOGG<br>QOOQ OO SC SSOG 20A<br>(aessees esGO i Me le Oe QO Re OO OO<br>100<br>1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Q [µAs]r<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)** 

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM 

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Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM<br>**----- End of picture text -----**<br>


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**----- Start of picture text -----**<br>
10.000<br>PO<br>Pp ee<br>Poe a ee<br>8.000 a ee ee ee ee ee eees eees ee ee<br>aeei eseee TA = 35  C || ft|tyft [ty]<br>po ee | |tt<br>6.000 Rs eg eee<br>a a ee<br>Pp Eee<br>a a a ee eA De<br>4.000<br>AER<br>+ +} PO<br>b<br>2.000 -—_}es SsSE<br>pO eePNNR Nd<br>PN<br>esOOes ee | TA = 45 C ET<br>0<br>0,01 t [s] 0,1 1<br>Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM<br> [A]<br>IT(OV)M<br>**----- End of picture text -----**<br>


a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling 

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Date of Publication 2024-12-05 

Revision: 3.6 

**Netz-Thyristor-Modul** 

# **Technische Information / technical information** 

**Phase Control Thyristor Module** 

# **TT430N** 

## Nutzungsbedingungen 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von  speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher  Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

## Terms & Conditions of usage 

The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 

This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify.  Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. 

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

Changes of this product data sheet are reserved. 

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Date of Publication 2024-12-05 

Revision: 3.6 



## Links

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