# Thyristor Diode Module, Series Connected, SCR / Diode, 1.6kV, 305 A, 2 V Vgt, 0.2 A Igt

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**URL**: https://novapart.co/products/TT330N16AOFHPSA1/thyristor-diode-module-series-connected-scr-16kv
**SKU**: TT330N16AOFHPSA1
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || Thyristors || Thyristors - SCR Modules
**Price**: €137.6400
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 176 days (indicative)

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| No. Of Pins | 7Pins |
| Product Range | - |
| Scr Module Type | Series Connected - SCR / Diode |
| Thyristor Mounting | Panel |
| On State Rms Current | 520A |
| Thyristor Case Style | Module |
| Average Forward Current | 305A |
| Gate Trigger Current Max | 200mA |
| Gate Trigger Voltage Max | 2V |
| Operating Temperature Max | 130°C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.6kV |
| Peak Repetitive Off State Voltage | 1.6kV |

## Datasheet

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## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT330N16AOF** 

## **Key Parameters** 

VDRM / VRRM 1600 V ITAVM 305 A (TC = 85 °C) ITSM 10500 A vT0 0,8 V rT 0,58 mΩ RthJC 0,1130 K/W Base plate width 50 mm Weight 800 g 

For type designation please refer to actual short form catalog 

http://www.ifbip.com/catalog 

## **Merkmale** 

- Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrie-Standard-Gehäuse 

- Elektrisch isolierte Bodenplatte 

## **Features** 

- Pressure contact technology for high reliability 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrial standard package 

- Electrically insulated base plate 

## **Typische Anwendungen** 

- Sanftanlasser 

- Gleichrichter für Antriebsapplikationen 

- Kurzschließer-Applikationen 

- Leistungssteller 

- Gleichrichter für UPS 

- Batterieladegleichrichter 

- Statische Umschalter 

## **Typical Applications** 

- Soft starter 

- Rectifier for drives applications 

- Crowbar applications 

- Power controllers 

- Rectifiers for UPS 

- Battery chargers 

- Static switches 

content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity serial number 1..5 5 SAP material number 6..12 7 ~~—_—_———~~ Internal production order number 13..20 8 datecode (production year) ~~}~~ 21..22 2 ~~pO~~ datecode (production week) ~~**|**~~ 23..24 ~~oo~~ 2 

**==> picture [95 x 6] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
TT TD<br>**----- End of picture text -----**<br>


www.ifbip.com - support@infineon bip.com 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **Technische Information / technical information** 

## **TT330N16AOF** 

**TT330N16AOF** 

**TD330N16AOF** 

## **Elektrische Eigenschaften / Electrical properties** Elektrische Eigenschaften 

|S++|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|oe<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT330N16AOF**||||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG|
|Elektrische Eigenschaften<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>HöchstzulässigeWerte /Maximum ratedvalues<br>**TT330N16AOF**<br>**TD330N16AOF**<br>Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung<br>repetitive peak forward off-state and reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDRM,VRRM <br>1600<br>V<br>Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak forward off-state voltage<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDSM<br>1600<br>V<br>Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak reverse voltage<br>Tvj= +25°C... Tvj max<br>VRSM<br>1700<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>ITRMSM<br>520 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 85°C<br>TC= 80°C<br>ITAVM<br>305<br>331<br>A<br>A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25 °C, tP= 10 ms<br>Tvj= Tvj max,  tP= 10 ms<br>ITSM<br>10.500<br>9.000<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25 °C, tP= 10 ms<br>Tvj= Tvj max,  tP= 10 ms<br>I²t<br>551.250<br>405.000<br>A²s<br>A²s<br>Kritische Stromsteilheit<br>critical rate of rise of on-state current<br>DIN IEC 747-6<br>f = 50 Hz, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs<br>(diT/dt)cr<br>250 A/µs<br>Kritische Spannungssteilheit<br>critical rate of rise of off-state voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM<br>6.Kennbuchstabe / 6thletter F<br>(dvD/dt)cr<br>1000<br>V/µs<br>CharakteristischeWerte / Characteristicvalues<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max,  iT= 800 A<br>vT<br>max.<br>1,36<br>V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>max.<br>0,8 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>max.     0,58 mΩ<br>Zündstrom<br>gate trigger current<br>Tvj= 25°C, vD= 12 V<br>IGT<br>max.<br>200 mA<br>Zündspannung<br>gate trigger voltage<br>Tvj= 25°C, vD= 12 V<br>VGT<br>max.<br>2,0 V<br>Nicht zündender Steuerstrom<br>gate non-trigger current<br>Tvj= Tvj max, vD= 12 V<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>IGD<br>max.<br>max.<br>10<br>5<br>mA<br>mA<br>Nicht zündende Steuerspannung<br>gate non-trigger voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>VGD<br>max.<br>0,2 V<br>Haltestrom<br>holding current<br>Tvj= 25°C, vD= 12 V, RA= 1 Ω<br>IH<br>max.<br>300 mA<br>Einraststrom<br>latching current<br>Tvj= 25°C, vD= 12 V, RGK≥ 10 Ω<br>iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg= 20 µs<br>IL<br>max.<br>1200 mA<br>Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom<br>forward off-state and reverse current<br>Tvj= Tvj max<br>vD= VDRM, vR= VRRM<br>iD, iR<br>max.<br>50 mA<br>Zündverzug<br>gate controlled delay time<br>DIN IEC 747-6<br>Tvj= 25 °C,iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs<br>tgd<br>max.<br>3 µs<br>prepared by: AG<br>date of publication: 2020-01-15<br>approved by: ML<br>revision:<br>3.5||||||
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**Technische Information / technical information** 

**Phase Control Thyristor Module** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **TT330N16AOF** 

## **Elektrische Eigenschaften / Electrical properties** 

|S++|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|oe<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT330N16AOF**||||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG|
|Thermische Eigenschaften<br>Mechanische Eigenschaften<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5thletter O<br>tq<br>typ.<br>250<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1 min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>pro Zweig / per arm, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>0,060<br>0,120<br>0,0565<br>0,113<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>RthCH<br>max.<br>max.<br>0,02<br>0,04<br>K/W<br>K/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>130 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+130 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130  °C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 3<br>page 3<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)<br>Basic insulation (class 1, IEC61140)<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>5<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>12<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>800 g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>17 mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50 m/s²<br>file-No.<br>E 83335<br>Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in<br>Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.<br>This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging<br>technical notes.||||||
|Date of Publication: 2020-01-15|||Revision: 3.5|Seite/page: 3/11||



Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. 

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT330N16AOF** 

**==> picture [32 x 34] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Maßbild<br>Maßbil<br>Maßbild<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [306 x 71] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
1 2 3 1 2 3<br>4 5 7 6 4 5<br>TT TD<br>**----- End of picture text -----**<br>


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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT330N16AOF** 

|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|R,T – Werte<br>Di<br>**R,T-Werte**<br>**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[K/W]|0,0389|0,0363|0,026|0,0098|0,002|||
|τn[s]|5,4|0,9|0,12|0,006|0,0009|||
|Analytische Funktion / Analytical function:<br><br><br><br>max<br>n<br>n=1<br>thn<br>thJC<br>n<br>– t<br>- e<br>1<br>R<br>Z||||||||



**Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin** 

||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°|
|---|---|---|---|---|---|
|ΔZth Θ rec<br>[K/W]|0,01|0,0164|0,0212|0,0281|0,0405|
|ΔZth Θ sin<br>[K/W]|0,0069|0,0098|0,0136|0,0199|0,033|



Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec 

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **Phase Control Thyristor Module** 

## **TT330N16AOF** 

**==> picture [510 x 603] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
0,140<br>Diagramme  ee<br>P| [LTTE] Trans. Wärmewiderstand bei Sinus  EEE EET EETellTT<br>0,120<br>0,100 PPeeppp Ef pdeelle peepll<br>eeeee ell<br>eeee ee ae ll<br>0,080<br>ea aaa<br>0,060 PT LTE EEE EE<br>PT er<br>P| TEETE CEEEELTTTTLTE ETT<br>0,040 Raa ee |<br>0,020 eePt TT eTee eeTTPell<br>| -+—sTT{{i]} | | {iit | | EL ot ELL ETT<br>0,000<br>0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>Trans. Wärmewiderstand bei Rechtecke bei Sinus<br>100 ee—— EEE<br>pF ti<C~ssi‘(‘i]aTT TTT TT CUTT<br>Pt TTTTT<br>Ne<br>10<br>SS a eee d<br>c<br>Se b<br>PS ooo OE oO Wee<br>a<br>eeos e et ettt  eetts SS DSSel NEEEE<br>1 P| fee 2 atT<br>—————ee7 eeaee az e |} $$} a eeoee ee EEEee ee<br>meee wr aoTT  Ae |<br>Zr ee ee ee ee a a a a a eses ee a OO<br>0,1Durchgangsverluste bei Rechteck  “TTT LL<br>10 100 1000 iG [mA] 10000 100000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V<br>+130 C<br> [V]<br>G<br>v = -40  C<br>vj<br>T<br> = = +25 C<br>vj<br>T<br>vj max<br>T<br>[K/W]<br>(th)JC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM  = f (tg) : 

a - 40 W/10ms    b - 80 W/1ms    c - 100 W/0,5ms   d – 150 W/ 0,1ms 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

## **Technische Information /** 

## **technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT330N16AOF** 

**==> picture [507 x 563] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
600<br>a<br>ee Gehäusetemperatur bei Sinus  eaen DC<br>500<br>180 rec<br>180 sin<br>a eannn<br>120 rec<br>400 PP 90 rec ap 28<br>60 rec<br>PP WA er [TT]<br>300 aa Q = 30 rec AZET ATTT<br>PTT i g<br>200 COTY  e er<br>CT Vigger TT<br>100 g r<br>Caer<br>per<br>0<br>0 100 200 ITAV [A] 300 400 500<br>Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)<br>Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)<br>Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)<br>Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ<br>140 Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>TTT TTT TTT TTT TT TTT<br>120 nS<br>CTSSSSe<br>100 PTTNSSSEE ETT<br>TTT NTSESE<br>80<br>PTT TTS NSS<br>PSR<br>ee<br>60<br>180 sin<br>PPPOr e e<br>40<br>Q = 30 rec = 30 rec 60 rec 60 rec 90 rec 90 rec 120 rec 180 rec DC<br>Pf<br>PTT TT TIP<br>20<br>0 100 200 300 400 500 600<br>ITAVM [A]<br>[W]<br>TAV<br>P<br>[°C]<br>C<br>T<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)** 

Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** 

Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ 

Date of Publication: 2020-01-15 Revision: 3.5 Seite/page: 7/11 ~~eees~~ 

**==> picture [146 x 24] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [517 x 587] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT330N16AOF  GmbH & Co. KG<br>a a mbH & Co. K<br>1600 0,16 = 0,12 0,10 lL 0,08 RthCA [K/W] i B2 im ID P | | | | | | tr rE tc Ud<br>+<br>1400 0,20 Maxim aler S trom bei B2 und B6  ee ee<br>P N [NAAQS] ~ Pt | | | ft te R-Last AY<br>R-load<br>1200 0,25 MN KAI AAN | Pf | | | ft ft LL L-Last ||<br>EN NX KAA | - | | | | | | | ft VI L-load | |<br>0,30<br>1000<br>0,40<br>800 pT AWN I NANANASSAYNUNAA |ee| f | | | ft ee| | YA ||<br>0,50<br>600 0,60<br>0,80<br>400 1,00<br>1,50<br>200 2,00<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700<br>T A [°C] I D [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>0,12 0,10 0,08 R thCA [K/W] B6 ID<br>2500 +<br>0,12<br>P NON SN  NO 3~ = a a a a aGO<br>0,20<br>2000 KIRAN - a<br>0,25<br>PEASETSN NTIRANE ANAK}G Tt a 4<br>0,30<br>1500<br>0,40 ,<br>0,50<br>1000<br>0,60<br>0,80 PS ESSSSR Ee<br>1,00<br>500<br>1,50<br>2,00<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000<br>T A [°C] ID [A]<br> [W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

## **Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID** 

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

**==> picture [146 x 24] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [497 x 253] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT330N16AOF  GmbH & Co. KG<br>0,12 0,10 0,08 R thCA K/W] W~1C<br>800 PFS Z IRMS P| | | tf | ff ft tf ft ft ft ft]<br>po 0,16 ENNAAT A Maximaler St rom n  bei W1C und W3C  a  eeee e eeGe Ge Ge<br>0,20<br>P ENSNE NAR | Pfee| | | | tf | ft tt | lt UY<br>600 0,25 ~<br>PNR|-NN NRAKAKA | P|a | [|eeft | eef [ tf>ft | fT Arf ft<br>0,30<br>[a] ee ee<br>0,40<br>400 p 0,600,500,80 PePOLEPV [RSS] NONa ROARKRRRIKNAANKRKRRNNNAAAANTECOEee EeeeEeEreeOEEeer<br>200 1,00 WOEEPRE REERRSSAANN EE re<br>1,50<br>ST SSRSSSANWQTSE QQ E OE ee<br>2,00 SERENE<br>0 ro] OO SSNS ET! TE EE<br>10 30 50 TA [°C] 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700<br>I RMS [A]<br>[W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS** 

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

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**----- Start of picture text -----**<br>
W3C<br>2500 0,12 0,10 0,08 R thCA [K/W] ~ ~ ~ IRMS<br>TS | CE<br>0,16<br>SNe 0,20 ERE ~ ~ ~  PT<br>2000 EDNNGe Seen<br>0,25<br>QNNNG PTE<br>1500 0,30<br>WAAC [EE] ZL<br>0,40<br>SSS Ee<br>0,50<br>1000 0,60<br>SR SE|!AAQCT EE<br>0,80<br>S888 ee<br>1,00<br>500<br>1,50 SSS Fe<br>2,00<br>SSS [OU<br>= = bo<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700<br>T A [°C] I RMS [A]<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS** 

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit 

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot 

Parameter: 

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 

Seite/page: 9/11 

Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT330N16AOF** 

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**----- Start of picture text -----**<br>
10000<br>es ee ee ee<br>po Steuercharverzögerungsladung<br>po<br>pt<br>1000 —— Oe<br>ee a ee ee<br>pT<br>po<br>pT<br>Cr<br>100<br>1 10 TF -di/dt [A/µs] 100<br>Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)<br>Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM<br>Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM<br>Grenzstrom<br>5.000<br>a<br>poe<br>ee ee<br>4.000 TA = 35  C<br>eeae c ee Baal<br>3.000<br>ee eeeeee<br>pt tTeet<br>2.000<br>fttT ] NE<br>SS<br>1.000<br>a ee eee<br>b<br>TA = 45 C<br>eea eee | esBai<br>0<br>0,01 t [s] 0,1 1<br>Q [µAs]r<br> [A]<br>T(OV)M<br>I<br>**----- End of picture text -----**<br>


iTM = 1000A 500A 200A 100A 50A 20A 

**Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM** 

a: Leerlauf / No-load conditions 

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling 

Date of Publication: 2020-01-15 Revision: 3.5 Seite/page: 10/11 ~~eees~~ 

**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

**Phase Control Thyristor Module** 

# **TT330N16AOF** 

## Nutzungsbedingungen 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von  speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher  Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

## Terms & Conditions of usage 

The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 

This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify.  Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. 

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

Changes of this product data sheet are reserved. 

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Date of Publication: 2020-01-15 

Revision: 3.5 



## Links

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