# Thyristor Diode Module, Series Connected - SCR / Diode, 1.4kV, 5.2kA
**URL**: https://novapart.co/products/TT162N14KOFHPSA2/thyristor-diode-module-series-connected-scr-14kv
**SKU**: TT162N14KOFHPSA2
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || Thyristors || Thyristors - SCR Modules
**Price**: €116.2800
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 232 days (indicative)
## Specifications
| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| No. Of Pins | 7Pins |
| Product Range | TT162N |
| Scr Module Type | Series Connected - SCRs |
| Thyristor Mounting | Panel |
| On State Rms Current | 260A |
| Thyristor Case Style | Module |
| Average Forward Current | 162A |
| Gate Trigger Current Max | 150mA |
| Gate Trigger Voltage Max | 2V |
| Operating Temperature Max | 125°C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.4kV |
| Peak Repetitive Off State Voltage | 1.4kV |
## Datasheet
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## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT162N**
|~~br~~|Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|eS
Cinfineon
Infineon Technologies Bipolar
GmbH & Co. KG|eS
Cinfineon
Infineon Technologies Bipolar
GmbH & Co. KG|eS
Cinfineon
Infineon Technologies Bipolar
GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**
**Phase Control Thyristor Module**|**TT162N**||||||
|**Kenndaten**
Elektrische Eigenschaften
**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**
HöchstzulässigeWerte /Maximum ratedvalues
**TT162N**
**TD162N**
**TT162N...-K**
**TD162N...-A**
**TT162N...-A**
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj= -40°C... Tvj max
VDRM,VRRM 1200
1400
1600
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj= -40°C... Tvj max
VDSM
1200
1400
1600
V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj= +25°C... Tvj max
VRSM
1300
1500
1700
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
260 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC= 85°C
ITAVM
162
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj= 25 °C, tP= 10 ms
Tvj= Tvj max, tP= 10 ms
ITSM
5200
4400
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj= 25 °C, tP= 10 ms
Tvj= Tvj max, tP= 10 ms
I²t
135000
97000
A²s
A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,
iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
(diT/dt)cr
150 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6thletter C
6.Kennbuchstabe / 6thletter F
(dvD/dt)cr
500
1000
V/µs
V/µs
CharakteristischeWerte / Characteristicvalues
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj= Tvj max, iT= 500 A
vT
max.
1,41
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj= Tvj max
V(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj= Tvj max
rT
0,95 mΩ
Zündstrom
gate trigger current
Tvj= 25°C, vD= 6 V
IGT
max.
150 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj= 25°C, vD= 6 V
VGT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj= Tvj max, vD= 6 V
Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj= 25°C, vD= 6 V, RA= 5 Ω
IH
max.
200 mA
Einraststrom
latching current
Tvj= 25°C, vD= 6 V, RGK≥ 10 Ω
iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg= 20µs
IL
max.
800 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj= Tvj max
vD= VDRM, vR= VRRM
iD, iR
max.
30 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6Tvj= 25 °C,
iGM= 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
tgd
max.
3 µs
prepared by: AG
date of publication: 2017-08-16
approved by: ML
revision:
3.4|||||||
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Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
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Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT162N**
## **Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**
Charakteristische Werte / Characteristic values
||Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|Datenblatt / Data sheet|GmbH & Co. KG|GmbH & Co. KG|GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**
**Phase Control Thyristor Module**|**TT162N**||||||
|~~Thermische Eigenschaften~~
~~Mechanische Eigenschaften~~
**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM
vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5thletter O
tq
typ.
200
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
2,5
3,0
kV
kV
**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,100
0,200
0,096
0,192
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
max.
max.
0,03
0,06
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+130 °C
**Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties**
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
6
Nm
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
310 g
Kriechstrecke
creepage distance
15 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
file-No.
E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
~~OB~~|||||||
|Date of Publication 2017-08-16||Revision: 3.4|Seite/page||Seite/page|2/13|
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Date of Publication 2017-08-16
2/13
Revision: 3.4
**==> picture [520 x 758] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
a Datenblatt / Data sheet Cinfineonor...
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N GmbH& Co. KG
a re mbH CoC_
4 wide and 2,5 deep
Maßbild
Maßbild
serewind Hepth 1740,2 2340,2 23+0,2 a
max. 11,0 ns as plug A 2,8 x 0,8
Maßbild
VAT
™ | ia “
eal 10.2
7 3 M6 5
wo
7 a
~ Pe A ALR St nl Sg
omyTF| | Ty) UHeeNY
© ; ,
80+0,2
94+0,2
1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4
TT TD
1 2 3 1 2 3
4 5 7 6 5 4
TT-K TD-A
1 2 3
5 4 6 7
-
TT A
Date of Publication 2017-08-16 Revision: 3.4 Seite/page 3/13
**----- End of picture text -----**
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT162N**
|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|R,T – Werte|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|Di
**R,T-Werte**
**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC**
**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**||||||||
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[°C/W]|0,0094|0,0224|0,0586|0,102||||
|τn[s]|0,0014|0,0253|0,267|1,68||||
|Analytische Funktion / Analytical function:
~~~~
max
n
n=1
thn
thJC
n
– t
- e
1
R
Z||||||||
Luftselbstkühlung / Natural cooling 3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
||Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)(45W)|Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)(45W)|||
|---|---|---|---|---|
||**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z**||**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthCA**||
||**Analytical elements of transient thermal impedance ZthCA**||||
|Pos. n|1
2
3
4|5|6|7|
|Rthn[°C/W]|1,71
0,135
0,013||||
|τn[s]|1200
14
4||||
Verstärkte Kühlung / Forced cooling 3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
||**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z**|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z**|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthCA**||
|---|---|---|---|---|
||**Analytical elements of transient thermal impedance ZthCA**||||
|Pos. n|1
2
3
4|5|6|7|
|Rthn[°C/W]|0,515
0,119
0,026||||
|τn[s]|354
13,6
2,41||||
**==> picture [372 x 36] intentionally omitted <==**
Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
4/13
Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT162N**
**==> picture [385 x 206] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Diagramme
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus
ozo + 0 a
5 oom CO
cee a | el ea
4 oss0 ee ee
os A
o 100 en 22
pe
oso
rT
coot EE
**----- End of picture text -----**
## **Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)**
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
## Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck
**Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)**
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
5/13
Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT162N**
**==> picture [399 x 191] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Diagramme
a P| tt tet te te
a Durchgangsverluste bei Sinus P| | | ft | ft
ae eye oT a
Emr ee ee
T_T
PEEL
Pt | | | UK tee tt
seb cage
**----- End of picture text -----**
## **Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)**
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
## Durchgangsverluste bei Rechteck
**==> picture [18 x 24] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
250
**----- End of picture text -----**
## **Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)**
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Date of Publication 2017-08-16 Revision: 3.4 Seite/page 6/13 ~~esee~~
## Datenblatt / Data sheet ~~pe~~ | **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT162N**
**==> picture [368 x 204] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
ie a OO
Gehäusetemperatur bei Sinus
mpEt
sss
a——— ae
ot ft tt
cot} | | tt) | ott ft
ott} tt
ee
(Ee
**----- End of picture text -----**
## **Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)**
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
**==> picture [370 x 33] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Gehäusetemperatur bei Rechteck
eT. .rTCOCdCC—CisSC‘(CS*”YNSC*édCSO
**----- End of picture text -----**
## **Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)**
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Date of Publication 2017-08-16 Revision: 3.4 Seite/page 7/13 ~~eeee ee~~
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
**==> picture [71 x 15] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
TT162N
**----- End of picture text -----**
**==> picture [504 x 538] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
a 0.10 ~ ‘ *
Maximaler Strom bei B2 und B6
PEASE ee LLL
R-Last
R-load
L-Last
L-load
PER AQT LU
EQ |
0 50 100 150 200 250 300 350
0 20 40 rere” 80 100 120 I D [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
i SENNA ]
800 NNN EEEB Ge [eeueneue] 40
af 2?2 RAS S SAA EEE LEpa4
momen LL Le
2 SSS&x_—— ‘—
2 SSSR
| 22 AYN
| x
PESSSSSS Eo
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
0 20 40 tare” 80 100 120 ID [A]
**----- End of picture text -----**
**Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID**
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
Date of Publication 2017-08-16 ~~a~~
Revision: 3.4 Seite/page 8/13 ~~OO~~
Date of Publication 2017-08-16
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** ~~a~~
## **TT162N**
**==> picture [503 x 185] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
o Hew SIS NRE Maximaler Strom b I ei W1C und W3C
NAR op
300 0,25 IN ~
bP MENKRKNI
PSSA
TSAR od
0,50 ~~ Ms ss hy ,
0,60 = = Ni
1.00 POE ROMA AQ
4.00 | OT = ee
0
0 100 200 300 400
0 2 40 Taprecy 80 80 100 120 I RMS [A]
**----- End of picture text -----**
## **Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS**
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
**==> picture [230 x 17] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
0 50 100 150 200 250 300 350
I RMS [A]
**----- End of picture text -----**
**==> picture [283 x 10] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
**----- End of picture text -----**
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
9/13
Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** ~~a~~
## **TT162N**
**==> picture [333 x 226] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
a
PCOS Steuercharakteristik
Poo EEE OEELE
PEE EE
Ft| ETRE EE ELE
&
>oO f o teet—
ey ee bee
ee 0 ee ee
———_eea CCee SSee
———E eee eee ee Aana
6 a
eS ee ee ee ee ee
oti
10 100 ic [MA]
**----- End of picture text -----**
**Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V**
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms Zündverzug
**==> picture [22 x 11] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
1000
**----- End of picture text -----**
**Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)**
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
Seite/page
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## Datenblatt / Data sheet
**==> picture [392 x 321] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N
a
PO—S
es ns GRDGD GO GG
Sperrverzögerungsladung
— es GD GD GG QQ
a es ee
4000eeee ee
sO er Oe ee en
a Gn car ae a ee
|)aeSo
a E F
1 10
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
**----- End of picture text -----**
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
**==> picture [100 x 14] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Grenzstrom
**----- End of picture text -----**
**Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM**
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
11/13
Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
**==> picture [153 x 23] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
**----- End of picture text -----**
**==> picture [71 x 15] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**
TT162N
**----- End of picture text -----**
~~a~~ XN a a ee | OA NITT Fe TTT TTTTTT STE Cee TT TITTT NON ees Lt > SS cree TTTT a ee ett a ee PSS ET LU 0,1 1 t Is] 10 100 1000 **Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)** B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
**Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)**
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
Seite/page
Date of Publication 2017-08-16
12/13
Revision: 3.4
## Datenblatt / Data sheet
## **Netz-Thyristor-Modul TT162N**
**Phase Control Thyristor Module**
Über
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Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
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Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
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