# Thyristor Diode Module, Series Connected- SCR, 1.6kV, 17kA

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**URL**: https://novapart.co/products/TD500N16KOFHPSA2/thyristor-diode-module-series-connected-scr-16kv
**SKU**: TD500N16KOFHPSA2
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || Thyristors || Thyristors - SCR Modules
**Price**: €182.3200
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 358 days (indicative)

## Description

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## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| No. Of Pins | 5Pins |
| Product Range | - |
| Scr Module Type | Series Connected - SCRs |
| Thyristor Mounting | Panel |
| On State Rms Current | 900A |
| Thyristor Case Style | Module |
| Average Forward Current | 500A |
| Gate Trigger Current Max | 250mA |
| Gate Trigger Voltage Max | 2.2V |
| Operating Temperature Max | 125°C |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.6kV |
| Peak Repetitive Off State Voltage | 1.6kV |

## Datasheet

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**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** a 

## **TT500N** 

## **Key Parameters** 

VDRM / VRRM 1200 - 1800V ITAVM 500A (TC=85°C) ITSM 17000A VT0 0,85V rT 0,35mΩ RthJC 0,055K/W Base plate 60mm Weight 1450g 

For type designation please refer to actual short form catalog 

http://www.ifbip.com/catalog 

## **Merkmale** 

- Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrie-Standard-Gehäuse 

- Elektrisch isolierte Bodenplatte 

- Optional: Thermisches Interface Material (TIM) bereits aufgetragen 

## **Features** 

- Pressure contact technology for high reliability 

- Advanced Medium Power Technology (AMPT) 

- Industrial standard package 

- Electrically insulated base plate 

- Option: Pre-applied thermal interface material (TIM) 

## **Typische Anwendungen** 

- Sanftanlasser 

- Gleichrichter für Antriebsapplikationen 

- Kurzschließer-Applikationen 

- Leistungssteller 

- Gleichrichter für UPS 

- Batterieladegleichrichter 

- Statische Umschalter 

## **Typical Applications** 

- Soft starter 

- Rectifier for drives applications 

- Crowbar applications 

- Power controllers 

- Rectifiers for UBS 

- Battery chargers 

- Static switches 

**==> picture [247 x 98] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Fe<br>content of customer DMX code  DMX code  DMX code<br>digit  digit quantity<br>serial number  1..5 5<br>a SAP material number  6..12  7<br>a Internal production order number  13..20 8<br>a datecode (production year) 21..22  2<br>a datecode (production week) 23..24  2<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [95 x 6] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
TT TD<br>**----- End of picture text -----**<br>


~~a~~ www.ifbip.com - support@infineon bip.com 

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Date of Publication 2016-11-25 

Revision: 3.4 

## **Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul** 

## **Phase Control Thyristor Module** 

## **TT500N** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|o-..<br>Cinfineon|o-..<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT500N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>HöchstzulässigeWerte /Maximum ratedvalues<br>**TT500N**<br>**TD500N**<br>**TT500N16KOF_TIM**<br>**TD500N16KOF_TIM**<br>Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung<br>repetitive peak forward off-state and reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDRM,VRRM 1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak forward off-state voltage<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDSM<br>1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak reverse voltage<br>Tvj= +25°C... Tvj max<br>VRSM<br>1300<br>1700<br>1500<br>1900<br>V<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>ITRMSM<br>900 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 85°C<br>ITAVM<br>500<br>A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>ITSM<br>17000<br>14500<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>I²t<br>1445000<br>1051000<br>A²s<br>A²s<br>Kritische Stromsteilheit<br>critical rate of rise of on-state current<br>DIN IEC 747-6<br>f = 50Hz, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>(diT/dt)cr<br>200 A/µs<br>Kritische Spannungssteilheit<br>critical rate of rise of off-state voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM<br>6.Kennbuchstabe / 6thletter C<br>(dvD/dt)cr<br>1000<br>V/µs<br>CharakteristischeWerte / Characteristicvalues<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max,  iT= 1700 A<br>vT<br>max.<br>1,45<br>V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>max.<br>0,85 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>max.    0,35 mΩ<br>Zündstrom<br>gate trigger current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>IGT<br>max.<br>250 mA<br>Zündspannung<br>gate trigger voltage<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>VGT<br>max.<br>2,2 V<br>Nicht zündender Steuerstrom<br>gate non-trigger current<br>Tvj= Tvj max, vD= 12V<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>IGD<br>max.<br>max.<br>10<br>5<br>mA<br>mA<br>Nicht zündende Steuerspannung<br>gate non-trigger voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>VGD<br>max.<br>0,25 V<br>Haltestrom<br>holding current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RA= 1Ω<br>IH<br>max.<br>300 mA<br>Einraststrom<br>latching current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RGK≥ 10Ω<br>iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs, tg= 20µs<br>IL<br>max.<br>1500 mA<br>Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom<br>forward off-state and reverse current<br>Tvj= Tvj max<br>vD= VDRM, vR= VRRM<br>iD, iR<br>max.<br>100 mA<br>Zündverzug<br>gate controlled delay time<br>DIN IEC 747-6<br>Tvj= 25°C, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>tgd<br>max.<br>4 µs<br>prepared by: AG<br>date of publication: 2016-11-25<br>approved by: MS<br>revision:<br>3.4||||||
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**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** 

## **TT500N** 

||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|*<br>Cinfineon|*<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT500N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|ThermischeEigenschaften<br>Mechanische Eigenschaften<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5thletter O<br>tq<br>typ.<br>250<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>pro Zweig / per arm, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>0,0290<br>0,0580<br>0,0275<br>0,0550<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>RthCH<br>max.<br>max.<br>0,01<br>0,02<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM<br>thermal resistance, case to heatsink, with TIM<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>max.<br>max.<br>0,0075<br>0,0150<br>K/W<br>K/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>125 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+125 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130  °C<br>Lagertemperatur mit TIM<br>storage temperature with TIM<br>+5…+50<br>°C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanicalproperties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 4<br>page 4<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)<br>Basic insulation (class 1, IEC61140)<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>6<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>12<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>1450 g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>19 mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50 m/s²<br>file-No.<br>E 83335||||||
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Technische Information /<br>technical information<br>d<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT500N<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [306 x 71] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
1 2 3 1 2 3<br>4 5 7 6 4 5<br>TT TD<br>**----- End of picture text -----**<br>


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**Technische Information / technical information** 

## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** a 

## **TT500N** 

**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC** 

|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT500N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DCthJC für DC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DCthJC for DC for DC**||||||||
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[K/W]|0,019|0,019|0,0111|0,00486|0,00137|||
|τn[s]|3,12|0,56|0,101|0,0086|0,00076|||
|Analytische Funktion / Analytical function:<br><br><br>~~~~<br>max<br>n<br>n=1<br>thn<br>thJC<br>n<br>– t<br>- e<br>1<br>R<br>Z||||||||



**Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin** 

||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°|
|---|---|---|---|---|---|
|ΔZth Θ rec<br>[K/W]|0,00466|0,00760|0,00988|0,01362|0,02118|
|ΔZth Θ sin<br>[K/W]|0,00272|0,00390|0,00547|0,00833|0,01577|



Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec 

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin 

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## **Technische Information / technical information** 

**==> picture [153 x 30] intentionally omitted <==**

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Diagramme<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **TT500N** 

**==> picture [498 x 618] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
0,060<br>| |<br>aaee<br>a| ea ee ell<br>0,040<br>HEHEHE a<br>eg eeIHel<br>ne 0|<br>a<br>0,020<br>YS ee ell<br>ny eet ee ee ell<br>an | | |<br>a en | en |<br>0,000<br>0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Durchgangsverluste<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ<br>100<br>ee<br>——— ee a a<br>PCr<br>rs ne en Gn Od nn Pe GO OO QQ<br>10 i c<br>pp fee<br>b<br>ee—— ee ee a an<br>po  a<br>eeeee ee eee eere ee ee ee<br>eee | OR eeeee<br>1 a = s4— At<br>ee A 2 eeee<br>e e<br>ee ee ee ee ee ee se Oe Gd QO GO GD<br>ZA a a ae OOO (GO OO<br>pret<br>0,1<br>10 100 iG [mA] 1000 10000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V<br>Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM  = f (tg) :<br>a - 20W/10ms    b - 40W/1ms    c - 60W/0,5ms<br> [V]<br>G<br>v<br> = Tvj<br>Tvj<br>vj max<br>T<br> [K/W]<br>(th)JR<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


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**==> picture [146 x 24] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [511 x 610] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT500N  GmbH & Co. KG<br>1200<br>OO OO<br>DC<br>aPi; | yy Pr eetT Pr eeeeeeeeeeeeH+++ ++i|<br>1000 a ee eeee ee ee eeee ee ee eeee<br>Pi| | | tT |tt re<br>aeeeeee eee eee ) | | | pret | ft ft ft<br>pp PP pp, 80° sin 180°rec | |Tey<br>800 Pi; tT tT tT cde Te Port<br>eeee eeee 120°rec FOat e tT tT tt<br>Pee oe ree eeem<br>PtTT 69° ree A Ae) Peet  pE<br>ee 47. a ee ee<br>600<br>rT] Ongo' Q  ree 1) OO ee rrr CL<br>P| | | yt Vina Aa 2 ee eee eee eee<br>eeeeeeaes22.e ee eeeeeeeeeeeeeee<br>400 Pit Et Aetee<br>TOOTE<br>BeP|)eeee2 oeeeeeeeeeeeeeeeeeee<br>dE | [PP] YA siaPF<br>200 Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>| | | | |ga<br>|| LBdT [ee][EE]<br>eeseeeeeeeeeeeeee<br>cS a GO GO A GO<br>0<br>0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000<br>ITAV [A]<br>Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)<br>Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)<br>Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)<br>Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ<br>140<br>BEE EERE EEE<br>120 mee | ||<br>JSS<br>100<br>po | Uo RSs<br>HE TKCARSSEEE SEE<br>80<br>pS PSSST<br>PoPPR<br>SERS Geese eee eee eee eee<br>60<br>Se a PLETE EEE<br>Pt EE terse<br>40<br>Q DC<br>P| | | [|] ss0°r1ec correc g0°rec | |120°rec|] |teorree= | | | |<br>20 etEt ee<br>0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000<br>ITAVM [A]<br>[°C]<br>C<br>T<br>[W]<br>TAV<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)** 

Strombelastung je Zweig / Current load per arm 

**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)** Parameter: Stromflußwinkel Θ  / Current conduction angle Θ 

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Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>


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**----- Start of picture text -----**<br>
Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **TT500N** 

**==> picture [508 x 650] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Po RthCA [K/W] - B2 . ID ee<br>3000 0,08 +<br>| XS} ee ee ee eee eee<br>~ R-Last<br>R-load L-Last<br>0,12 L-load<br>-<br>2000 P 0,15 IN Pp pL ge<br>NEN NR Ee Oe<br>0,20<br>0,25<br>0,30<br>1000<br>0,40<br>0,50<br>0,60 SE RA A<br>0,80<br>1,20<br>1,200,18 2,00 SSSI<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>T A [°C] I D [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>4500<br>0,08 R thCA [K/W] B6 ID<br>4000 P N e e +<br>0,12 3~<br>3500<br>0,15 -<br>3000<br>0,20<br>2500<br>0,25<br>2000 ,<br>0,30<br>p NNSNACK KN OEa Or<br>1500 0,40<br>0,50<br>1000 0,60<br>0,80 = ESSAAL| pa<br>1,20<br>500 1,20 SSS SSS) J Ee<br>0,25 2,00 [= SSSA FOO [TUCO‘]<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600<br>T A [°C] ID [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br> [W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


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**==> picture [517 x 722] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Technische Information /  an<br>technical information<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT500N  GmbH & Co. KG<br>1600<br>0,08 R thCA K/W] W~1C<br>1400 P| Po IRMS re eeeee<br>1200 0,12<br>P N i ~ pf fp fe |Ae<br>1000 S 0,15 E E:  poppy<br>E SS N  Rt<br>800 0,20<br>0,25<br>600 0,30 SSH EE to<br>0,40<br>400 0,50<br>0,60 SSS |}4<br>0,80<br>200 1,20<br>0,06 2,00 SSS—— SS = S<br>2,00<br>0 SSN EO<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>TA [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>5000<br>R thCA [K/W] ~ W3C~ ~<br>4500 0,08 IRMS<br>j oann 7 ) Se<br>4000<br>N OAA teak] ~ ~ ~ FEE<br>3500 0,12<br>3000 P 0,15 S PS RE SE SE St<br>0,02<br>2500<br>S 0,20 ES SEE<br>0,50<br>2000 0,25<br>0,30<br>1500<br>0,40 SREB SSS Fe<br>0,50<br>1000 0,60<br>0,80<br>500 1,20<br>SSSI<br>2,00<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>T A [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>[W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>


Date of Publication 2016-11-25 Revision: 3.4 Seite/page 9/11 ~~CC~~ 

## **Technische Information / technical information** 

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Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT500N<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [500 x 235] intentionally omitted <==**

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10000 aa GGa CC C(O OGGCO<br>EetpeG GG S(OOO OO<br>Rsrs rn rs PD GsQ Q Qotto iTM = 2000A<br>A 1000A<br>500A<br>a 200A100A<br>es—————<br>50A<br>ee eee<br>ae e<br>1000 _ ne ne ne ne es i ii. 20A<br>aesGQOOa a  OGG O |<br>———<br>esaes es DD DG QR QQOO<br>100<br>1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Q [µAs]r<br>**----- End of picture text -----**<br>


## **Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)** 

**==> picture [166 x 10] intentionally omitted <==**

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Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM<br>**----- End of picture text -----**<br>


Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM 

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12.000<br>a se GD GO GO GO GC OO<br>esee ns Ps ID GOD(DDS a (OOOO<br>10.000 a esee eeee eeen ee eeP|eses<br>a es ee<br>a ae es ee ee ee ed 9 A<br>a a ee TA 5 ft te<br>a ee = = 35°C [| ft<br>8.000 | | | | ct<br>eseees Ps RD UD I eS)a GD<br>6.000 a eees Re ns en en nDa a ee ee eee<br>aa ee Me ee A A<br>a ed A es<br>4.000 OSCO pe<br>PNpo Ne<br>DPorr— b i<br>2.000 Preeee NK<br>eR<br>es rs ss GOs (es 5 | |<br>es rs ss GOs (es TA = 45°C | |<br>0 es es es ee nn fF | fT |<br>0,01 t [s] 0,1 1<br>Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM<br>a: Leerlauf / No-load conditions<br>b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM<br>TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling<br>TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling<br> [A]<br>IT(OV)M<br>**----- End of picture text -----**<br>


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Date of Publication 2016-11-25 

Revision: 3.4 

**Technische Information / technical information** 

**Netz-Thyristor-Modul** 

**Phase Control Thyristor Module** 

## **TT500N** 

## Nutzungsbedingungen 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle 

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von  speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher  Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

## Terms & Conditions of usage 

The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 

This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. 

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. 

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify.  Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. 

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

Changes of this product data sheet are reserved. 

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Date of Publication 2016-11-25 

Revision: 3.4 



## Links

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