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TD250N16KOFHPSA1
Thyristor Module, Series Connected, 250A, 1.6KV
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- Manufacturer: INFINEON
- Product type: Thyristors - SCR Modules
- SCR Module Type:Series Connected - SCR / Diode; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV; Gate Trigger Current Max, Igt:200mA; Current It av:250A; On State RMS Current IT(rms):41
- SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
- No. of Pins: 5Pins
- Product Range: -
- SCR Module Type: Series Connected - SCR / Diode
- Thyristor Mounting: Panel
- On State RMS Current: 410A
- Thyristor Case Style: Module
- Average Forward Current: 250A
- Gate Trigger Current Max: 200mA
- Gate Trigger Voltage Max: 2V
- Operating Temperature Max: 125°C
- Repetitive Peak Reverse Voltage: 1.6kV
- Peak Repetitive Off State Voltage: 1.6kV
| Delivery and price | |
|---|---|
| Units per pack | 10 |
| Price | 124.04 € |
| Current stock | 10+ |
| Lead time | 30 days |
Datasheet
**Technische Information / technical information**
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
**Key Parameters** VDRM / VRRM 1200 – 1800 V ITAVM 250 A (TC=85 °C) ITSM 8000 A VT0 0,8 V rT 0,7 mΩ RthJC 0,124 K/W Base plate 50 mm Weight 800 g
For type designation please refer to actual short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
## **Merkmale**
- Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit
- Industrie-Standard-Gehäuse
- Elektrisch isolierte Bodenplatte
- Optional: Thermisches Interface Material (TIM) bereits aufgetragen
## **Features**
- Pressure contact technology for high reliability
- Industrial standard package
- Electrically insulated base plate
- Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)
## **Typische Anwendungen**
- Sanftanlasser
- Gleichrichter für Antriebsapplikationen
- Kurzschließer-Applikationen
- Leistungssteller
- Gleichrichter für UPS
- Batterieladegleichrichter
- Statische Umschalter
## **Typical Applications**
- Soft starter
- Rectifier for drives applications
- Crowbar applications
- Power controllers
- Rectifiers for UBS
- Battery chargers
- Static switches
content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity ~~a~~ serial number 1..5 5 ~~a~~ SAP material number 6..12 7 ~~a~~ Internal production order number 13..20 8 ~~a~~ datecode (production year) 21..22 2 ~~Po~~ datecode (production week) 23..24 2
**TT TD DT** www.ifbip.com ~~——~~ support@infineon-bip.com
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Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.4
## **Technische Information / technical information**
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|o-..<br>Cinfineon|o-..<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT250N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>HöchstzulässigeWerte /Maximum ratedvalues<br>**TT250N**<br>**TD250N**<br>**DT250N**<br>**TT250N16KOF_TIM**<br>**TD250N16KOF_TIM**<br>Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung<br>repetitive peak forward off-state and reverse voltages<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDRM,VRRM 1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak forward off-state voltage<br>Tvj= -40°C... Tvj max<br>VDSM<br>1200<br>1600<br>1400<br>1800<br>V<br>V<br>Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung<br>non-repetitive peak reverse voltage<br>Tvj= +25°C... Tvj max<br>VRSM<br>1300<br>1700<br>1500<br>1900<br>V<br>V<br>Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert<br>maximum RMS on-state current<br>ITRMSM<br>410 A<br>Dauergrenzstrom<br>average on-state current<br>TC= 85°C<br>TC= 82°C<br>ITAVM<br>250<br>A<br>Stoßstrom-Grenzwert<br>surge current<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>ITSM<br>8000<br>7000<br>A<br>A<br>Grenzlastintegral<br>I²t-value<br>Tvj= 25°C, tP= 10ms<br>Tvj= Tvj max, tP= 10ms<br>I²t<br>320000<br>245000<br>A²s<br>A²s<br>Kritische Stromsteilheit<br>critical rate of rise of on-state current<br>DIN IEC 747-6<br>f = 50Hz, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>(diT/dt)cr<br>150 A/µs<br>Kritische Spannungssteilheit<br>critical rate of rise of off-state voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,67 VDRM<br>6.Kennbuchstabe / 6thletter F<br>(dvD/dt)cr<br>1000<br>V/µs<br>CharakteristischeWerte / Characteristicvalues<br>Durchlaßspannung<br>on-state voltage<br>Tvj= Tvj max, iT= 800 A<br>vT<br>max.<br>1,5<br>V<br>Schleusenspannung<br>threshold voltage<br>Tvj= Tvj max<br>V(TO)<br>max.<br>0,8 V<br>Ersatzwiderstand<br>slope resistance<br>Tvj= Tvj max<br>rT<br>max.<br>0,7 mΩ<br>Zündstrom<br>gate trigger current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>IGT<br>max.<br>200 mA<br>Zündspannung<br>gate trigger voltage<br>Tvj= 25°C, vD= 12V<br>VGT<br>max.<br>2 V<br>Nicht zündender Steuerstrom<br>gate non-trigger current<br>Tvj= Tvj max, vD= 12V<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>IGD<br>max.<br>max.<br>10<br>5<br>mA<br>mA<br>Nicht zündende Steuerspannung<br>gate non-trigger voltage<br>Tvj= Tvj max, vD= 0,5 VDRM<br>VGD<br>max.<br>0,2 V<br>Haltestrom<br>holding current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RA= 1Ω<br>IH<br>max.<br>300 mA<br>Einraststrom<br>latching current<br>Tvj= 25°C, vD= 12V, RGK≥ 10Ω<br>iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs, tg= 20µs<br>IL<br>max.<br>1200 mA<br>Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom<br>forward off-state and reverse current<br>Tvj= Tvj max<br>vD= VDRM, vR= VRRM<br>iD, iR<br>max.<br>50 mA<br>Zündverzug<br>gate controlled delay time<br>DIN IEC 747-6<br>Tvj= 25°C, iGM= 1A, diG/dt = 1A/µs<br>tgd<br>max.<br>3 µs<br>prepared by: AG<br>date of publication: 2016-11-25<br>approved by: MS<br>revision:<br>3.4||||||
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**Technische Information / technical information**
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|*<br>Cinfineon|*<br>Cinfineon|
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT250N**|||Infineon Technologies Bipolar<br>GmbH & Co. KG||
|ThermischeEigenschaften<br>Mechanische Eigenschaften<br>**Elektrische Eigenschaften / Electrical properties**<br>Charakteristische Werte / Characteristic values<br>Freiwerdezeit<br>circuit commutated turn-off time<br>Tvj= Tvj max, iTM= ITAVM<br>vRM= 100 V, vDM= 0,67 VDRM<br>dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs<br>5.Kennbuchstabe / 5thletter O<br>tq<br>typ.<br>250<br>µs<br>Isolations-Prüfspannung<br>insulation test voltage<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1min<br>RMS, f = 50 Hz, t = 1sec<br>VISOL<br>3,0<br>3,6<br>kV<br>kV<br>**Thermische Eigenschaften / Thermal properties**<br>Innerer Wärmewiderstand<br>thermal resistance, junction to case<br>pro Modul / per Module, Θ = 180° sin<br>pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin<br>pro Modul / per Module, DC<br>pro Zweig / per arm, DC<br>RthJC<br>max.<br>max.<br>max.<br>max.<br>0,065<br>0,13<br>0,062<br>0,124<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand<br>thermal resistance, case to heatsink<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>RthCH<br>max.<br>max.<br>0,02<br>0,04<br>K/W<br>K/W<br>Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM<br>thermal resistance, case to heatsink, with TIM<br>pro Modul / per Module<br>pro Zweig / per arm<br>max.<br>max.<br>0,015<br>0,030<br>K/W<br>K/W<br>Höchstzulässige Sperrschichttemperatur<br>maximum junction temperature<br>Tvj max<br>125 °C<br>Betriebstemperatur<br>operating temperature<br>Tc op<br>-40...+125 °C<br>Lagertemperatur<br>storage temperature<br>Tstg<br>-40...+130 °C<br>Lagertemperatur mit TIM<br>storage temperature with TIM<br>+5…+50<br>°C<br>**Mechanische Eigenschaften / Mechanicalproperties**<br>Gehäuse, siehe Anlage<br>case, see annex<br>Seite 4<br>page 4<br>Si-Element mit Druckkontakt<br>Si-pellet with pressure contact<br>Innere Isolation<br>internal insulation<br>Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)<br>Basic insulation (class 1, IEC61140)<br>AlN<br>Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse<br>mounting torque<br>Toleranz / Tolerance ± 15%<br>M1<br>5<br>Nm<br>Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse<br>terminal connection torque<br>Toleranz / Tolerance ± 10%<br>M2<br>12<br>Nm<br>Steueranschlüsse<br>control terminals<br>DIN 46 244<br>A 2,8 x 0,8<br>Gewicht<br>weight<br>G<br>typ.<br>800 g<br>Kriechstrecke<br>creepage distance<br>0 mm<br>Schwingfestigkeit<br>vibration resistance<br>f = 50 Hz<br>50 m/s²<br>file-No.<br>E 83335||||||
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**==> picture [349 x 60] intentionally omitted <==**
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Technische Information /<br>technical information<br>d<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT250N<br>**----- End of picture text -----**<br>
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1 2 3 1 2 3 1 2 3<br>4 5 7 6 4 5 7 6<br>TT TD DT<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Date of Publication 2016-11-25<br>**----- End of picture text -----**<br>
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## **Technische Information / technical information**
## **Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module** a
## **TT250N**
**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC**
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**<br>**TT250N**<br>a<br>“ermH Co K“_<br>GmbH & Co. KG|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|**Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DCthJC für DC für DC**<br>**Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DCthJC for DC for DC**||||||||
|Pos. n|1|2|3|4|5|6|7|
|Rthn[K/W]|0,0426|0,0429|0,0257|0,0097|0,0031|||
|τn[s]|3,06|0,61|0,11|0,008|0,0009|||
|Analytische Funktion / Analytical function:<br><br><br>~~~~<br>max<br>n<br>n=1<br>thn<br>thJC<br>n<br>– t<br>- e<br>1<br>R<br>Z||||||||
**Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin**
||Θ = 180°|Θ = 120°|Θ = 90°|Θ = 60°|Θ = 30°|
|---|---|---|---|---|---|
|ΔZth Θ rec<br>[K/W]|0,01007|0,01655|0,02161|0,02981|0,04541|
|ΔZth Θ sin<br>[K/W]|0,00601|0,00869|0,01236|0,01905|0,03519|
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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**==> picture [146 x 24] intentionally omitted <==**
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Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [312 x 30] intentionally omitted <==**
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Diagramme<br>Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT250N<br>**----- End of picture text -----**<br>
**==> picture [498 x 648] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
0,140 po pg<br>po ee<br>po ee<br>po eee<br>0,120 po | re—<br>po er<br>aee OO eG<br>po<br>0,100 eeeae<br>po Op<br>popeae<br>pope<br>poee<br>0,080 (ERpoOeOOOe en QOHgOO 4 GG OGG OO<br>po<br>poee<br>po<br>0,060 apoa a oOee Oe nO<br>poe<br>a2eeee<br>a4 eeee<br>0,040 eea a a Paeae eeOO OOOeee eee eee eee ee eee<br>aa a Oese> oe es<br>aa0 ee<br>0,020 (rseeeeOO Oe Oe GO OG GO<br>aOa e eeeOO<br>apoa 0OeOe GOOeOe<br>0,000 esOO OO OCG OOO<br>0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100<br>Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)<br>Durchgangsverluste<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ<br>100<br>eea ee ee eeel<br>rr<br>po<br>po<br>10<br>eea aSee ee ee ee ee<br>po OC OS eel b c d a<br>a eerree eee eeNT a = {; || i| TUTtityTY<br>aa NH AA<br>e e ee eS ell<br>1 ——rreea ons OY eeCCeeeeol<br>ee AZ AGGa<br>AzZaaee eee Alv—OOHO| f | | it etyp<br>go perTE<br>0,1<br>10 100 1000 iG [mA] 10000 100000<br>Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V<br>Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V<br>Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :<br>a - 40W/10ms b - 80W/1ms c - 100W/0,5ms d - 150W/0,1ms<br> [V]<br>G<br>v<br>Tvj<br> =<br>vj max Tvj<br>T<br> [K/W]<br>(th)JR<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>
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## **Technische Information / technical information**
**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
||**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|**Technische Information /**<br>**technical information**|||
|---|---|---|---|---|---|
|**Netz-Thyristor-Modul**<br>**Phase Control Thyristor Module**|**TT250N**|||GmbH<br>& Co.KG||
|Gehäusetemperatur bei Rechteck<br>0<br>50<br>100<br>150<br>200<br>250<br>300<br>350<br>400<br>450<br>500<br>0<br>50<br>100<br>150<br>200<br>250<br>300<br>350<br>400<br>450<br>**PTAV[W]**<br>**ITAV [A]**<br>**DC**<br>Q<br>**Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) **<br>Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)**<br>**Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)**<br>Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ<br>20<br>40<br>60<br>80<br>100<br>120<br>140<br>0<br>50<br>100<br>150<br>200<br>250<br>300<br>350<br>400<br>450<br>**TC [°C]**<br>**ITAVM[A]**<br>**DC**<br>Q<br>**Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM) **<br>Strombelastung je Zweig / Current load per arm<br>**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)**<br>**Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)**<br>Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ<br>~~po~~<br>~~te~~<br>ee~~e~~<br>eee<br>ee<br>eee ae<br>ipt<br>——ZCease<br>= 30° rec<br>Sees: ~~a~~oe<br>~~Soe. aan eee eee~~<br>~~ce~~<br>—__|<br>S555 SS SSSS SSSSSSSS<br>SS<br>po}<br>SSS<br>ee<br>ee<br>eeeee<br>ee<br>Fo ee<br>ODee<br>tH<br>atte<br>SO<br>es ee<br>|<br>i<br>~~ee~~<br>~~ee ee eee~~<br>~~ptf~~||||||
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## **Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)**
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
**Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)**
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>
## **Netz-Thyristor-Modul**
**Phase Control Thyristor Module**
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TT250N<br>**----- End of picture text -----**<br>
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1600<br>0,15 0,12 fe RthCA [K/W] - B2 . ID ae ee<br>1400 +<br>0,18<br>0,20 ~<br>1200 N WAY w eeSees eeeeeeea R-Last 74<br>R-load<br>0,25<br>1000 0,30 - L-LastL-load<br>NISCSAXAY eeeZ<br>800 0,40<br>0,50<br>600 0,60 PRA : }<br>S 800) 4<br>0,80<br>400<br>1,00<br>aEEee RAQN<br>1,50<br>200 2,00<br>——SSSESSSAK | A ae<br>1,200,18<br>0 Sg e-7 ——<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600<br>T A [°C] I D [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>2500<br>0,12 0,08 R thCA [K/W] B6 ID<br>+<br>ENeee 0,15 S] Pee<br>2000 PNK NE: 3~ ee<br>0,20 -<br>PNISAAT 0,25 #22] EEa<br>1500<br>0,30<br>H S S) FE<br>0,40<br>1000 0,50 ,<br>0,60<br>~~. LL —™ SS \S ee ee ee ee eee ee<br>0,80<br>500 1,20<br>SSSWR Eee<br>2,002,00<br>S 880<br>0 P e RSS O UD<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700 800<br>T A [°C] ID [A]<br>Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID<br>B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br> [W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Technische Information /<br>technical information<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Netz-Thyristor-Modul<br>Phase Control Thyristor Module TT250N<br>700 0,16 0,12 0,10 0,08 R thCA K/W] W~1C<br>IRMS<br>0,20<br>600 BRONnSKN | E S eeee ee ee<br>0,25<br>500 ~<br>0,30<br>SQ |Fr<br>400 0,40 NQ O AAYRA re ee /<br>SSS ee<br>0,50<br>300<br>0,60 Rss ee ee<br>SREER SRA Fo<br>0,80<br>200<br>1,00<br>pe —_ -ESSEAQQAG | ee<br>1,50<br>100 2,00 SQ ee<br>0 SSS [EE<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600<br>TA [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit<br>Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot<br>Parameter:<br>Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /<br>Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA<br>0,16 0,12 0,10 0,08 R thCA [K/W] ~ W3C~ ~<br>2000 IRMS<br>ENENS 0,20 ~f E EEE Et ty<br>0,25 ~ ~ ~<br>1500 RQ H e<br>0,30<br>y,<br>0,40<br>1000 0,50<br>0,60<br>0,80<br>1,00<br>500<br>1,50<br>2,00<br>SSRedQow y<br>SS<br>0<br>10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600<br>T A [°C] I RMS [A]<br>Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS<br>[W]<br> tot<br>P<br> [W]<br> tot<br>P<br>**----- End of picture text -----**<br>
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2016-11-25 Revision: 3.4 Seite/page 9/11 ~~eses es~~
## **Technische Information / technical information**
**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
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10000 LS<br>poaa eGGOODO(nGOGOOGCOOO OOOO<br>rs GO GQ GO<br>iTM = 1000A<br>500A<br>200A<br>ee SS|==<br>100A<br>1000 Sea 50A<br>Se e e ee ee eee eee 20A<br>e —_————eC<br>eeeRams es ee ee ee es ese G<br>100<br>1 10 -di/dt [A/µs] 100<br>Q [µAs]r<br>**----- End of picture text -----**<br>
**Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)**
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
**==> picture [490 x 314] intentionally omitted <==**
**----- Start of picture text -----**<br>
5.500<br>pe<br>5.000 a ee ee Po<br>pe a a<br>4.500 a ee 74 Po<br>a i | [ff]<br>4.000 es TA |<br>a = 35°C LP | ft |<br>a ee | | |<br>3.500<br>es ee<br>a DO<br>3.000 DO<a<br>aaa a eeee ee eeNe<br>2.500<br>a a a ee ee<br>eG<br>ee<br>2.000<br>a ee SU | De<br>1.500 pe NN<br>po NYNN<br>1.000 pe NN<br>aa ee | b eeee<br>500<br>a a sdpp p—____|___# NY TA =asec Pt Lit<br>0<br>0,01 t [s] 0,1 1<br>Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM<br>a: Leerlauf / No-load conditions<br>b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM<br>TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)<br>TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)<br> [A]<br>IT(OV)M<br>**----- End of picture text -----**<br>
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Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.4
**Technische Information / technical information**
**Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module**
## **TT250N**
## Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
## Terms & Conditions of usage
The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application.
This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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Date of Publication 2016-11-25
Revision: 3.4
Updated at June 7, 2026
Infineon Technologies is a globally recognized leader in semiconductor solutions, renowned for driving innovation in power management, energy efficiency, and modern mobility. With a strong legacy of engineering excellence, the company provides highly reliable components designed to meet the rigorous demands of industrial, automotive, and advanced commercial applications. The core of our Infineon portfolio is centered on their industry-leading discrete semiconductors. We offer an extensive selection of single and dual MOSFETs, alongside a robust range of single IGBTs and advanced IGBT modules. These flagship power transistors are essential for high-efficiency power conversion and motor control, providing engineers with superior thermal performance and minimized switching losses. Beyond advanced field-effect transistors, the selection includes a comprehensive array of diodes and rectifiers, heavily featuring Schottky diodes, as well as fast-recovery and RF/PIN diodes. This power foundation is further supported by bipolar transistors, intelligent power modules, and thyristor SCR modules, delivering the critical building blocks required for complex power system designs. To support broader system integration, the portfolio also encompasses specialized solutions such as solid-state relays, AC/DC LED driver ICs, and Bluetooth communications modules. From high-power industrial rectifiers to wireless connectivity adapters, Infineon equips designers with the precision components needed to build efficient, scalable, and fully connected electronic systems.
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