# Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, SOT-89, Surface Mount

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**URL**: https://novapart.co/products/RJP020N06FRAT100/power-mosfet-n-channel-60-v-2-a-024-ohm-sot-89
**SKU**: RJP020N06FRAT100
**Manufacturer**: ROHM
**Category**: Semiconductors - Discretes || FETs || Single MOSFETs
**Price**: €0.1390
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 134 days (indicative)

## Description

Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V;

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Msl | MSL 1 - Unlimited |
| Svhc | Lead (23-Jan-2024) |
| No. Of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | - |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Power Dissipation | 500mW |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(On) Test Voltage | 4.5V |
| Transistor Case Style | SOT-89 |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 2A |
| Drain Source On State Resistance | 0.24ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.5V |

## Datasheet

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Datasheet 

Nch 60V 2A Middle Power MOSFET 

## RJP020N06FRA 

## **l Outline** 

**==> picture [166 x 86] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
|||
|---|---|
|VDSS|60V|
|RDS(on)(Max.)|240mΩ|
|ID|±2A|
|PD|2W|

**----- End of picture text -----**<br>


SOT-89 MPT3 

## **l Inner circuit** 

## **l Features** 

1) Low on-resistance 2) Low voltage drive(2.5V drive) 

3) AEC-Q101 Qualified 

## **l Packaging specifications** 

## **l Application** 

Switching 

**==> picture [235 x 119] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
||||
|---|---|---|
|Embossed|
|Packing|
|Tape|
|Reel size (mm)|180|
|Type|Tape width (mm)|12|
|Basic ordering unit (pcs)|1000|
|Taping code|T100|
|Marking|LS|

**----- End of picture text -----**<br>


## **l Absolute maximum ratings** (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) 

**==> picture [493 x 166] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
||||||
|---|---|---|---|---|
|Parameter|Symbol|Value|Unit|
|Drain - Source voltage|VDSS|60|V|
|Continuous drain current|ID|±2|A|
|Pulsed drain current|IDP|[*1]|±8|A|
|Gate - Source voltage|VGSS|±12|V|
|PD|[*2]|2|W|
|Power dissipation|
|PD|[*3]|500|mW|
|Junction temperature|Tj|150|℃|
|Operating junction and storage temperature range|Tstg|-55 to +150|℃|

**----- End of picture text -----**<br>


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**20160713 - Rev.001** 

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**RJP020N06FRA** 

Datasheet 

## **l Thermal resistance** 

|**lThermal resistance**||||||
|---|---|---|---|---|---|
|Parameter|Symbol|Values|||Unit|
|||Min.|Typ.|Max.||
|Thermal resistance, junction - ambient|RthJA*2|-|-|62.5|℃/W|
||RthJA*3|-|-|250|℃/W|



## **l Electrical characteristics (Ta = 25°C)** 

|Parameter|Symbol|Conditions|Values|Values|Values|Unit|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||Min.|Typ.|Max.||
|Drain - Source breakdown<br>voltage|V(BR)DSS|VGS= 0V, ID= 1mA|60|-|-|V|
|Breakdown voltage<br>temperature coefficient|ΔV(BR)DSS <br>  ΔTj|ID= 1mA<br> referenced to 25℃|-|63.3|-|mV/℃|
|Zero gate voltage<br>drain current|IDSS<br>*Ta=25°C|VDS= 60V, VGS= 0V|-|-|1|μA|
||IDSS<br>*Ta=125°C|VDS= 60V, VGS= 0V|-|-|200|μA|
|Gate - Source leakage current|IGSS|VGS= ±12V, VDS= 0V|-|-|±10|μA|
|Gate threshold voltage|VGS(th)|VDS= 10V, ID= 1mA|0.8|-|1.5|V|
|Gate threshold voltage<br>temperature coefficient|ΔVGS(th) <br>  ΔTj|ID= 1mA<br> referenced to 25℃|-|-2.72|-|mV/℃|
|Static drain - source<br>on - state resistance|RDS(on)*4|VGS= 4.5V, ID= 2A|-|165|240|mΩ|
|||VGS= 4.0V, ID= 2A|-|170|250||
|||VGS= 2.5V, ID= 2A|-|210|300||
|Gate resistance|RG|f = 1MHz, open drain|-|3.0|-|Ω|
|Forward Transfer<br>Admittance||Yfs|*4|VDS= 10V, ID= 2A|1.5|-|-|S|



*1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1 % 

- *2 Mounted on a ceramic board (40x40x0.7mm) 

- *3 Each terminal mounted on a reference land. 

- *4 Pulsed 

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## **l Electrical characteristics** (Ta = 25°C) 

|Parameter|Symbol|Conditions|Values|Values|Values|Unit|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||Min.|Typ.|Max.||
|Input capacitance|Ciss|VGS= 0V<br>VDS= 10V<br>f = 1MHz|-|160|-|pF|
|Output capacitance|Coss||-|50|-||
|Reverse transfer capacitance|Crss||-|45|-||
|Turn - on delay time|td(on)*4|VDD ⋍30V,VGS= 4V<br>ID= 1A<br>RL ⋍30Ω<br>RG= 10Ω|-|8|-|ns|
|Rise time|tr*4||-|18|-||
|Turn - off delay time|td(off)*4||-|40|-||
|Fall time|tf*4||-|20|-||



## **l Gate charge characteristics** (Ta = 25°C) 

|Parameter|Symbol|Conditions|Values|Values|Values|Unit|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||Min.|Typ.|Max.||
|Total gate charge|Qg*4|VDD ⋍30V,<br>ID= 2A,<br>VGS= 4V|-|5|10|nC|
|Gate - Source charge|Qgs*4||-|1|-||
|Gate - Drain charge|Qgd*4||-|2.5|-||



## **l Body diode electrical characteristics** (Source-Drain) (Ta = 25°C) 

|Parameter|Symbol|Conditions|Values|Values|Values|Unit|
|---|---|---|---|---|---|---|
||||Min.|Typ.|Max.||
|Continuous forward current|IS|Ta= 25℃|-|-|2|A|
|Pulse forward current|ISP*1||-|-|8|A|
|Forward voltage|VSD*4|VGS= 0V, IS= 2A|-|-|1.2|V|



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## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.1 Power Dissipation Derating Curve 

Fig.3 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width 

## Fig.2 Maximum Safe Operating Area 

Fig.4 Single Pulse Maximum Power dissipation 

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## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.5 Typical Output Characteristics(I) 

Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction Temperature 

## Fig.6 Typical Output Characteristics(II) 

Fig.8 Typical Transfer Characteristics 

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## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature 

Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current 

## Fig.11 Drain Current Derating Curve 

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## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.12 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Gate Source Voltage 

Fig.13 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Junction Temperature 

Fig.14 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current (I) 

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## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.15 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current (II) 

Fig.16 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current (IlI) 

Fig.17 Static Drain - Source On - State Resistance vs. Drain Current (IV) 

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Datasheet 

## **l Electrical characteristic curves** 

Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain - Source Voltage 

Fig.20 Dynamic Input Characteristics 

Fig.19 Switching Characteristics 

Fig.21 Source Current vs. Source Drain Voltage 

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## **l Measurement circuits** 

Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit 

Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit 

## Fig.1-2 Switching Waveforms 

Fig.2-2 Gate Charge Waveform 

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## **l Dimensions** 

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## `ご注意` 

## `ローム製品取扱い上の注意事項` 

1. `極めて高度な信頼性が要求され、その故障や誤動作が人の生命、身体への危険もしくは損害、又はその他の重大な損害 の発生に関わるような機器又は装置（医療機器`[(Note 1)] `、航空宇宙機器、原子力制御装置等）（以下「特定用途」という） への本製品のご使用を検討される際は事前にローム営業窓口までご相談くださいますようお願い致します。ロームの文 書による事前の承諾を得ることなく、特定用途に本製品を使用したことによりお客様又は第三者に生じた損害等に関し、 ロームは一切その責任を負いません。` 

## (Note 1) `特定用途となる医療機器分類` 

|`日本`|USA|EU|`中国`|
|---|---|---|---|
|CLASS`Ⅲ`|CLASS`Ⅲ`|CLASS`Ⅱ`b|`Ⅲ類`|
|CLASS`Ⅳ`||CLASS`Ⅲ`||



2. `半導体製品は一定の確率で誤動作や故障が生じる場合があります。万が一、誤動作や故障が生じた場合であっても、本 製品の不具合により、人の生命、身体、財産への危険又は損害が生じないように、お客様の責任において次の例に示す ようなフェールセーフ設計など安全対策をお願い致します。` 

   - `①保護回路及び保護装置を設けてシステムとしての安全性を確保する。` 

   - `②冗長回路等を設けて単一故障では危険が生じないようにシステムとしての安全を確保する。` 

3. `本製品は、下記に例示するような特殊環境での使用を配慮した設計はなされておりません。したがいまして、下記のよ うな特殊環境での本製品のご使用に関し、ロームは一切その責任を負いません。本製品を下記のような特殊環境でご使 用される際は、お客様におかれまして十分に性能、信頼性等をご確認ください。` 

   - `①水・油・薬液・有機溶剤等の液体中でのご使用 ②直射日光・屋外暴露、塵埃中でのご使用` 

   - `③潮風、` Cl2 `、` H2S `、` NH3 `、` SO2 `、` NO2 `等の腐食性ガスの多い場所でのご使用` 

   - `④静電気や電磁波の強い環境でのご使用 ⑤発熱部品に近接した取付け及び当製品に近接してビニール配線等、可燃物を配置する場合 ⑥本製品を樹脂等で封止、コーティングしてのご使用` 

   - `⑦はんだ付けの後に洗浄を行わない場合` ( `無洗浄タイプのフラックスを使用された場合も、残渣の洗浄は確実に 行うことをお薦め致します` ) `、又ははんだ付け後のフラックス洗浄に水又は水溶性洗浄剤をご使用の場合` 

   - `⑧結露するような場所でのご使用` 

4. `本製品は耐放射線設計はなされておりません。` 

5. `本製品単体品の評価では予測できない症状・事態を確認するためにも、本製品のご使用にあたってはお客様製品に 実装された状態での評価及び確認をお願い致します。` 

6. `パルス等の過渡的な負荷（短時間での大きな負荷）が加わる場合は、お客様製品に本製品を実装した状態で必ず その評価及び確認の実施をお願い致します。また、定常時での負荷条件において定格電力以上の負荷を印加されますと、 本製品の性能又は信頼性が損なわれるおそれがあるため必ず定格電力以下でご使用ください。` 

7. `電力損失は周囲温度に合わせてディレーティングしてください。また、密閉された環境下でご使用の場合は、必ず温度 測定を行い、最高接合部温度を超えていない範囲であることをご確認ください。` 

8. `使用温度は納入仕様書に記載の温度範囲内であることをご確認ください。` 

9. `本資料の記載内容を逸脱して本製品をご使用されたことによって生じた不具合、故障及び事故に関し、ロームは 一切その責任を負いません。` 

## `実装及び基板設計上の注意事項` 

1. `ハロゲン系（塩素系、臭素系等）の活性度の高いフラックスを使用する場合、フラックスの残渣により本製品の性能 又は信頼性への影響が考えられますので、事前にお客様にてご確認ください。` 

2. `はんだ付けは、表面実装製品の場合リフロー方式、挿入実装製品の場合フロー方式を原則とさせて頂きます。なお、表 面実装製品をフロー方式での使用をご検討の際は別途ロームまでお問い合わせください。 その他、詳細な実装条件及び手はんだによる実装、基板設計上の注意事項につきましては別途、ロームの実装仕様書を ご確認ください。` 

**Rev.003** 

> **[Notice-PAA-J ]** © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 

## `応用回路、外付け回路等に関する注意事項` 

1. `本製品の外付け回路定数を変更してご使用になる際は静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び本製品の バラツキ等を考慮して十分なマージンをみて決定してください。` 

2. `本資料に記載された応用回路例やその定数などの情報は、本製品の標準的な動作や使い方を説明するためのもので、 実際に使用する機器での動作を保証するものではありません。したがいまして、お客様の機器の設計において、回路や その定数及びこれらに関連する情報を使用する場合には、外部諸条件を考慮し、お客様の判断と責任において行って ください。これらの使用に起因しお客様又は第三者に生じた損害に関し、ロームは一切その責任を負いません。` 

## `静電気に対する注意事項` 

```
本製品は静電気に対して敏感な製品であり、静電放電等により破壊することがあります。取り扱い時や工程での実装時、
保管時において静電気対策を実施のうえ、絶対最大定格以上の過電圧等が印加されないようにご使用ください。特に乾
燥環境下では静電気が発生しやすくなるため、十分な静電対策を実施ください。（人体及び設備のアース、帯電物から
の隔離、イオナイザの設置、摩擦防止、温湿度管理、はんだごてのこて先のアース等）
```

## `・ 保管 運搬上の注意事項` 

1. `本製品を下記の環境又は条件で保管されますと性能劣化やはんだ付け性等の性能に影響を与えるおそれがあります のでこのような環境及び条件での保管は避けてください。` 

   - `① 潮風、` Cl2 `、` H2S `、` NH3 `、` SO2 `、` NO2 `等の腐食性ガスの多い場所での保管` 

   - `② 推奨温度、湿度以外での保管` 

   - `③ 直射日光や結露する場所での保管` 

   - `④ 強い静電気が発生している場所での保管` 

2. `ロームの推奨保管条件下におきましても、推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性に影響を与える可能性が あります。推奨保管期限を経過した製品は、はんだ付け性を確認したうえでご使用頂くことを推奨します。` 

3. `本製品の運搬、保管の際は梱包箱を正しい向き（梱包箱に表示されている天面方向）で取り扱いください。天面方向が 遵守されずに梱包箱を落下させた場合、製品端子に過度なストレスが印加され、端子曲がり等の不具合が発生する 危険があります。` 

4. `防湿梱包を開封した後は、規定時間内にご使用ください。規定時間を経過した場合はベーク処置を行ったうえでご使用 ください。` 

## `製品ラベルに関する注意事項` 

- `本製品に貼付されている製品ラベルに２次元バーコードが印字されていますが、２次元バーコードはロームの社内管理 のみを目的としたものです。` 

## `製品廃棄上の注意事項` 

```
本製品を廃棄する際は、専門の産業廃棄物処理業者にて、適切な処置をしてください。
```

## `外国為替及び外国貿易法に関する注意事項` 

```
本製品は、外国為替及び外国貿易法に定めるリスト規制貨物等に該当するおそれがありますので、輸出する場合には、
ロームへお問い合わせください。
```

## `知的財産権に関する注意事項` 

1. `本資料に記載された本製品に関する応用回路例、情報及び諸データは、あくまでも一例を示すものであり、これらに関 する第三者の知的財産権及びその他の権利について権利侵害がないことを保証するものではありません。` 

2. `ロームは、本製品とその他の外部素子、外部回路あるいは外部装置等（ソフトウェア含む）との組み合わせに起因して 生じた紛争に関して、何ら義務を負うものではありません。` 

3. `ロームは、本製品又は本資料に記載された情報について、ロームもしくは第三者が所有又は管理している知的財産権 そ の他の権利の実施又は利用を、明示的にも黙示的にも、お客様に許諾するものではありません。 ただし、本製品を通 常の用法にて使用される限りにおいて、ロームが所有又は管理する知的財産権を利用されることを妨げません。` 

## `その他の注意事項` 

1. `本資料の全部又は一部をロームの文書による事前の承諾を得ることなく転載又は複製することを固くお断り致します。` 

2. `本製品をロームの文書による事前の承諾を得ることなく、分解、改造、改変、複製等しないでください。` 

3. `本製品又は本資料に記載された技術情報を、大量破壊兵器の開発等の目的、軍事利用、あるいはその他軍事用途目的で 使用しないでください。` 

4. `本資料に記載されている社名及び製品名等の固有名詞は、ローム、ローム関係会社もしくは第三者の商標又は登録商標 です。` 

**Rev.003** 

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