# IGBT Module, Six Pack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module

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**URL**: https://novapart.co/products/FS50R12KE3BPSA1/igbt-module-six-pack-75-a-17-v-270-w-150-c
**SKU**: FS50R12KE3BPSA1
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || IGBTs || IGBT Modules
**Price**: €50.3300
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 106 days (indicative)

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Product Range | EconoPACK 2 |
| Igbt Technology | IGBT 3 |
| Igbt Termination | - |
| Power Dissipation | 270W |
| Igbt Configuration | Six Pack |
| Transistor Mounting | Panel |
| Dc Collector Current | 75A |
| Power Dissipation Pd | 270W |
| Transistor Case Style | Module |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Junction Temperature Tj Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 75A |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2kV |
| Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo | 1.2kV |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7V |
| Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On) | 1.7V |

## Datasheet

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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

## **Höchstzulässige Werte / maximum rated values** 

## **Elektrische Eigenschaften / electrical properties** 

|Kollektor Emitter Sperrspannung<br>collector emitter voltage|Tvj= 25°C|VCES|1200|V|
|---|---|---|---|---|
|Kollektor Dauergleichstrom|Tc= 80°C|IC, nom|50|A|
|DC collector current|Tc= 25°C|IC|75|A|
|repetitive peak collector current<br>Periodischer Kollektor Spitzenstrom|tp= 1ms, Tc= 80°C|ICRM|100|A|
|Gesamt Verlustleistung<br>total power dissipation|Tc= 25°C; Transistor|Ptot|270|W|
|gate emitter peak voltage<br>Gate Emitter Spitzenspannung||VGES|+<br>20|V|
|DC forward current<br>Dauergleichstrom||IF|50|A|
|Periodischer Spitzenstrom<br>repetitive peak forward current|tp= 1ms|IFRM|100|A|
|I²t value<br>Grenzlastintegral|VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C|I²t|700|A²s|
|Isolations Prüfspannung<br>insulation test voltage|RMS, f= 50Hz, t= 1min.|VISOL|2,5|kV|



## **Charakteristische Werte / characteristic values** 

## **Transistor Wechselrichter / transistor inverter** 

|**Transistor Wechselrichter / transistor inverter**|**Transistor Wechselrichter / transistor inverter**||**min.**|**typ.**|**max.**||
|---|---|---|---|---|---|---|
|Kollektor Emitter Sättigungsspannung<br>collector emitter saturation voltage|IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 125°C<br>IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 25°C|VCEsat|-<br>-|1,7<br>2,0|2,15<br>-|V<br>V|
|Gate Schwellenspannung<br>gate threshold voltage|IC= 2,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C|VGE(th)|5,0|5,8|6,5|V|
|Gateladung<br>gate charge|VGE= -15V...+15V|QG|-|0,47|-|µC|
|Eingangskapazität<br>input capacitance|f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V|Cies|-|3,50|-|nF|
|Rückwirkungskapazität<br>reverse transfer capacitance|f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V|Cres|-|0,13|-|nF|
|collector emitter cut off current<br>Kollektor Emitter Reststrom|VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C|ICES|-|-|5|mA|
|gate emitter leakage current<br>Gate Emitter Reststrom|VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C|IGES|-|-|400|nA|
||||||||
|prepared by: MOD-D2; M. Münzer|date of publication: 2002-09-03||||||
|approved: SM TM; Robert Severin|revision: 3.0||||||



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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

## **Charakteristische Werte / characteristic values** 

## Transistor Wechselrichter / transistor inverter 

|Transistor Wechselrichter / transistor inverter|Transistor Wechselrichter / transistor inverter||**min.**|**typ.**|**max.**||
|---|---|---|---|---|---|---|
||IC= 50A, VCC= 600V||||||
|Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)<br>turn on delay time (inductive load)|VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C|td,on|-|0,09|-|µs|
||VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C||-|0,09|-|µs|
||IC= 50A, VCC= 600V||||||
|Anstiegszeit (induktive Last)<br>rise time (inductive load)|VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C|tr|-|0,03|-|µs|
||VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C||-|0,05|-|µs|
||IC= 50A, VCC= 600V||||||
|Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)<br>turn off delay time (inductive load)|VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C|td,off|-|0,42|-|µs|
||VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C||-|0,52|-|µs|
||IC= 50A, VCC= 600V||||||
|Fallzeit (induktive Last)<br>fall time (inductive load)|VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C|tf|-|0,07|-|µs|
||VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C||-|0,09|-|µs|
|Einschaltverlustenergie pro Puls<br>turn on energy loss per pulse|IC= 50A, VCC= 600V, Lσ= 70nH<br>VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C|Eon|-|5,0|-|mJ|
|Ausschaltverlustenergie pro Puls<br>turn off energy loss per pulse|IC= 50A, VCC= 600V, Lσ= 70nH<br>VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C|Eoff|-|6,5|-|mJ|
|Kurzschlussverhalten<br>SC data|tP ≤10µs, VGE ≤15V, TVj ≤125°C<br>VCC= 900V, VCEmax= VCES- LσCE·di/dt|ISC|-|200|-|A|
|stray inductance module<br>Modulinduktivität||LσCE|-|19|-|nH|
|Leitungswiderstand, Anschluss-Chip<br>lead resistance, terminal-chip|Tc= 25°C|RCC´/EE´|-|2,5|-|mΩ|



## **Charakteristische Werte / characteristic values** 

## Diode Wechselrichter / diode inverter 

Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy 

|Diode Wechselrichter / diode inverter|||||
|---|---|---|---|---|
|IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C<br>IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C|VF|-<br>-|1,65<br>1,65|2,15<br>-|
|VR= 600V,VGE= -15V,Tvj= 125°C<br>VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C<br>IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs|IRM|-<br>-|67<br>70|-<br>-|
|IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs<br>VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C<br>VR= 600V,VGE= -15V,Tvj= 125°C|Qr|-<br>-|5,6<br>9,9|-<br>-|
|IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs<br>VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C<br>VR= 600V,VGE= -15V,Tvj= 125°C|Erec|-<br>-|2,2<br>4,1|-<br>-|



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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

## **Charakteristische Werte / characteristic values** 

NTC-Widerstand / NTC-thermistor 

|NTC-Widerstand / NTC-thermistor|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|NTC-Widerstand / NTC-thermistor|||**min.**|**typ.**|**max.**||
|Nennwiderstand<br>rated resistance|Tc= 25°C|R25|-|5|-|kΩ|
|deviation of R100<br>Abweichung von R100|Tc= 100°C, R100= 493Ω|∆R/R|-5|-|5|%|
|Verlustleistung<br>power dissipation|Tc= 25°C|P25|-|-|20|mW|
|B-Wert<br>B-value|R2= R1exp[B(1/T2- 1/T1)]|B25/50|-|3375|-|K|



## **Thermische Eigenschaften / thermal properties** 

|Innerer Wärmewiderstand; DC<br>thermal resistance, junction to case; DC|Transistor Wechelr. / transistor inverter<br>Diode Wechselrichter / diode inverter|RthJC|-<br>-|-<br>-|0,45<br>0,75|K/W<br>K/W|
|---|---|---|---|---|---|---|
|thermal resistance, case to heatsink<br>Übergangs Wärmewiderstand|pro Modul / per module<br>λPaste= 1W/m*K  /λgrease= 1W/m*K|RthCK|-|0,02|-|K/W|
|maximum junction temperature<br>Höchstzulässige Sperrschichttemp.||Tvj max|-|-|150|°C|
|operation temperature<br>Betriebstemperatur||Tvj op|-40|-|125|°C|
|Lagertemperatur<br>storage temperature||Tstg|-40|-|125|°C|



## **Mechanische Eigenschaften / mechanical properties** 

|Gehäuse, siehe Anlage|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|case, see appendix|||||||
|Innere Isolation<br>internal insulation||||Al2O3|||
|creepage distance<br>Kriechstrecke||||10,0||mm|
|clearence distance<br>Luftstrecke||||7,5||mm|
|comperative tracking index<br>CTI||||225|||
|Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung<br>mounting torque|Schraube / screw M5|M|3|-|6|Nm|
|Gewicht<br>weight||G||180||g|



Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. 

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 

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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

**==> picture [436 x 628] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)<br>output characteristic (typical) VGE= 15V<br>100 ,<br>,<br>90 , ‘ ’<br>see eee Tvj = 25°C , ,<br>80 Tvj = 125°C a’, ,<br>’<br>,<br>70 ,<br>,<br>av,<br>60 , ’<br>,<br>,<br>50 /<br>’<br>’<br>40 , ,<br>“<br>,<br>,<br>30 ’<br>,<br>,<br>,<br>20 ’ ,<br>’<br>,<br>10 , ’<br>,<br>of<br>0 -*<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0<br>VCE [V]<br>Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)<br>output characteristic (typical) Tvj= 125°C<br>100 ’ fo. / a ad ’.<br>90 see nee VGE=19V . ‘ ‘4 /, ° , ’ a eee<br>sen nae VGE=17V alsroeaf ie ‘ , - a wernt<br>80 VGE=15V Pasnoo, .as « Pad . ue?<br>70 === se owe VGE=13V as, ‘a’ . , s . . , . .? - Pad<br>see nee VGE=11V Y,an ! - . ’<br>af , ca s<br>60 sen nae VGE=9V 4a,s ’ , 4 o ? ta<br>4 p s o<br>' , "<br>50 ’ a’ .<br>os v ,e , ra , , .”<br>40 as a ’ ’ ’ ‘ td ae id ‘ 7 weeet eeeee ee ee ial<br>30 a s ’ won, “a44n, se nwf no 4 - «6. ? 8, - . - o” -? 7<br>2010 ae? atew iteee 4 76 aa 7s tpote ltee, ta ofre- “oe4 ca .<br>as?<br>- - Pad .a<br>0<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V]<br> [A]<br>IC<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br>


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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

**==> picture [437 x 295] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE)<br>transfer characteristic (typical) VCE= 20V<br>100<br>,<br>,<br>,<br>90 ,<br>,<br>80 see eee Tvj=25 ° C , ca<br>’<br>Tvj=125°C , ,<br>70 ,<br>,<br>,<br>”<br>60 , ,<br>,<br>,<br>50 , ,<br>,<br>40 ,<br>,<br>vA<br>30<br>,<br>,<br>20 , ,<br>,<br>’<br>10 , 4<br>,<br>o?<br>0 po ee |<br>4 5 6 7 8 9 10 11 12<br>VGE [V]<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br>


**Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF) forward caracteristic of inverse diode (typical)** 

**==> picture [390 x 240] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
100 7 7<br>,<br>f<br>90 ,<br>see eee Tvj = 25°C , /<br>80 Tvj = 125°C , f<br>,<br>,<br>70 ,<br>,<br>”<br>,<br>60 ”<br>,<br>’<br>,<br>50 , ,<br>7<br>,<br>,<br>40 ,<br>,<br>,<br>30 , ,<br>, ,<br>,<br>20 , ,<br>a ,<br>”<br>10 “ ”<br>“<br>0 ° a |<br>0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4<br>VF [V]<br> [A]<br>IF<br>**----- End of picture text -----**<br>


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5 (8) 

## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module IGBT-Modules 

## FS50R12KE3 

**Schaltverluste (typisch) Eon= f(IC), Eoff= f(IC), Erec= f(IC) Switching losses (typical) VGE=±15V, R** G **=18** Ω **, VCE=600V, Tvj=125°C** 

**==> picture [437 x 578] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
14<br>12 Eon<br>Eoff<br>Erec<br>10 ===s 258. | |<br>ae<br>pan<br>8<br>a<br>“7<br>a<br>6 “7 eee<br>“7 cee<br>4<br>a7 wee<br>A ee<br>2 ee<br>oo<br>0<br>0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100<br>IC [A]<br>Schaltverluste (typisch) Eon= f(RG), Eoff= f(RG), Erec= f(RG)<br>Switching losses (typical) VGE=±15V, IC=50A, VCE=600V, Tvj=125°C<br>14<br>12<br>Eon<br>Eoff<br>10 Erec<br>8<br>6<br>4<br>2<br>0<br>0 10 20 30 40 50 60 70 80<br>RG [ Ω ]<br>E [mJ]<br>E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>


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6 (8) 

## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

**==> picture [430 x 245] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)<br>Transient thermal impedance<br>1<br>0,1<br>Zth : IGBT<br>Zth : Diode<br>Ep |<br>0,01<br>0,001 0,01 0,1 1 10<br>t [s]<br> [K/W]<br>thJC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


|**i**|**1**|**2**|**3**|**4**|
|---|---|---|---|---|
|**ri [K/W] : IGBT**|**5,077E-02**|**7,893E-02**|**2,032E-01**|**1,142E-01**|
|τ**i [s] : IGBT**|**2,345E-03**|**2,820E-01**|**2,820E-02**|**1,128E-01**|
|**ri [K/W] : Diode**|**7,637E-02**|**4,933E-01**|**1,421E-01**|**4,501E-02**|
|τ**i [s] : Diode**|**3,333E-03**|**3,429E-02**|**1,294E-01**|**7,662E-01**|



**==> picture [435 x 250] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)<br>Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, RG=18 Ω , Tvj=125°C<br>125<br>100<br>|<br>75<br>IC,Chip<br>IC,Modul<br>50<br>25<br>|<br>7<br>0 |<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400<br>VCE [V]<br> [A]<br>IC<br>**----- End of picture text -----**<br>


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## **Technische Information / technical information** 

IGBT-Module FS50R12KE3 IGBT-Modules 

**Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram** 

DB_FS50R12KE3_ 3.0.xls 2002-09-03 

8 (8) 

## **Nutzungsbedingungen** 

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. 

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. 

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. 

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; 

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; 

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. 

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. 

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 

## **Terms & Conditions of usage** 

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. 

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. 

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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend 

- to perform joint Risk and Quality Assessments; 

- the conclusion of Quality Agreements; 

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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. 

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