# IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 28 A, 1.85 V, 130 W, 150 °C, Module

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**URL**: https://novapart.co/products/FP15R12W1T4BOMA1/igbt-module-pim-three-phase-input-rectifier-28-a
**SKU**: FP15R12W1T4BOMA1
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || IGBTs || IGBT Modules
**Price**: €19.5600
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 92 days (indicative)

## Description

Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Product Range | EasyPIM 1B |
| Igbt Technology | IGBT 4 [Trench/Field Stop] |
| Igbt Termination | Press Fit |
| Power Dissipation | 130W |
| Igbt Configuration | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Transistor Mounting | Panel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Dc Collector Current | 28A |
| Power Dissipation Pd | 130W |
| Transistor Case Style | Module |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Junction Temperature Tj Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 28A |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2kV |
| Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo | 1.2kV |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85V |
| Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On) | 1.85V |

## Datasheet

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IGBT-モジュール IGBT-modules 

## FP15R12W1T4 

VCES = 1200V IC nom = 15A / ICRM = 30A 

## **一般応用** 

- スタティックインバーター 

- 空冷 

- モーター駆動 

- 

- 

- 

## **電気的特性** 

- 低スイッチング損失 

- 

- 正温度特性を持ったVCEsat 

- CEsat 

- 

- 

- VCEsat 

- CEsat 

## **機械的特性** 

- (RB VE-AYVAZAO AI 2O3 DCB 

- コンパクトデザイン 

- • 半田接合技術 

- 固定用クランプによる強固なマウンティング 

- Al2O3 

- 

- 

• Rugged mounting due to integrated mounting clamps 

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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information 

> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## **暫定データ Preliminary�Data** 

## **IGBT- インバータ�/�IGBT,Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values** 

|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FP15R12W1T4<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-modules||
|---|---|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2<br>**暫定データ**<br>**PreliminaryData**<br>**IGBT- インバータ/IGBT,Inverter**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1200<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 100°C, Tvj max= 175°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>IC nom<br>IC<br>15<br>28<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>30<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 175<br>Ptot<br>130<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>1,85<br>2,15<br>2,25<br>2,25<br>V<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 0,48 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>0,12<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>0,0<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>0,89<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>0,03<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1200 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>1,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 39Ω<br>td on<br>0,055<br>0,055<br>0,055<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 39Ω<br>tr<br>0,059<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 39Ω<br>td off<br>0,195<br>0,275<br>0,28<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 39Ω<br>tf<br>0,145<br>0,19<br>0,215<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V, di/dt = 550 A/µs (Tvj= 150°C)<br>RGon= 39Ω<br>Eon<br>1,30<br>1,75<br>1,95<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj= 150°C)<br>RGoff= 39Ω<br>Eoff<br>0,83<br>1,20<br>1,35<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 800 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>55<br>A<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>1,05<br>1,15<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>1,05<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>150<br>°C||



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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information 

> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## **暫定データ Preliminary�Data** 

## **Diode、インバータ�/�Diode,�Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values** 

|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1200|1200||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|15|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|30|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C<br>VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 150°C|I²t|16,0<br>14,0|||A²s<br>A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 15 A, VGE= 0 V<br>IF= 15 A, VGE= 0 V<br>IF= 15 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||2,00<br>2,10<br>2,10|2,65|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||13,0<br>12,0<br>12,0||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||1,20<br>2,05<br>2,40||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||0,37<br>0,68<br>0,80||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,75|1,90|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,30||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|



## **Diode、整流器�/�Diode,�Rectifier 最大定格�/�Maximum�Rated�Values** 

|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1600|1600||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|最大実効順電流/chip<br>MaximumRMSforwardcurrentperchip|TC= 80°C|IFRMSM|30|||A|
|整流出力の最大実効電流<br>MaximumRMScurrentatrectifieroutput|TC= 80°C|IRMSM|30|||A|
|サージ順電流<br>Surgeforwardcurrent|tp= 10 ms, Tvj= 25°C<br>tp= 10 ms, Tvj= 150°C|IFSM|300<br>245|||A<br>A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|tp= 10 ms, Tvj= 25°C<br>tp= 10 ms, Tvj= 150°C|I²t|450<br>300|||A²s<br>A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|Tvj= 150°C, IF= 15 A|VF||0,85||V|
|逆電流<br>Reversecurrent|Tvj= 150°C, VR= 1600 V|IR||1,00||mA|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,20|1,35|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,15||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2|||||||
|preparedby:DK|dateofpublication:2013-10-07||||||
|approvedby:MB|revision:2.2||||||



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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information 

> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## **暫定データ Preliminary�Data** 

## **IGBT-ブレーキチョッパー�/�IGBT,�Brake-Chopper 最大定格�/�Maximum�Rated�Values** 

|テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation<br>FP15R12W1T4<br>IGBT-モジュール<br>IGBT-modules||
|---|---|
|preparedby:DK<br>approvedby:MB<br>dateofpublication:2013-10-07<br>revision:2.2<br>**暫定データ**<br>**PreliminaryData**<br>**IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper**<br>**最大定格/MaximumRatedValues**<br>コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage<br>Tvj= 25°C<br>VCES<br>1200<br>V<br>連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent<br>TC= 100°C, Tvj max= 175°C<br>TC= 25°C, Tvj max= 175°C<br>IC nom<br>IC<br>15<br>28<br>A<br>A<br>繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent<br>tP= 1 ms<br>ICRM<br>30<br>A<br>トータル損失<br>Totalpowerdissipation<br>TC= 25°C, Tvj max= 175<br>Ptot<br>130<br>W<br>ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage<br>VGES<br>+/-20<br>V<br>**電気的特性/CharacteristicValues**<br>min.<br>typ.<br>max.<br>コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>IC= 15 A, VGE= 15 V<br>VCE sat<br>1,85<br>2,15<br>2,25<br>2,25<br>V<br>V<br>V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage<br>IC= 0,48 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C<br>VGEth<br>5,2<br>5,8<br>6,4<br>V<br>ゲート電荷量<br>Gatecharge<br>VGE= -15 V ... +15 V<br>QG<br>0,12<br>µC<br>内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor<br>Tvj= 25°C<br>RGint<br>0,0<br>Ω<br>入力容量<br>Inputcapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cies<br>0,89<br>nF<br>帰還容量<br>Reversetransfercapacitance<br>f = 1 MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V<br>Cres<br>0,03<br>nF<br>コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent<br>VCE= 1200 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C<br>ICES<br>1,0<br>mA<br>ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent<br>VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C<br>IGES<br>400<br>nA<br>ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>td on<br>0,065<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>tr<br>0,06<br>0,065<br>0,065<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>td off<br>0,21<br>0,28<br>0,285<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload<br>IC= 15 A, VCE= 600 V<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>tf<br>0,17<br>0,20<br>0,225<br>µs<br>µs<br>µs<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V<br>RGon= 43Ω<br>Eon<br>1,35<br>1,80<br>2,00<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse<br>IC= 15 A, VCE= 600 V, LS= 50 nH<br>VGE= ±15 V<br>RGoff= 43Ω<br>Eoff<br>0,85<br>1,20<br>1,35<br>mJ<br>mJ<br>mJ<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C<br>短絡電流<br>SCdata<br>VGE ≤15 V, VCC= 800 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>ISC<br>55<br>A<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,<br>ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>RthJC<br>1,05<br>1,15<br>K/W<br>ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink<br>IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)<br>RthCH<br>1,05<br>K/W<br>動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions<br>Tvj op<br>-40<br>150<br>°C||



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## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information 

> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## **暫定データ Preliminary�Data** 

## **Diode、ブレーキチョッパー�/�Diode,�Brake-Chopper 最大定格�/�Maximum�Rated�Values** 

|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1200|1200||V|
|---|---|---|---|---|---|---|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|10|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|20|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C|I²t|16,0|||A²s|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 10 A, VGE= 0 V<br>IF= 10 A, VGE= 0 V<br>IF= 10 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||1,75<br>1,75<br>1,75|2,25|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||12,0<br>10,0<br>8,00||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||0,90<br>1,70<br>1,90||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 600 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||0,24<br>0,52<br>0,59||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC||1,75|1,90|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||1,30||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|



## **NTC-サーミスタ�/�NTC-Thermistor** 

## **電気的特性�/�Characteristic�Values** 

|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>|**NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor**<br>||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|**電気的特性/CharacteristicValues**|||min.<br>typ.||max.||
|定格抵抗値<br>Ratedresistance|TC= 25°C|R25||5,00||kΩ|
|R100の偏差<br>DeviationofR100|TC= 100°C, R100= 493Ω|∆R/R|-5||5|%|
|損失<br>Powerdissipation|TC= 25°C|P25|||20,0|mW|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/50(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/50||3375||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/80(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/80||3411||K|
|B-定数<br>B-value|R2= R25exp [B25/100(1/T2- 1/(298,15 K))]|B25/100||3433||K|



適切なアプリケーションノートによる仕様 

Specification�according�to�the�valid�application�note. 

prepared�by:�DK date�of�publication:�2013-10-07 approved�by:�MB revision:�2.2 

5 

## テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information 

> IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## **暫定データ Preliminary�Data** 

## **モジュール�/�Module** 

|**モジュール/Module**|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|絶縁耐圧<br>Isolationtestvoltage|RMS, f = 50 Hz, t = 1 min|VISOL|2,5|||kV|
|内部絶縁<br>Internalisolation|基礎絶縁(クラス1,IEC61140)<br>basicinsulation(class1,IEC61140)||AI203||||
|沿面距離<br>Creepagedistance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||11,5<br>6,3|||mm|
|空間距離<br>Clearance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||10,0<br>5,0|||mm|
|相対トラッキング指数<br>Comperativetrackingindex||CTI||> 200|||
||||min.|typ.|max.||
|内部インダクタンス<br>Strayinductancemodule||LsCE||30||nH|
|パワーターミナル・チップ間抵抗<br>Moduleleadresistance,terminals-chip|TC=25°C,/スイッチ/perswitch|RCC'+EE'<br>RAA'+CC'||8,00<br>6,00||mΩ|
|最大ジャンクション温度<br>Maximumjunctiontemperature|インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,<br>brake-chopper<br>整流器/rectifier|Tvj max|||175<br>150|°C<br>°C|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions|インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,<br>brake-chopper<br>整流器/rectifier|Tvj op|-40<br>-40||150<br>150|°C<br>°C|
|保存温度<br>Storagetemperature||Tstg|-40||125|°C|
|Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder<br>mountig force per clamp||F|20|-|50|N|
|質量<br>Weight||G||24||g|



Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin. 

date�of�publication:�2013-10-07 revision:�2.2 

prepared�by:�DK approved�by:�MB 

6 

**==> picture [78 x 20] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
IGBT-モジュール<br>IGBT-modules<br>**----- End of picture text -----**<br>


## FP15R12W1T4 

**==> picture [61 x 12] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
暫定データ<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [486 x 596] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
IC =f(V CE) IC =f(V CE)<br>VGE =15V Tvj = 150°C<br>30 a | 7 30 es | az<br>Tvj = 25°C VGE = 19 V<br>27 F Tvj = 125°C e 27 VGE = 17 V Le Le<br>Tvj = 150°C VGE = 15 V<br>VGE = 13 V<br>24 ea ’ a 24 VGE = 11 V rd Z<br>VGE =   9 V<br>p t ee | AL<br>21 21<br>a ae E e<br>18 ea 18 e vee<br>Pe eee eee<br>15 15<br>he if / va<br>12 12<br>9 ee 9 //<br>ce ee<br>ee<br>6 6<br>Aen) acne<br>3 3<br>ee<br>0 0<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V] VCE [V]<br>iE IGBT- 4 Y/\—Z (Typical) At YFYVTIIBR IGBT- 4 Y/\—Z (Typical)<br>transfer characteristic IGBT,Inverter(typical) switching losses IGBT,Inverter (typical)<br>IC =f(V GE) Eon =f(l),E C off =f(I C)<br>VCE =20V VGE =+15V,R Gon =39 Ω ,R Goff =39 Ω ,V CE =600V<br>30 6<br>Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C<br>27 Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C<br>Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C<br>5 Eoff, Tvj = 150°C<br>24 ea E |<br>21<br>et | |ee 4<br>a a 7<br>18<br>15 3<br>12<br>2<br>9<br>6<br>1<br>3<br>0 0<br>poe cana<br>5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30<br>VGE [V] IC [A]<br> [A]  [A]<br>IC IC<br> [A]<br>IC E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>


7 

IGBT-モジュール IGBT-modules 

## FP15R12W1T4 

## **暫定データ** 

**==> picture [486 x 599] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Eon =f{(R)E G off =f(R G) ZthJH =f (t)<br>VGE =+15V,1 C =15A,V CE =600V<br>9,0 10<br>o Eon, Tvj = 125°C o L ZthJH : IGBT 0s<br>Eon, Tvj = 150°C a ae ll<br>8,0 Eoff, Tvj = 125°C<br>Eoff, Tvj = 150°C<br>e n rho a e r ll<br>7,06,0 Pe ) te<br>ae<br>5,0 Pf | Le ea e<br>/ 1 ye<br>BREA< ESS<br>4,0 WA a a<br>Pt | ae tf | |] | a )2 ell<br>3,0 Be a a re 200724i | ene|et |<br>2,0<br>i:    1    2    3    4<br>1,0 ri[K/W]:   0,154    0,345   0,865   0,736<br>S| e τ i[s]:    e 0,0005   0,005   0,05    0,2<br>PEELE) LEW fetl l<br>0,0 0,1<br>0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,001 0,01 0,1 1 10<br>RG [ Ω ] t [s]<br>PINT PARSENMERIGBT- 7 Y/\—% (RBSOA) ) BBE Diode, 4 Y/\—Z ( [typical)]<br>reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA) forward characteristic of Diode, Inverter (typical)<br>IC CE) IF F)<br>VGE “i sV.R Goff =39 Ω ,T vj =150°C a<br>33 30<br>IC, Modul Tvj = 25°C<br>30 I C , Chip 27 Tvj = 125°C<br>Tvj = 150°C<br>27 Eo fee<br>24<br>24<br>RAH 21 s a n e oe<br>21<br>18<br>18<br>15<br>15<br>Hf} i | ft ae a<br>12<br>12<br>9<br>9<br>6<br>6<br>30 P| | ft | ft 30 f e ae<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0<br>VCE  [V] VF [V]<br> [K/W]<br>E [mJ]<br>thJH<br>Z<br> [A]  [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>


8 

IGBT-モジュール IGBT-modules 

## FP15R12W1T4 

## **暫定データ** 

**==> picture [487 x 596] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Erec =f(I F) Erec =f(R G)<br>RGon Ω »,V CE =600V IF -ighy CE = 600 V<br>1,4 1,0<br>Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C<br>Erec, Tvj = 150°C 0,9 Erec, Tvj = 150°C<br>1,2 Ey) | FE Jo<br>0,8<br>ry |...) PTT tt tL<br>1,0<br>0,7<br>0,6<br>0,8<br>0,5<br>Pope<br>0,6 anne SON<br>0,4<br>Le et |ANT<br>put |] 0,3 EE SRE<br>0,4<br>0,2<br>Pees ee<br>0,2<br>0,1<br>0,0 0,0<br>0 5 10 15 20 25 30 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400<br>IF [A] RG [ Ω ]<br>JAA YE-AYZ Diode. 4 V/\—R2 WEA THStE Diode, Bwizs ( #2!)<br>transient thermal impedance Diode, Inverter forward characteristic of Diode, Rectifier (typical)<br>ZthJH =f (t) IF =f(V F)<br>10 (eee ee 30 a<br>| ZthJH : Diode a ee Tvj = 25°C<br>Tt HS  ioo T y] eo nn Tvj = 150°C<br>o_o a l l 25 Ed) i ify<br>AB Py] typ<br>a a eae I 20<br>MAM LL<br>1 15<br>a<br>YATTAT ETTTTTTT<br>Zo |<br>aa| 10<br>0<br>P8 er)0PLM i:    1    EECy 2    3    4    5 Pe) la fy<br>ri[K/W]:   0,404    0,664   1,174   0,808<br>τ i[s]:    0,0005   0,005   0,05    0,2<br>0,1 0<br>0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4<br>t [s] VF [V]<br>E [mJ] E [mJ]<br> [K/W]thJH  [A]IF<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


9 

IGBT-モジュール IGBT-modules 

## FP15R12W1T4 

## **暫定データ** 

**==> picture [486 x 279] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
IC =f(V CE) IF =f(V F)<br>VGE =15V<br>30 20<br>Tvj = 25°C Tvj = 25°C<br>27 Tvj = 125°C 18 Tvj = 125°C<br>Tvj = 150°C Tvj = 150°C<br>(ea e ee ee<br>24 Pe st 16 es )<br>ee eera c / va<br>21 14<br>18 12<br>15 10<br>12 8<br>9 ee 6<br>6 4<br>3 2<br>0 0<br>ee ee e e [e][e]<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br>VCE  [V] VF [V]<br> [A]  [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [240 x 252] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
100000 —— Rtyp<br>}— fe<br>(Rar ce<br>a<br>a a<br>10000 nja |<br>EReeee ee<br>a NeNe eeee ee<br>pot NE<br>pp Nf<br>1000<br>a<br>poaa<br>(a NN<br>aa<br>100<br>0 20 40 60 80 100 120 140 160<br>TC [°C]<br>] Ω<br>R[<br>**----- End of picture text -----**<br>


10 

**==> picture [523 x 268] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
テクニカルインフォメーション�/�Technical�Information<br>IGBT-モジュールIGBT-modules FP15R12W1T4<br>暫定データ<br>Preliminary�Data<br>回路図�/�circuit_diagram_headline<br>J<br>パッケージ概要�/�package�outlines<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [23 x 5] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Infineon<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [90 x 123] intentionally omitted <==**

**==> picture [50 x 85] intentionally omitted <==**

prepared�by:�DK date�of�publication:�2013-10-07 approved�by:�MB revision:�2.2 

11 

IGBT-モジュール IGBT-modules 

## FP15R12W1T4 

## **暫定データ** 

## **この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。** 

この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 

利用規約 

このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 

追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに 

ノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 

航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 

ー 品質契約 

ー アプリケーションの共同評価 

上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 

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## Links

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