# IGBT Module, Dual, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 150 °C, Module

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**URL**: https://novapart.co/products/FF150R17KE4HOSA1/igbt-module-dual-250-a-195-v-11-kw-150-c
**SKU**: FF150R17KE4HOSA1
**Manufacturer**: INFINEON
**Category**: Semiconductors - Discretes || IGBTs || IGBT Modules
**Price**: €58.8200
**Stock**: 10+
**Lead Time**: 92 days (indicative)

## Description

Transistor Polarity:Dual NPN; DC Collector Current:250A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:1.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Trans

## Specifications

| Parameter | Value |
|---|---|
| Svhc | No SVHC (25-Jun-2025) |
| No. Of Pins | 7Pins |
| Product Range | - |
| Igbt Technology | IGBT 4 [Trench/Field Stop] |
| Igbt Termination | Stud |
| Power Dissipation | 1.1kW |
| Igbt Configuration | Dual |
| Transistor Mounting | Panel |
| Transistor Polarity | Dual NPN |
| Dc Collector Current | 250A |
| Power Dissipation Pd | 1.1kW |
| Transistor Case Style | Module |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Junction Temperature Tj Max | 150°C |
| Continuous Collector Current | 250A |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.7kV |
| Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo | 1.7kV |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95V |
| Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On) | 1.95V |

## Datasheet

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## FF150R17KE4 

VCES = 1700V IC nom = 150A / ICRM = 300A 

## アプリケーションの可能性 

- UPSシステム 

- ハイパワーコンバータ 

- • モーター駆動 

- 風力タービン 

- 

- 

- 

- 

## 電気的特性 

- CEsat • CEsat 

- • 優れたロバスト性 • Unbeatable 

- • 

- 正温度特性を持ったVCEsat 

- VCEsat 

## 機械的特性 

- • 

- • 

- CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ 

- • 標準ハウジング • 

- 絶縁されたベースプレート • 

- • 

- 長い縁面/空間距離 

**Digit** 

Datasheet www.infineon.com 

2018-04-06 

FF150R17KE4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## 暫定データ Preliminary�Data 

## IGBT-�インバータ�/�IGBT,Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values 

|最大定格/MaximumRatedValues|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|コレクタ・エミッタ間電圧<br>Collector-emittervoltage|Tvj= 25°C|VCES|1700|||V|
|連続DCコレクタ電流<br>ContinuousDCcollectorcurrent|TC= 100°C, Tvj max= 175°C|IC nom|150|||A|
|繰り返しピークコレクタ電流<br>Repetitivepeakcollectorcurrent|tP= 1 ms|ICRM|300|||A|
|ゲート・エミッタ間ピーク電圧<br>Gate-emitterpeakvoltage||VGES|+/-20|||V|
|電気的特性/CharacteristicValues|||min.|typ.|max.||
|コレクタ・エミッタ間飽和電圧<br>Collector-emittersaturationvoltage|IC= 150 A, VGE= 15 V<br>IC= 150 A, VGE= 15 V<br>IC= 150 A, VGE= 15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VCE sat||1,95<br>2,35<br>2,45|2,30|V<br>V<br>V|
|ゲート・エミッタ間しきい値電圧<br>Gatethresholdvoltage|IC= 6,00 mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C|VGEth|5,20|5,80|6,40|V|
|ゲート電荷量<br>Gatecharge|VGE= -15 / 15 V|QG||1,50||µC|
|内蔵ゲート抵抗<br>Internalgateresistor|Tvj= 25°C|RGint||4,3||Ω|
|入力容量<br>Inputcapacitance|f = 1000 kHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V|Cies||12,0||nF|
|帰還容量<br>Reversetransfercapacitance|f = 1000 kHz, Tvj= 25°C, VCE= 25 V, VGE= 0 V|Cres||0,41||nF|
|コレクタ・エミッタ間遮断電流<br>Collector-emittercut-offcurrent|VCE= 1700 V, VGE= 0 V, Tvj= 25°C|ICES|||1,0|mA|
|ゲート・エミッタ間漏れ電流<br>Gate-emitterleakagecurrent|VCE= 0 V, VGE= 20 V, Tvj= 25°C|IGES|||100|nA|
|ターンオン遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-ondelaytime,inductiveload|IC= 150 A, VCE= 900 V<br>VGE= -15 / 15 V<br>RGon= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|td on||0,24<br>0,28<br>0,30||µs<br>µs<br>µs|
|ターンオン上昇時間（誘導負荷）<br>Risetime,inductiveload|IC= 150 A, VCE= 900 V<br>VGE= -15 / 15 V<br>RGon= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|tr||0,05<br>0,055<br>0,055||µs<br>µs<br>µs|
|ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）<br>Turn-offdelaytime,inductiveload|IC= 150 A, VCE= 900 V<br>VGE= -15 / 15 V<br>RGoff= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|td off||0,70<br>0,74<br>0,78||µs<br>µs<br>µs|
|ターンオフ下降時間（誘導負荷）<br>Falltime,inductiveload|IC= 150 A, VCE= 900 V<br>VGE= -15 / 15 V<br>RGoff= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|tf||0,08<br>0,13<br>0,15||µs<br>µs<br>µs|
|ターンオンスイッチング損失<br>Turn-onenergylossperpulse|IC= 150 A, VCE= 900 V, Lσ= 60 nH<br>di/dt = 3000 A/µs (Tvj= 150°C)<br>VGE= -15 / 15 V, RGon= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Eon||47,0<br>58,0<br>63,0||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ターンオフスイッチング損失<br>Turn-offenergylossperpulse|IC= 150 A, VCE= 900 V, Lσ= 60 nH<br>du/dt = 3600 V/µs (Tvj= 150°C)<br>VGE= -15 / 15 V, RGoff= 4,8Ω<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Eoff||28,0<br>44,0<br>49,0||mJ<br>mJ<br>mJ|
|短絡電流<br>SCdata|VGE ≤15 V, VCC= 1000 V<br>VCEmax= VCES-LsCE·di/dt<br>Tvj= 150°C<br>tP ≤10 µs,|ISC||680||A|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|IGBT部（１素子当り）/perIGBT|RthJC|||0,135|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|IGBT部（１素子当り）/perIGBT<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||0,0370||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|



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V�2.3 2018-04-06 

Datasheet 

FF150R17KE4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## 暫定データ Preliminary�Data 

## Diode、インバータ�/�Diode,�Inverter 最大定格�/�Maximum�Rated�Values 

|最大定格/MaximumRatedValues|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
|ピーク繰返し逆電圧<br>Repetitivepeakreversevoltage|Tvj= 25°C|VRRM|1700|||V|
|連続DC電流<br>ContinuousDCforwardcurrent||IF|150|||A|
|ピーク繰返し順電流<br>Repetitivepeakforwardcurrent|tP= 1 ms|IFRM|300|||A|
|電流二乗時間積<br>I²t-value|VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 125°C<br>VR= 0 V, tP= 10 ms, Tvj= 150°C|I²t|10000<br>9500<br>|||A²s<br>A²s|
|電気的特性/CharacteristicValues|||min.|typ.|max.||
|順電圧<br>Forwardvoltage|IF= 150 A, VGE= 0 V<br>IF= 150 A, VGE= 0 V<br>IF= 150 A, VGE= 0 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|VF||1,65<br>1,70<br>1,75|2,05|V<br>V<br>V|
|ピーク逆回復電流<br>Peakreverserecoverycurrent|IF= 150 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|IRM||180<br>220<br>240||A<br>A<br>A|
|逆回復電荷量<br>Recoveredcharge|IF= 150 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Qr||45,0<br>80,0<br>85,0||µC<br>µC<br>µC|
|逆回復損失<br>Reverserecoveryenergy|IF= 150 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C)<br>VR= 900 V<br>VGE= -15 V<br>Tvj= 25°C<br>Tvj= 125°C<br>Tvj= 150°C|Erec||20,0<br>40,0<br>44,0||mJ<br>mJ<br>mJ|
|ジャンクション・ケース間熱抵抗<br>Thermalresistance,junctiontocase|/Diode（１素子当り）/perdiode|RthJC|||0,160|K/W|
|ケース・ヒートシンク間熱抵抗<br>Thermalresistance,casetoheatsink|/Diode（１素子当り）/perdiode<br>λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)|RthCH||0,0440||K/W|
|動作温度<br>Temperatureunderswitchingconditions||Tvj op|-40||150|°C|
|モジュール/Module|||||||
|絶縁耐圧<br>Isolationtestvoltage|RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.|VISOL|4,0|||kV|
|ベースプレート材質<br>Materialofmodulebaseplate|||Cu||||
|内部絶縁<br>Internalisolation|基礎絶縁(クラス1,IEC61140)<br>basicinsulation(class1,IEC61140)||Al2O3||||
|沿面距離<br>Creepagedistance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||29,0<br>23,0|||mm|
|空間距離<br>Clearance|連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink<br>連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal||23,0<br>11,0|||mm|
|相対トラッキング指数<br>Comperativetrackingindex||CTI||> 400|||
||||min.|typ.|max.||
|内部インダクタンス<br>Strayinductancemodule||LsCE||20||nH|
|パワーターミナル・チップ間抵抗<br>Moduleleadresistance,terminals-chip|TC=25°C,/スイッチ/perswitch|RCC'+EE'||0,70||mΩ|
|保存温度<br>Storagetemperature||Tstg|-40||125|°C|
|取り付けネジ締め付けトルク<br>Mountingtorqueformodulmounting|取り付けネジM6<br>適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote|M|3,00||6,00|Nm|
|主端子ネジ締め付けトルク<br>Terminalconnectiontorque|取り付けネジM6<br>適切なアプリケーションノートによるマウンティング<br>ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote|M|2,5|-|5,0|Nm|
|質量<br>Weight||G||340||g|



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V�2.3 2018-04-06 

Datasheet 

FF150R17KE4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

## 暫定データ Preliminary�Data 

出力特性�IGBT-�インバータ�(Typical) **output�characteristic�IGBT,Inverter�(typical)** IC�=�f�(VCE) VGE�=�15�V 

出力特性�IGBT-�インバータ�(Typical) **output�characteristic�IGBT,Inverter�(typical)** IC�=�f�(VCE) Tvj�=�150°C 

**==> picture [484 x 282] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
300 300<br>Tvj = 25°C VGE = 20V<br>Tvj = 125°C VGE = 15V<br>270 T vj  = 150°C 270 V GE  =12 V<br>VGE = 10V<br>VGE = 9V<br>240 240 V GE  = 8V<br>210 210<br>180 180<br>150 150<br>120 120<br>90 90<br>60 60<br>30 30<br>0 0<br>0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0<br>VCE [V] VCE [V]<br> [A]  [A]<br>IC IC<br>**----- End of picture text -----**<br>


伝達特性�IGBT-�インバータ�(Typical) **transfer�characteristic�IGBT,Inverter�(typical)** IC�=�f�(VGE) VCE�=�20�V 

スイッチング損失�IGBT-�インバータ�(Typical) **switching�losses�IGBT,Inverter�(typical)** Eon�=�f�(IC),�Eoff�=�f�(IC) 

VGE�=�±15�V,�RGon�=�4.8� Ω ,�RGoff�=�4.8� Ω ,�VCE�=�900�V 

**==> picture [485 x 282] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
300 150<br>Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C<br>Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C<br>270 T vj  = 150°C 135 E off , T vj  = 125°C<br>Eoff, Tvj = 150°C<br>240 120<br>210 105<br>180 90<br>150 75<br>120 60<br>90 45<br>60 30<br>30 15<br>0 0<br>5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 50 100 150 200 250 300<br>VGE [V] IC [A]<br> [A]<br>IC E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>


V�2.3 2018-04-06 

Datasheet 

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FF150R17KE4 

## 暫定データ 

**==> picture [486 x 656] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Eon =f(R),E G off =f(R G) ZthJC = f(t)<br>VGE =+15V,1 C =150A,V CE =900V<br>150 1<br>Eon, Tvj = 125°C Se ZthJC : IGBT<br>Eon, Tvj = 150°C<br>135 E off , T vj  = 125°C<br>Eoff, Tvj = 150°C<br>120<br>a Sati stati nih aii<br>105 oa STM ORTIGORTTiBGt<br>nn<br>0,1<br>a Pteete<br>90 ¥ pot PA<br>oe ECAz<br>75<br>60<br>a f<br>0,01<br>45<br>30<br>i: 1 2 3 4<br>15 ri[K/W]: 0,0045 0,0207 0,0955 0,0143<br>τ i[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6<br>Pt eet ey po<br>0 0,001<br>EERE Tom<br>0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 0,001 0,01 0,1 1 10<br>RG [ Ω ] t [s]<br>VINA PARSE IGBT- 1» /\—2 (RBSOA)) IBS EF Diode, 4 /\—2% ( typical)<br>reverse bias safe operating area IGBT,Inverter (RBSOA) forward characteristic of Diode, Inverter (typical)<br>IC =f(V CE) IF =f(V F)<br>VGE NS V.R Goff =4.8 Ω ,T vj =150°C<br>400 300<br>IC, Modul Tvj = 25°C<br>IC, Chip Tvj = 125°C<br>350 a 270 = T vj  = 150°C | ///<br>240<br>300<br>eee) 210<br>|<br>250 |<br>| 180<br>|<br>200 | 150<br>|<br>|<br>120<br>150 |<br>|<br>| 90<br>100<br>| 60<br>eee y|eee<br>50 | 30<br>0 0<br>0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4<br>VCE  [V] VF [V]<br> [K/W]<br>E [mJ]<br>thJC<br>Z<br> [A]  [A]<br>IC IF<br>**----- End of picture text -----**<br>


Datasheet 

5 

2018-04-06 

FF150R17KE4 

## 暫定データ 

**==> picture [485 x 309] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Erec = f (I F) Erec =f(R G)<br>RGon 3 Ω ,V CE =900V IF = 150A, V CE = 900 V<br>60 50<br>55 E E rec rec , T , T vj vj  = 125°C  = 150 ° C EErecrec, T, Tvjvj = 125°C = 150°C<br>45<br>== =<br>50 —<br>40<br>45<br>35 xe<br>40<br>30 SNe<br>35<br>30 25 ON :<br>25<br>20<br>20<br>15<br>15 P/4e<br>ee<br>10<br>10<br>5<br>5<br>0 0<br>0 50 100 150 200 250 300 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45<br>IF [A] RG [ Ω ]<br>E [mJ] E [mJ]<br>**----- End of picture text -----**<br>


**==> picture [238 x 310] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
ZthJC = f (t)<br>1 a ee<br>ZthJC : Diode<br>a egee ee<br>|<br>0,1<br>PA tt<br>ETHIEHAE RE<br>0,01<br>i: 1 2 3 4<br>ri[K/W]: 0,005324 0,02455 0,1133 0,01686<br>τ i[s]: 0,0008 0,013 0,05 0,6<br>0,001<br>0,001 0,01 0,1 1 10<br>t [s]<br> [K/W]<br>thJC<br>Z<br>**----- End of picture text -----**<br>


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Datasheet 

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FF150R17KE4 

**==> picture [86 x 38] intentionally omitted <==**

回路図�/�Circuit�diagram 

暫定データ Preliminary�Data 

**==> picture [272 x 154] intentionally omitted <==**

## パッケージ概要�/�Package�outlines 

**==> picture [36 x 7] intentionally omitted <==**

**----- Start of picture text -----**<br>
Infineon<br>**----- End of picture text -----**<br>


V�2.3 2018-04-06 

Datasheet 

7 

## Trademarks 

## 重要事項 

ーズ（以下、「インフィニオン」）はここに、第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず、あらゆる種類の一切の保証およ び責任を否定いたします。 

さらに、本文書に記載された一切の情報は、お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し、本文 書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件、規範、および基準をお客様が遵守することを条件としています。 

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本製品、技術、納品条件、および価格についての詳しい情報は、インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください （www.infineon.com）。 

## 警告事項 

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## WARNINGS 



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